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HfO₂ 열처리 온도 및 두께에 따른 RRAM의 전기적 특성

최진형 유종근 박종태 Choi, Jin-Hyung Yu, Chong Gun Park, Jong-Tae 2014년

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논문상세정보

- 저자 최진형 유종근 박종태 Choi, Jin-Hyung Yu, Chong Gun Park, Jong-Tae
- 제어번호 101325824
- 학술지명 한국정보통신학회논문지
- 권호사항 Vol. 18 No. 3 [ 2014 ]
- 발행처 한국정보통신학회
- 발행처 URL http://www.kiice.org
- 자료유형 학술저널
- 수록면 663-669
- 언어 Korean
- 출판년도 2014
- 등재정보 KCI등재
- 판매처
- 주제어 $HfO_2$oxidethickness $HfO_2$산화층두께 Annealing temperature resistive random access memory 열처리온도 저항성메모리
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 23)

인용/피인용

HfO₂ 열처리 온도 및 두께에 따른 R ...

' HfO₂ 열처리 온도 및 두께에 따른 RRAM의 전기적 특성' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	$hfo_2$oxidethickness $hfo_2$산화층두께 annealing temperature resistive random access memory 열처리온도 저항성메모리
29	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	$hfo_2$oxidethickness	1	0	0.0%
	$hfo_2$산화층두께	1	0	0.0%
	annealing temperature	14	0	0.0%
	resistive random access memor ...	8	0	0.0%
	열처리온도	3	0	0.0%
	저항성메모리	2	0	0.0%
계		29	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0