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Charge Trapping Mechanism in Amorphous Si-In-Zn-O Thin-Film Transistors During Positive Bias Stress

Lee, Sang Yeol 2016년

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논문상세정보

- 저자 Lee, Sang Yeol
- 제어번호 102923341
- 학술지명 Transactions on Electrical and Electronic Materials
- 권호사항 Vol. 17 No. 6 [ 2016 ]
- 발행처 The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
- 발행처 URL http://www.kieeme.or.kr
- 자료유형 학술저널
- 수록면 380-382
- 언어 English
- 출판년도 2016
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 고려대학교 과학도서관 영남대학교 중앙도서관 영남대학교 중앙도서관
- 판매처
- 주제어 DC bias stress Indium zinc oxide Oxide based semiconductors Oxide TFT perfect ring Rad-supplementing module skew monoid ring supplementing module
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,681)

인용/피인용

Charge Trapping Mechanism in Amorphous Si-In-Z ...

' Charge Trapping Mechanism in Amorphous Si-In-Zn-O Thin-Film Transistors During Positive Bias Stress' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 DC bias stress Indium zinc oxide Oxide based semiconductors oxide tft perfect ring rad-supplementing module skew monoid ring supplementing module
4,690	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	DC bias stress	1	0	0.0%
	Indium zinc oxide	4	0	0.0%
	Oxide based semiconductors	2	0	0.0%
	oxide tft	24	0	0.0%
	perfect ring	4	0	0.0%
	rad-supplementing module	2	0	0.0%
	skew monoid ring	2	0	0.0%
	supplementing module	2	0	0.0%
계		4,690	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0