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Ni/CNT/SiO2 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터의 전기적 특성

이태섭 구상모 Lee, Taeseop Koo, Sang-Mo 2014년

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논문상세정보

- 저자 이태섭 구상모 Lee, Taeseop Koo, Sang-Mo
- 제어번호 101124066
- 학술지명 전기전자학회논문지
- 권호사항 Vol. 18 No. 4 [ 2014 ]
- 발행처 한국전기전자학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 620-624
- 언어 Korean
- 출판년도 2014
- 등재정보 KCI등재
- 판매처
- 주제어 4H-SiC C-V carbon nanotube high temperature MIScapacitor
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 275)

인용/피인용

Ni/CNT/SiO2 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터의 전 ...

' Ni/CNT/SiO2 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터의 전기적 특성' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	4h-sic c-v carbon nanotube high temperature miscapacitor
279	1	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	4h-sic	54	0	0.0%
	c-v	1	0	0.0%
	carbon nanotube	139	0	0.0%
	high temperature	85	0	0.0%
	miscapacitor	1	0	0.0%
계		280	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			1