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Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN

손호기 이영진 김진호 황종희 전대우 이혜용 Son, Hoki Lee, YoungJin Kim, Jin-Ho Hwang, Jonghee Jeon, Dae-Woo Lee, Hae-Yong 2016년

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논문상세정보

- 저자 손호기 이영진 김진호 황종희 전대우 이혜용 Son, Hoki Lee, YoungJin Kim, Jin-Ho Hwang, Jonghee Jeon, Dae-Woo Lee, Hae-Yong
- 제어번호 102438756
- 학술지명 전기전자재료학회논문지
- 권호사항 Vol. 29 No. 11 [ 2016 ]
- 발행처 한국전기전자재료학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 702-706 ( 5쪽)
- 언어 Korean
- 출판년도 2016
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 고려대학교 과학도서관 영남대학교 중앙도서관 영남대학교 중앙도서관
- 판매처
- 주제어 FS-GaN Ouchi Fukuchi(福地?痴) Refractive index Self-separation Shizue Fujikage(藤蔭靜枝) Shouyou Tsubouchi(坪內逍遙) Sin Buyou(new dance) HVPE
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,847)

인용/피인용

Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standi ...

' Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 FS-GaN Ouchi Fukuchi(福地?痴) Refractive index Self-separation Shizue Fujikage(藤蔭靜枝) Shouyou Tsubouchi(坪內逍遙) Sin Buyou(new dance) hvpe
4,856	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,779	0	0.0%
주제어	FS-GaN	1	0	0.0%
	Ouchi Fukuchi(福地?痴)	1	0	0.0%
	Refractive index	51	0	0.0%
	Self-separation	2	0	0.0%
	Shizue Fujikage(藤蔭靜枝)	1	0	0.0%
	Shouyou Tsubouchi(坪內逍遙)	1	0	0.0%
	Sin Buyou(new dance)	1	0	0.0%
	hvpe	19	0	0.0%
계		4,856	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0