연구동향 분석

고입력 내성을 위한 GaN HEMT 기반 S-대역 저잡음 증폭기

김홍희(Hong-Hee Kim) 김상훈(Sang-Hoon Kim) 최진주(Jin-Joo Choi) 최길웅(Gil-Wong Choi) 김형주(Hyoung-Joo Kim) 2015년

논문상세정보
인용/피인용
' 고입력 내성을 위한 GaN HEMT 기반 S-대역 저잡음 증폭기' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 전자공학
  • currentlimit
  • gan hemt
  • lna
  • robustness
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
2,428 1

0.0%

' 고입력 내성을 위한 GaN HEMT 기반 S-대역 저잡음 증폭기' 의 참고문헌

  • STmicroelectronics Datasheet, LM317 adjustable voltage regulators
  • Robust wideband LNA design
    Ulf Schmid Proceedings of the 9th European Microwave Integrated Circuits Conference : 186 ~ 189 [2014]
  • RFHIC Datasheet, This LNA family is a high gain, ultra low noise amplifier CL3102D-L
  • GaNbased RF power devices and amplifiers
    U. Mishra Proceedings of the IEEE 96 (2) : 287 ~ 305 [2008]
  • A novel analysis of a Ku-band planar P-I-N diode limiter
    Seong-Sik Yang IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 57 (6) : 1447 ~ 1460 [2009]