연구동향 분석

고이동도 산화물 반도체 박막 트랜지스터 구현을 위한 구동전류 향상

장경수 김태용 강승민 이소진 이윤정 이준신 Jang, Kyungsoo Raja, Jayapal Kim, Taeyong Kang, Seungmin Lee, Sojin Nguyen, Thi Cam Phu Than, Thuy Trinh Lee, Youn-Jung Yi, Junsin 2015년

논문상세정보
인용/피인용
' 고이동도 산화물 반도체 박막 트랜지스터 구현을 위한 구동전류 향상' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • flexible
  • high mobility
  • next-generation displays
  • oxide semiconductor
  • thin-film transistor
  • transparent
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
177 0

0.0%

' 고이동도 산화물 반도체 박막 트랜지스터 구현을 위한 구동전류 향상' 의 참고문헌

  • Vacuum 85 : 904 ~
  • Transparent electronics
    J. Wagner Springer [2008]
  • Transparent Oxide Electronics: From Materials to Devices
    R. Martins John Wiley and Sons [2012]
  • Thin Solid Films 520 : 3769 ~
    S. Lee [2012]
  • Thin Solid Films 520 : 3764 ~
    S. Lee [2012]
  • Thin Solid Films 519 : 1573 ~
    W. Kim [2010]
  • Thin Solid Films 518 : 3017 ~
    Y. Kikuchi [2010]
  • Thin Solid Films 518 : 1309 ~
    A. Sato [2009]
  • Thin Solid Films 517 : 6337 ~
    J. Jo [2009]
  • Superlattice. Microst 48 : 198 ~
    L. Zhang [2010]
  • Solid State Commun 146 : 387 ~
    L. Zhang [2008]
  • Science 300 : 1245 ~
  • Sci. Technol. Adv. Mater 11 : 044305 ~
    T. Kamiya [2010]
  • RCS Advances 4 : 29300 ~
    T. Pan [2014]
  • Phys. Status Solidi A 207 : 1815 ~
    L. Zhang [2010]
  • Nature 432 : 488 ~
    K. Nomura [2004]
  • Microelectron. Reliab 52 : 1346 ~
    M. Kim [2012]
  • Mater. Manuf. Process 30 : 175 ~
    M. Surabi [2015]
  • Jpn. J. Appl. Phys. 54 : 04DF03 ~
    Z. Chen [2015]
  • Jpn. J. Appl. Phys. 53 : 04EF07 ~
    Y. Tian [2014]
  • Jpn. J. Appl. Phys. 51 : 03CB01 ~
    S. Tomai [2012]
  • Jpn. J. Appl. Phys 52 : 100209 ~
    S. Park [2013]
  • Jpn. J. Appl. Phys 48 : 010203 ~
    K. Takechi [2009]
  • J. Soc. Inf. Display 20 : 156 ~
    T. Arai [2012]
  • J. Soc. Inf. Display 19 : 867 ~
    E. Fukumoto [2011]
  • J. Non-Cryst. Solids 352 : 851 ~
    H. Hosono [2006]
  • J. Mater. Chem 22 : 23120 ~
    K. Kim [2012]
  • J. Electron. Mater 42 : 2459 ~
    Y. Chen [2013]
  • J. Electrochem. Soc. 157 : H598 ~
    L. Liang [2010]
  • J. Electrochem. Soc. 155 : E92-C ~
    J. Jeong [2008]
  • J. Electroceram 25 : 145 ~
    J. Park [2010]
  • J. Display Technol 11 : 248 ~
    T. Pan [2015]
  • J. Display Technol 10 : 875 ~
    H. Hsu [2014]
  • J. Appl. Phys. 101 : 123717 ~
    Dhananjay [2007]
  • J. Appl. Phys 116 : 194510 ~
    T. Pan [2014]
  • IEICE Trans. Electron. E92-C : 1340 ~
    D. Cho [2009]
  • IEEE Trans. Electron Dev. 60 : 3424 ~
  • IEEE Trans. Electron Dev 61 : 87 ~
    T. Pan [2014]
  • IEEE Trans. Electron Dev 60 : 2431 ~
    J. Cai [2013]
  • IEEE Trans. Electron Dev 58 : 1452 ~
    L. Lan [2011]
  • IEEE Trans. Electron Dev 55 : 954 ~
  • IEEE Trans. Electron Dev 55 : 2736 ~
    K. Remashan [2008]
  • IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab. 14 : 177 ~
    L. Qian [2014]
  • IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab 14 : 1056 ~
    L. Qian [2014]
  • IEEE Electron Dev. Lett. 35 : 841 ~
    L. Lu [2014]
  • IEEE Electron Dev. Lett. 32 : 1692 ~
    S. Yang [2011]
  • IEEE Electron Dev. Lett. 31 : 1245 ~
    C. Chiu [2010]
  • IEEE Electron Dev. Lett. 29 : 879 ~
    J. Park [2008]
  • IEEE Electron Dev. Lett 36 : 153 ~
    Y. Chen [2015]
  • IEEE Electron Dev. Lett 35 : 87 ~
    H. Hsu [2014]
  • IEEE Electron Dev. Lett 35 : 66 ~
    T. Pan [2014]
  • IEEE Electron Dev. Lett 35 : 1251 ~
    Y. Song [2014]
  • IEEE Electron Dev. Lett 35 : 1242 ~
    X. Li [2014]
  • IEEE Electron Dev. Lett 35 : 1028 ~
  • IEEE Electron Dev. Lett 34 : 768 ~
    H. Hsu [2013]
  • IEEE Electron Dev. Lett 34 : 1533 ~
  • IEEE Electron Dev. Lett 34 : 1151 ~
    K. Jang [2013]
  • IEEE Electron Dev. Lett 33 : 818 ~
    J. Park [2012]
  • IEEE Electron Dev. Lett 33 : 549 ~
    Z. Ye [2012]
  • IEEE Electron Dev. Lett 33 : 1103 ~
    C. Fuh [2014]
  • IEEE Electron Dev. Lett 32 : 758 ~
    D. Geng [2011]
  • IEEE Electron Dev. Lett 31 : 225 ~
    J. Lee [2010]
  • IEEE Electron Dev. Lett 31 : 144 ~
    S. Yang [2010]
  • IEEE Electron Dev. Lett 31 : 1128 ~
    S. Jeon [2010]
  • IEEE Electron Dev. Lett 30 : 1317 ~
    N. Su [2009]
  • ECS Solid State Lett. 1 : Q23 ~
    Y. Kim [2012]
  • Curr. Appl. Phys 14 : 52 ~
    G. Geng [2014]
  • Chin. Phys. B 23 : 026101 ~
    Y. Chen [2014]
  • Ceram. Int
  • Appl. Phys. Lett 93 : 203506 ~
    B. Ahn [2008]
  • Appl. Phys. Lett 91 : 183517 ~
    S. Lim [2007]
  • Appl. Phys. Lett 90 : 212114 ~
    M. Kim [2007]
  • Appl. Phys. Lett 106 : 023502 ~
    J. Jia [2015]
  • Appl. Phys. Lett 105 : 113509 ~
    G. Liu [2014]
  • Appl. Phys. Lett 102 : 222103 ~
    J. Kang [2013]
  • Adv. Mater 17 : 590 ~
  • ACS Appl. Mater. Interfaces 7 : 232 ~
    H. Liu [2015]
  • ACS Appl. Mater. Interfaces 6 : 20786 ~
    G. Huang [2014]
  • ACS Appl. Mater. Interfaces 6 : 11167 ~
    Y. Lee [2014]
  • ACS Appl. Mater. Interfaces 6 : 10941 ~
    C. Avis [2014]
  • ACS Appl. Mater. Interfaces 5 : 6990 ~
    J. Park [2013]
  • ACS Appl. Mater. Interfaces 5 : 12262 ~
    J. Park [2013]
  • ACS Appl. Mater. Interfaces 4 : 5416 ~
    H. Kim [2012]