연구동향 분석

카드뮴 텔룰라이드 CMP 공정에서 산화제가 연마에 미치는 영향

신병철(Byeongcheol Shin) 이창석(Chang Suk Lee) 정해도(Haedo Jeong) 2015년

논문상세정보
인용/피인용
' 카드뮴 텔룰라이드 CMP 공정에서 산화제가 연마에 미치는 영향' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 정밀기계
  • cadmiumtelluride(카드뮴텔룰라이드)
  • chemicalmechanicalpolishing(화학적기계적연마)
  • hydrogenperoxide(과산화수소)
  • material removal rate(재료제거율)
  • surface roughness (표면 거칠기)
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
384 0

0.0%

' 카드뮴 텔룰라이드 CMP 공정에서 산화제가 연마에 미치는 영향' 의 참고문헌

  • 텅스텐 CMP에서 산화제 영향에 관한 연구
    박범영 전기전자재료학회논문지 18 (9) : 787 ~ 792 [2005]
  • X-ray Imaging with Semiconductor Films
    Shah, K. S. Proc. of SPIE's International Symposium on Optical Science, Engineering, and Instrumentation, International Society for Optics and Photonics : 102 ~ 113 [1998]
  • Physics for Diagnostic Radiology
    Dendy, P. P Taylor & Francis : 192 ~ 216 [1999]
  • Non Selective Metal Slurry for CMP and its CMP Method, KOR Patent, No. 2001-0035669
  • Effect of Hydrogen Peroxide for Removal Rate on Cadmium Telluride Chemical Mechanical Planarization
    Shin, B. C. International Conference on Planarization Technology : 188 ~ 191 [2013]
  • Effect of Additives for Higher Removal Rate in Lithium Niobate Chemical Mechanical Planarization
    Jeong, S. Applied Surface Science 256 (6) : 1683 ~ 1688 [2010]
  • Direct-conversion flat-panel x-ray image detectors
    Kasap, S. O Rowlands, J. A. IEE Proceedings-Circuits, Devices and Systems 149 (2) : 85 ~ 96 [2002]
  • Chemical-Mechanical Polishing of Interlayer Dielectric-A Review
    Ali, I. Solid State Technology 37 (10) [1994]
  • CMP 공정에서 마찰에너지가 연마결과에 미치는 영향
    이현섭 대한기계학회논문집 A 28 (11) : 1807 ~ 1812 [2004]
  • A Study on the Interfacial Characteristics and Its Effect on Material Removal in CMP
    Kim, H. J. Pusan National Univ. [2003]