논문상세정보
' Design and Analysis of AlGaN/GaN MIS HEMTs with a Dual-metal-gate Structure' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 2D technology computer-aided design (TCAD)
  • Dual Metal Gate (DMG)
  • algan/gan
  • high electron mobility transistor (HEMTs)
  • metal-insulator-semiconductor (MIS)
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
14 0

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