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Dry Etching Properties of HfAlO₃ Thin Film with Addition O₂ gas Using a High Density Plasma

Woo, Jong-Chang Lee, Yong-Bong Kim, Jeong-Ho 2014년

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논문상세정보

- 저자 Woo, Jong-Chang Lee, Yong-Bong Kim, Jeong-Ho
- 제어번호 101056569
- 학술지명 Transactions on Electrical and Electronic Materials
- 권호사항 Vol. 15 No. 3 [ 2014 ]
- 발행처 The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
- 발행처 URL http://www.kieeme.or.kr
- 자료유형 학술저널
- 수록면 164-169
- 언어 English
- 출판년도 2014
- 등재정보 KCI등재
- 판매처
- 주제어 $HfAlO_3$ AES etch ICP XPS
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 196)

인용/피인용

Dry Etching Properties of HfAlO₃

' Dry Etching Properties of HfAlO₃ Thin Film with Addition O₂ gas Using a High Density Plasma' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	$hfalo_3$ aes etch icp xps
201	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	$hfalo_3$	1	0	0.0%
	aes	67	0	0.0%
	etch	4	0	0.0%
	icp	35	0	0.0%
	xps	94	0	0.0%
계		201	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0