Chemical Reaction on Etched TaNO Thin Film as O2 Content Varies in CF4/Ar Gas Mixing Plasma

논문상세정보
' Chemical Reaction on Etched TaNO Thin Film as O2 Content Varies in CF4/Ar Gas Mixing Plasma' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 응용 물리
  • TaNO
  • icp
  • xps
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
4,779 0

0.0%