연구동향 분석

Sub-10 nm Ge/GaAs Heterojunction-Based Tunneling Field-Effect Transistor with Vertical Tunneling Operation for Ultra-Low-Power Applications

Young Jun Yoon Jae Hwa Seo Seongjae Cho Hyuck-In Kwon Jung-Hee Lee In Man Kang 2016년

논문상세정보
인용/피인용
' Sub-10 nm Ge/GaAs Heterojunction-Based Tunneling Field-Effect Transistor with Vertical Tunneling Operation for Ultra-Low-Power Applications' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • Ge/GaAs heterojunction
  • Tunneling field-effect transistor (TFET)
  • low-power (LP) performance
  • short-channeleffect(sce)
  • vertical tunneling operation
  • 소수자
  • 장애
  • 장애인
  • 장애인 창작 소설
  • 현실 인식
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
1,272 0

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