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SiC 기판상에 반응 스퍼터링에 의해 형성된 TiO₂막의 수소가스 검지 특성

김성진 Kim, Seong-Jeen 2016년

활용도
공유도
영향력

논문상세정보

- 저자 김성진 Kim, Seong-Jeen
- 제어번호 103028135
- 학술지명 전기전자재료학회논문지
- 권호사항 Vol. 29 No. 12 [ 2016 ]
- 발행처 한국전기전자재료학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 809-813
- 언어 Korean
- 출판년도 2016
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 고려대학교 과학도서관 영남대학교 중앙도서관 영남대학교 중앙도서관
- 판매처
- 주제어 $TiO_2$ Capacitive MIS structure Hydrogensensor Shisanyu(十三餘) Shu ng M n Ti n(霜滿天) SiC Tianjingsha(天淨沙) Zhang Ji(張繼) 斷句(Using Pause in Reading)
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,834)

인용/피인용

' SiC 기판상에 반응 스퍼터링에 의해 형성된 TiO₂막의 수소가스 검지 특성' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약

주제

응용 물리

$tio_2$

Capacitive

MIS structure

hydrogensensor

shisanyu(十三餘)

shu ng m n ti n(霜滿天)

sic

tianjingsha(天淨沙)

zhang ji(張繼)

斷句(using pause in reading)

동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균

4,844 0

0.0%

주제별 논문영향력

논문영향력

주제 주제별 논문수 주제별 피인용횟수 주제별 논문영향력

주제분류(KDC/DDC) 응용 물리 4,649 0

0.0%

주제어 $tio_2$ 62 0

0.0%

Capacitive 4 0

0.0%

MIS structure 2 0

0.0%

hydrogensensor 24 0

0.0%

shisanyu(十三餘) 2 0

0.0%

shu ng m n ti n(霜滿天) 2 0

0.0%

sic 94 0

0.0%

tianjingsha(天淨沙) 2 0

0.0%

zhang ji(張繼) 2 0

0.0%

斷句(using pause in reading) 2 0

0.0%

계 4,845 0

0.0%

* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수 0

동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 $tio_2$ Capacitive MIS structure hydrogensensor shisanyu(十三餘) shu ng m n ti n(霜滿天) sic tianjingsha(天淨沙) zhang ji(張繼) 斷句(using pause in reading)
4,844	0	0.0%

주제		주제별 논문수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0.0%
주제어	$tio_2$	62	0.0%
	Capacitive	4	0.0%
	MIS structure	2	0.0%
	hydrogensensor	24	0.0%
	shisanyu(十三餘)	2	0.0%
	shu ng m n ti n(霜滿天)	2	0.0%
	sic	94	0.0%
	tianjingsha(天淨沙)	2	0.0%
	zhang ji(張繼)	2	0.0%
	斷句(using pause in reading)	2	0.0%
계		4,845	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수

SiC 기판상에 반응 스퍼터링에 의해 형성된 TiO2막의 수소가스 검지 특성

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' SiC 기판상에 반응 스퍼터링에 의해 형성된 TiO₂막의 수소가스 검지 특성' 의 주제별 논문영향력