연구동향 분석

FinFET 게이트 저항 압축 모델 개발 및 최적화

이순철(SoonCheol Lee) 권기원(Kee-Won Kwon) 김소영(SoYoung Kim) 2014년

논문상세정보
인용/피인용
' FinFET 게이트 저항 압축 모델 개발 및 최적화' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 전자공학
  • finfet
  • ring oscillator
  • 신호지연
  • 압축모델
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
2,312 0

0.0%

' FinFET 게이트 저항 압축 모델 개발 및 최적화' 의 참고문헌

  • 터널링 전계효과 트랜지스터의 고주파 파라미터 추출과 분석
    강인만 전자공학회논문지 - SD 49 (4) : 1 ~ 6 [2012]
  • Synopsys Sentaurus Device User Guide Ver.E
    [2010]
  • PSP 103.1 Reference Manual
    [2009]
  • On the feasibility of nanoscale triple gate CMOS transistors
    W. Yang IEEE Trans. Electron Devices 52 (6) : 1159 ~ 1164 [2005]
  • MOS Transistor modeling for RF IC Design
    C. Enz IEEE Trans. Solid-State Circuits 35 (2) : 186 ~ 201 [2000]
  • Intel Ivy Bridge Unveiled-The First Commercial Tri-Gate, High-k, Metal-Gate CPU
    Dick James IEEE. CICC [2012]
  • Impact of distributed gate resistance on the performance of MOS devices
    B. Razavi IEEE Trans. Circuit Syst 41 (11) : 750 ~ 754 [1994]
  • High Frequency Characterization of Gate Resistance in RF MOSFETs
    Y. Cheng IEEE Electron Devices. Letters 22 (2) : 98 ~ 100 [2001]
  • Comparative study of analog performance of multiple fin tri-gate FinFETs
    K. W. Lee International Conference on Electronics, Information and Communication [2012]
  • BSIM4v4.7 MOSFET Model User’s Manual
    [2011]
  • BSIM-CMG 107.0.0 Multi-Gate MOSFET Compact Model Technical Manual
    [2013]
  • 3D Device simulator를 사용한 공정과 Layout에 따른 FinFET 아날로그 특성 연구
    노석순 전자공학회논문지 50 (4) : 35 ~ 42 [2013]
  • 22-nm Fully-Depleted Tri-Gate CMOS Transistors
    Chris Auth IEEE. CICC [2012]