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Epilayer Optimization of NPN SiGe HBT with n+ Buried Layer Compatible With Fully Depleted SOICMOS Technology

Prasanna Kumar Misra S. Qureshi 2014년

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논문상세정보

- 저자 Prasanna Kumar Misra S. Qureshi
- 제어번호 100163031
- 학술지명 Journal of semiconductor technology and science
- 권호사항 Vol. 14 No. 3 [ 2014 ]
- 발행처 대한전자공학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 274-283 ( 10쪽)
- 언어 English
- 출판년도 2014
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 숭실대학교 중앙도서관
- 판매처 누리미디어
- 주제어 Fullydepleted sentaurus SiGe HBT SOI
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 2,319)

인용/피인용

Epilayer Optimization of NPN SiGe HBT with ...

' Epilayer Optimization of NPN SiGe HBT with n+ Buried Layer Compatible With Fully Depleted SOICMOS Technology' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	전자공학 fullydepleted sentaurus sige hbt soi
2,319	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	전자공학	2,302	0	0.0%
주제어	fullydepleted	1	0	0.0%
	sentaurus	2	0	0.0%
	sige hbt	6	0	0.0%
	soi	13	0	0.0%
계		2,324	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0