GaN HEMT Die를 이용한 Ku-대역 전력 증폭기 설계 및 제작

김상훈(Sang-Hoon Kim) 김보기(Bo-Ki Kim) 최진주(Jin-Joo Choi) 정병구(Byeoung-Koo Jeong) 태현식(Hyun-Sik Tae) 2014년

논문상세정보

인용/피인용

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	전자공학 ganhemtdie ku-band low-cost power amplifier
2,370	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	전자공학	2,302	0.0%
주제어	ganhemtdie	2	0.0%
	ku-band	12	0.0%
	low-cost	19	0.0%
	power amplifier	40	0.0%
계		2,375	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수

X- and Ku-band internally matched GaN amplifiers with more than 100 W output power
Hirano, Y. Koyanagi, M. Maehara, H. Nakayama, M. Nishihara, J. Noto, H. Otsuka, H. Uchida, H. Utsumi, H. Yamanaka, K. Microwave Integrated Circuits Conference(Eu-MIC) : 695 ~ 698 [2012]
Ku-band AlGaN/GaN HEMT with over 30W
Kashiwabara, Y. Kawasaki, H. Masuda, K. Matsushita, K. Onodera, K. Sakurai, H. Takada, Y. Takagi, K. Tsuda, K. Microwave Integrated Circuit Conference, 2007. EuMIC 2007. European : 169 ~ 172 [2007]
Gallium Nitride(GaN) Microwave transistor technology for radar applications
Aethercomm Microwave Journal 51 (1) : 106 ~ [2008]
A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30 % of PAE
Ge Qin Journal of Semiconductors 33 (1) [2012]
A 45% power added efficiency, Ku-band 60 W GaN power amplifier
K. Yamauchi IEEE MTTS International Microwave Symposium Digest : 1 ~ 4 [2011]