연구동향 분석

Optimization of 4H-SiC Superjunction Accumulation MOSFETs by Adjustment of the Thickness and Doping Level of the p-Pillar Region

정영석 구상모 Jeong, Young-Seok Koo, Sang-Mo 2017년

논문상세정보
인용/피인용
' Optimization of 4H-SiC Superjunction Accumulation MOSFETs by Adjustment of the Thickness and Doping Level of the p-Pillar Region' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 응용 물리
  • 4h-sic
  • ACCUFET
  • Doping concentration
  • breakdown voltage
  • on-resistance
  • super junction
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
4,799 0

0.0%