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비정질-결정질 가역적 상변환 소자용 Ge₈Sb₂Te₁₁ 박막의 W 도핑에 따른 상변환 특성 평가

박철진 여종빈 공헌 이현용 Park, Cheol-Jin Yeo, Jong-Bin Kong, Heon Lee, Hyun-Yong 2017년

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논문상세정보

- 저자 박철진 여종빈 공헌 이현용 Park, Cheol-Jin Yeo, Jong-Bin Kong, Heon Lee, Hyun-Yong
- 제어번호 103098192
- 학술지명 전기전자재료학회논문지
- 권호사항 Vol. 30 No. 3 [ 2017 ]
- 발행처 한국전기전자재료학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 133-138
- 언어 Korean
- 출판년도 2017
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 고려대학교 과학도서관 영남대학교 중앙도서관 영남대학교 중앙도서관
- 판매처
- 주제어 $Ge_8Sb_2Te_{11}$ Chalcogenide Phase-change Tungsten PRAM
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,727)

인용/피인용

비정질-결정질 가역적 상변환 소자용 Ge₈

' 비정질-결정질 가역적 상변환 소자용 Ge₈Sb₂Te₁₁ 박막의 W 도핑에 따른 상변환 특성 평가' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 $Ge_8Sb_2Te_{11}$ Chalcogenide Phase-change Tungsten pram
4,733	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	$Ge_8Sb_2Te_{11}$	1	0	0.0%
	Chalcogenide	13	0	0.0%
	Phase-change	9	0	0.0%
	Tungsten	49	0	0.0%
	pram	12	0	0.0%
계		4,733	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0