비대칭 DGMOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 터널링 전류 분석

논문상세정보
' 비대칭 DGMOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 터널링 전류 분석' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 시스템
  • Top/bottom oxide thickness
  • poisson equation
  • stroke
  • tunneling current
  • wkb approximation
  • wkb 근사
  • 상하단 산화막 두께비
  • 터널링 전류
  • 포아송방정식
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
2,118 0

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