연구동향 분석

Interface engineering for high-performance ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 capacitors = 계면 기술을 이용한 고성능 Hf0.5Zr0.5O2 강유전체 캐패시터 개발

김범용 2022년

논문상세정보
인용/피인용
' Interface engineering for high-performance ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 capacitors = 계면 기술을 이용한 고성능 Hf0.5Zr0.5O2 강유전체 캐패시터 개발' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 기술과 연합작용
  • Ferroelectric
  • HfON
  • TiN
  • Zr doped HfO2
  • barrier
  • electrode
  • endurance
  • grain size
  • interfacial layer
  • nitrogen doping
  • oxidation
  • oxygen vacancy
  • polarization
  • ru
  • ruo2
  • sacrificial
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
1,166 0

0.0%

' Interface engineering for high-performance ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 capacitors = 계면 기술을 이용한 고성능 Hf0.5Zr0.5O2 강유전체 캐패시터 개발' 의 참고문헌

  • [9] S. Starschich, D. Griesche, T. Schneller, R. Waser, U. Böttger, Appl. Phys. Lett., 104, 202903 (2014).
    [2014]
  • [9] N. B. Gong and T. P. Ma, IEEE Electron Device Letters 37 (9), 1123-1126 (2016).
    [2016]
  • [9] M. Takahashi, S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., 44, L800 (2005).
    [2005]
  • [9] K. D. Kim, M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, Y. H. Lee, S. D. Hyun, T. Gwon, C. S. Hwang, J. Mater. Chem. C 4, 6864 (2016).
    [2016]
  • [9] D. D. Fong , G. B. Stephenson , S. K. Streiffer , J. A. Eastman , O. Auciello , P. H. Fuoss, C. Thompson, Science 2004, 304 , 1650.
    [2004]
  • [8] T. S. Böscke, J. Müller, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, Appl. Phys. Lett., 99, 102903 (2011).
    [2011]
  • [8] S. Jachalke, T. Schenk, M. H. Park, U. Schroeder, T. Mikolajick, H. Stöcker, E. Mehner, D. C. Meyer, Appl. Phys. Lett. 2018, 112, 142901.
    [2018]
  • [8] M. H. Park, H. J. Kim, G. Lee, J. Park, Y. H. Lee, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, S. D. Hyun, H. W. Park, H. J. Chang, J. –H. Choi, C. S. Hwang, Appl. Phys. Rev. 6, 041403 (2019)
    [2019]
  • [8] J. Y. Park, K. Yang, D. H. Lee, S. H. Kim, Y. Lee, P. R. S. Reddy, J. L. Jones and M. H. Park, Journal of Applied Physics 128 (24), 240904 (2020).
    [2020]
  • [8] C. R. Bowen, H. A. Kim, P. M. Weaver, S. Dunn, Energy Environ. Sci., 7, 25 (2014).
    [2014]
  • [7] W. Weinreich, A. Shariq, K. Seidel, J. Sundqvist, A. Paskaleva, M. Lemberger and A. J. Bauer, Journal of Vacuum Science & Technology B 31 (1), 01A109 (2013).
    [2013]
  • [7] P. Polakowski, S. Riedel, W. Weinreich, M. Rudolf, J. Sundqvist, K. Seidel, J. Müller, in Proc. IEEE 6th International Memory Workshop 1 (2014).
    [2014]
  • [7] M. Hoffmann, U. Schroeder, C. Künneth, A. Kersch, S. Starschich, U. Böttger, T. Mikolajick, Nano Energy 2015, 18, 154.
    [2015]
  • [7] M. H. Park, Y. H. Lee, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, J. Muller, A. Kersch, U. Schroeder, T. Mikolajick, C. S. Hwang, Adv. Mater. 11, 1181 (2015)
    [2015]
  • [7] B. Neese, B. Chu, S.-G. Lu, Y. Wang, E. Furman, Q. M. Zhang, Science, 321, 821 (2008).
    [2008]
  • [6] M. Pešić, S. Knebel, K. Cho, C. Jung, J. Chang, H. Lim, N. Kolomiiets, V. V. Afanas’ev, T. Mikolajick and U. Schroeder, Solid-State Electronics 115, 133- 139 (2016).
    [2016]
  • [6] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Nano Energy 2015 12, 131.
    [2015]
  • [6] G. Catalan and J. F. Scott, Adv. Mater. 21, 2463 (2009).
    [2009]
  • [6] A. S. Mischenko, Q. Zhang, J. F. Scott, R. W. Whatmore, N. D. Mathur, Science, 311, 1270 (2006).
    [2006]
  • [6] A. G. Chernikova, M. G. Kozodaev, D. V. Negrov, E. V. Korostylev, M. H. Park, U. Schroeder, C. S. Hwang, A. M. Markeev, ACS Appl. Mater. Interfaces 10, 2701 (2018).
    [2018]
  • [63] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Phys. Status Solidi RRL, 8, 857 (2014).
    [2014]
  • [62] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, Y. H. Lee, S. D. Hyun, C. S. Hwang, J. Mater. Chem. C., 3, 6291 (2015).
    [2015]
  • [61] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Nanoenergy, 12, 131 (2015).
    [2015]
  • [60] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Adv. Energy Mater., 4, 1400610 (2014).
    [2014]
  • [5] R. W. Whatmore, J. Electroceram., 13, 139 (2004).
    [2004]
  • [5] M. Pešić, S. Knebel, M. Hoffmann, C. Richter, T. Mikolajick, U. Schroeder, in IEEE International Electron Devices Meeting 2017, 11.6.1.
    [2017]
  • [5] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Jeon, T. Moon and C. S. Hwang, Physica Status Solidi-Rapid Research Letters 8 (6), 532-535 (2014).
    [2014]
  • [5] M. G. Kozodaev, A. G. Chernikova, E. V. Korostylev, M. H. Park, R. R. Khakimov, C. S. Hwang, A. M. Markeev, J. Appl. Phys. 125, 034101 (2019).
    [2019]
  • [5] G. A. Smolenskii, I. Chupis, Sov. Phys. Usp. 25, 475 (1982).
    [1982]
  • [59] C. S. Hwang, Atomic Layer Deposition for Semiconductors, Springer US, New York, (2013).
    [2013]
  • [58] W. Hamouda, A. Pancotti, C. Lubin, L. Tortech, C. Richter, T. Mikolajick, U. Schroeder, N. Barrett, J. Appl. Phys. 2020, 127, 064105.
    [2020]
  • [58] S. Mueller, J. Müller, U. Schroeder, T. Mikolajick, IEEE T. Mater. Re., 13, 93 (2013).
    [2013]
  • [57] H. J. Kim, M. H. Park, Y. J. Kim, Y. H. Lee, T. Moon, K. D. Kim, S. D. Hyun, C. S. Hwang, Nanoscale 2016, 8, 1383.
    [2016]
  • [57] D. Martin, J. Mueller, T. Schenk, T. M. Arruda , A. Kumar , E. Strelcov, E. Yurchuk, S. Mueller, D. Pohl, U. Schroeder, S. V. Kalinin, T. Mikolajick, Adv. Mater., 26, 8198 (2014).
    [2014]
  • [56] K. J. Choi, J. H. Kim, S. G. Yoon, J. Vac. Sci. Technol. B 2004, 22, 1755.
    [2004]
  • [56] J. A. Speer, B. J. Cooper, American Mineralogist, 67, 804 (1982).
    [1982]
  • [55] M. Liu, Q. Fang, G. He, L. Q. Zhu, L. D. Zhang, Appl. Surf. Sci. 2006, 252, 8673.
    [2006]
  • [55] L. Zhao, M. Nelson, H. Aldridge, T. Iamsasri, C. M. Fancher, J. S. Forrester, T. Nishida, S. Moghaddam, J. L. Jones, J. Appl. Phys., 115, 034104 (2014).
    [2014]
  • [54] J. C. Slater, J. Chem. Phys. 41, 3199 (1964).
    [1964]
  • [54] C. S. Kang, H. –J. Cho, R. Choi, Y. –H. Kim, C. Y. Kang, S. J. Rhee, C. Choi, M. S. Akbar, J. C. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 2004, 51, 220.
    [2004]
  • [53] S. Migita, H. Ota, K. Shibuya, H. Yamada, A. Sawa, T. Matsukawa, A. Toriumi, Jpn. J. Appl. Phys. 2019, Part 1 58, SBBA07.
    [2019]
  • [53] C.-K. Lee, E. Cho, H.-S. Lee, C. S. Hwang, and S. Han, Phys. Rev. B, 78, 012102 (2008).
    [2008]
  • [52] Y. H. Lee, S. D. Hyun, H. J. Kim, J. S. Kim, C. Yoo, T. Moon, K. D. Kim, H. Park, Y. B. Lee, B. S. Kim, J. Roh, M. H. Park, C. S. Hwang, Adv. Electron. Mater. 2019, 5, 1800436.
    [2019]
  • [52] I. K. Yoo, S. B. Desu, Phys. Status. Solidi A, 133, 565 (1992).
    [1992]
  • [51] J. F. Scott, M. Dawber, Appl. Phys. Lett., 76, 3801 (2000).
    [2000]
  • [51] A. G. Chernikova, M. G. Kozodaev, D. V. Negrov, E. V. Korostylev, M. H. Park, U. Schroeder, C. S. Hwang, A. M. Markeev, ACS Appl. Mater. Interfaces 2018, 10, 2701.
    [2018]
  • [50] M. Hoffmann, U. Schroeder, T. Schenk, C. Adelmann, M. Popovici, T. Mikolajick, Unpublished. ISAF 2014 conference proceeding; J. Appl. Phys., special edition (2015)
    [2015]
  • [50] M. G. Kozodaev, A. G. Chernikova, E. V. Korostylev, M. H. Park, R. R. Khakimov, C. S. Hwang, A. M. Markeev, J. Appl. Phys. 2019, 125, 034101.
    [2019]
  • [4] S. J. Kim, D. Narayan, J. G. Lee, J. Mohan, J. S. Lee, J. Lee, H. S. Kim, Y. C. Byun, A. T. Lucero, C. D. Young, S. R. Summerfelt, T. San, L. Colombo and J. Kim, Applied Physics Letters 111 (24), 242901 (2017).
    [2017]
  • [4] M. Hoffmann, U. Schroeder, T. Schenk, T. Shimizu, H. Funakubo, O. Sakata, D. Pohl, M. Drescher, C. Adelmann, R. Materlik, A. Kersch, T. Mikolajick, J. Appl. Phys. 118, 072006 (2015).
    [2015]
  • [4] J. Müller, E. Yurchuk, T. Schlösser, J. Paul, R. Hoffmann, S. Müller, D. Martin, S. Slesazeck, P. Polakowski, J. Sundqvist, M. Czernohorsky, K. Seidel, P. Kücher, R. Boschke, M. Trentzsch, K. Gebauer, U. Schröder, T. Mikolajick, in Symp. on VLSI Technology Digest of Technical Papers 2012, 25.
  • [4] J. F. Scott, Ferroelectric Memories, Springer-Verlag, Berlin, Germany 2000.
    [2000]
  • [4] E. K. H. Salje, Phase Transitions in Ferroelastic and Co-elastic Crystals (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1990).
    [1990]
  • [49] P. D. Lomenzo, P. Zhao, Q. Takmeel, S. Moghaddam, T. Nishida, M. Nelson, C. M. Fancher, E. D. Grimley, X. Sang, J. M. LeBeau, J. L. Jones, J. Vac. Sci. Technol. B, 32, 03D123 (2014).
    [2014]
  • [49] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, Y. H. Lee, T. Moon, K. D. Kim, S. D. Hyun, F. Fengler, U. Schroeder, C. S. Hwang, ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8, 15466.
    [2016]
  • [48] P. D. Lomenzo, Q. Takmeel, C. Zhou, C.-C. Chung, S. Moghaddam, J. L. Jones, T. Nishida, Appl. Phys. Lett. 2015, 107, 242903.
    [2015]
  • [48] J. Müller, T. S. Böscke, Y. Yurchuk, P. Polakowski, J. Paul, D. Martin, T. Schenk, K. Khullar, A. Kersch, W. Weinreich, S. Riedel, K. Seidel, A. Kumar, T. M. Arruda, S. V. Kalinin, T. Schlosser, R. Boschke, R. van Bentum, U. Schröder, T. Mikolajick, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 10.8.1 (2013).
  • [47] T. Schenk, S. Mueller, U. Schroeder, R. Materlik, A. Kersch, M. Popovici, C. Adelmann, S. V. Elshocht, T. Mikolajick, Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 260 (2013).
    [2013]
  • [47] S. Mueller, J. Muller, R. Hoffmann, E. Yurchuk, T. Schlosser, R. Boschke, J. Paul, M. Goldbach, T. Herrmann, A. Zaka, U. Schroder, T. Mikolajick, IEEE Trans. Electron Devices 2013, 60, 4199.
    [2013]
  • [46] S. Mueller, J. Muller, U. Schroeder, T. Mikolajick, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 2013, 13, 93.
    [2013]
  • [46] P. Polakowski, S. Riedel, W. Weinreich, M. Rudolf, J. Sundqvist, K. Seidel, J. Müller, IEEE 6th International Memory Workshop (IMW), 1 (2014).
    [2014]
  • [45] T. Olsen, U. Schröder, S. Müller, A. Krause, D. Martin, A. Singh, J. Müller, M. Geidel, T. Mikolajick, Appl. Phys. Lett., 101, 082905 (2012).
    [2012]
  • [45] S. Mueller, S.R. Summerfelt, J. Muller, U. Schroeder, T. Mikolajick, IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 1300.
    [2012]
  • [44] U. Schroeder, E. Yurchuk, J. Müller, D. Martin, T. Schenk, P. Polakowski, C. Adelmann, M. I. Popovici, S.V. Kalinin, T. Mikolajick, Jpn. J. Appl. Phys. 2014, 53, 08LE02.
    [2014]
  • [44] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 105, 072902 (2014).
    [2014]
  • [43] P. Polakowski, J. Mueller, Appl. Phys. Lett. 2015, 106, 232905.
    [2015]
  • [43] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Jeon, T. Moon, and C. S. Hwang, Phys. Status Solidi RRL, 8, 532 (2014).
    [2014]
  • [42] K. D. Kim, M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, Y. H. Lee, S. D. Hyun, T. Gwon, C. S. Hwang, J. Mater. Chem. C 2016, 4, 6864.
    [2016]
  • [42] J. Müller, T. S. Böscke, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, J. Sundqvist, P. Kücher, T. Mikolajick, L. Frey, Appl. Phys. Lett., 99, 112901 (2012).
    [2012]
  • [41] D. Zhou, J. Xu, Q. Lu, Y. Guan, F. Cao, X. Dong, J. Müller, T. Schenk, U. Schröder, Appl. Phys. Lett., 103, 192904 (2013).
    [2013]
  • [41] D. Nečas, P. Klapetek, Cent. Eur. J. Phys. 2012, 10, 181.
    [2012]
  • [40] M. H. Park, Y. H. Lee, T. Mikolajick, U. Schroeder, C. S. Hwang, Adv. Electron. Mater. 2019, 5, 1800522.
    [2019]
  • [40] D. Zhou, J. Müller, J. Xu, S. Knebel, D. Bräuhaus, U. Schröder, Appl. Phys. Lett., 100, 082905 (2012).
    [2012]
  • [3] M. Pešić, S. Knebel, M. Hoffmann, C. Richter, T. Mikolajick, U. Schroeder, in IEEE International Electron Devices Meeting, 11.6.1 (2017).
    [2017]
  • [3] M. H. Park, Y. H. Lee, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. Do Kim, J. Mueller, A. Kersch, U. Schroeder, T. Mikolajick and C. S. Hwang, Advanced Materials 27 (11), 1811-1831 (2015).
    [2015]
  • [3] M. E. Lines, A. M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials, Oxford University Press, New York, USA 2001.
    [2001]
  • [3] C. S. Hwang, Adv. Electron. Mater. 2015, 1, 1400056.
    [2015]
  • [3] C. A. P. de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature 374, 627 (1995).
    [1995]
  • [39] U. Schroeder, E. Yurchuk, J. Müller, D. Martin, T. Schenk, P. Polakowski, C. Adelmann, M. I. Popovici, S. V. Kalinin, T. Mikolajick, Jpn. J. Appl. Phys., 53, 08LE02 (2014).
    [2014]
  • [39] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, T. Moon, C.S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 242905.
    [2013]
  • [38] M. H. Park, Ph. D thesis, Seoul National University (Seoul, Korea), Feb., (2014).
    [2014]
  • [38] D. Coster, R. De L. Kronig, Physica 1935, 2, 13.
    [1935]
  • [37] XPS interpretation of titanium, https://xpssimplified.com/elements/titanium.php, accessed: April, 2021.
  • [37] W. D. Nix, B. M. Clemens, J. Mater. Res., 14, 3467 (1999).
    [1999]
  • [37] M. H. Park, Y. H. Lee, T. Mikolajick, U. Schroeder, and C. S. Hwang, MRS Commun. 8(3), 795–808 (2018).
    [2018]
  • [36] M. Shandalov, P. C. Mclntyre, J. Appl. Phys., 106, 084322 (2009).
    [2009]
  • [36] M. C. Biesinger, L. W.M. Lau, A. R. Gersonb, R. St.C. Smart, Appl. Surf. Sci. 2010, 257, 887.
    [2010]
  • [36] C. Künneth, R. Materlik, M. Falkowski and A. Kersch, ACS Appl. Nano Mater. 1(1), 254–264 (2018).
    [2018]
  • [35] S. E. Reyes-Lillo, K. F. Garrity, K. M. Rabe, arXiv:cond-mat/1403.3878, (2014).
    [2014]
  • [35] M. Hoffmann, U. Schroeder, T. Schenk, T. Shimizu, H. Funakubo, O. Sakata, D. Pohl, M. Drescher, C. Adelmann, R. Materlik, A. Kersch and T. Mikolajick, J. Appl. Phys. 118(7), 072006, (2015).
    [2015]
  • [35] D. Jaeger, J. Patscheider, J. Electron Spectrosc. Related Phenom. 2012, 185, 523.
    [2012]
  • [34] Y. Zhou, Y. K. Zhang, Q. Yang, J. Jiang, P. Fan, M. Liao, and Y. C. Zhou, Comput. Mater. Sci. 167, 143–150 (2019).
    [2019]
  • [34] M. Oku, H. Matsuta, K. Wagatsuma, Y. Waseda, S. Kohiki, J. Electron Spectrosc. Related Phenom. 1999, 105, 211.
    [1999]
  • [34] C. S. Hwang, Atomic Layer Deposition for Semiconductors, Springer, New York, USA (2013).
    [2013]
  • [34] C. J. Howard, E. H. Kisi, O. Ohtaka, J. Am. Ceram. Soc., 74, 2321 (1991).
    [1991]
  • [33] T. Schenk, S. Mueller, U. Schroeder, R. Materlik, A. Kersch, M. Popovici, C. Adelmann, S. V. Elshocht, T. Mikolajick, in Proc. Eur. Solid-State Device Res.Conf. 260 (2013).
    [2013]
  • [33] P. Simoncic A. Navrosky, J. Mater. Res., 22, 876 (2007).
    [2007]
  • [33] M. Materano, T. Mittmann, P. D. Lomenzo, C. Zhou, J. L. Jones, M. Falkowski, A. Kersch, T. Mikolajick and U. Schroeder, ACS Appl. Electron. Mater. 2(11), 3618–3626 (2020).
    [2020]
  • [33] L. Yuan, G. Fang, C. Li, M. Wang, N. Liu, L. Ai, Y. Cheng, H. Gao, X. Zhao, Appl. Surf. Sci. 2007, 253, 8538.
    [2007]
  • [32] T.P. Smirnova, L.V. Yakovkina, V.N. Kitchai, V.V. Kaichev, Yu.V. Shubin, N.B. Morozova, K.V. Zherikova, Journal of Physics and Chemistry of Solids 69, 685–687 (2008).
    [2008]
  • [32] S. Mueller, C. Adelmann, A. Singh, S. V. Elshocht, U. Schroeder, T. Mikolajick, ECS J. Solid St. Sci. 1, N123 (2012).
    [2012]
  • [32] Q. Zhou, J. Zhai, AIP Adv. 2013, 3, 032102.
    [2013]
  • [32] J. E. Jaffe, R. A. Bachorz, M. Gutowski, Phys. Rev. B, 72, 144107 (2005).
    [2005]
  • [31] T. Tojo, T. Atake, T. Mori, H. Yamamura, J. Chem. Thermodyn., 31, 831 (1999).
    [1999]
  • [31] P. Polakowski, S. Riedel, W. Weinreich, M. Rudolf, J. Sundqvist, K. Seidel, J. Müller, in Proc. IEEE 6th International Memory Workshop 1 (2014).
    [2014]
  • [31] J. Müller, U. Schröder, T. S. Böscke, I. Müller, U. Böttger, L. Wilde, J. Sundqvist, M. Lemberger, P. Kücher, T. Mikolajick, L. Frey, J. Appl. Phys. 110, 114113 (2011).
    [2011]
  • [31] H. –J. Cho, C. S. Kang, K. Onishi, S. Gopalan, R. Nieh, R. Choi, E. Dharmarajan, J. C. Lee, in Electron Devices Meeting IEDM Tech. Digest. 2001, 30.2.1.
    [2001]
  • [30] S. Mueller, J. Mueller, A. Singh, S. Riedel, J. Sundqvist, U. Schroeder, T. Mikolajick, Adv. Funct. Mater. 22, 2412 (2012).
    [2012]
  • [30] M. V. Nevitt, Y. Fang, S. K. Chan, J. Am. Ceram. Soc., 73, 2502 (1990).
    [1990]
  • [30] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 105, 072902 (2014).
    [2014]
  • [30] C. S. Kang, H. –J. Cho, K. Onishi, R. Nieh, R. Choi, S. Gopalan, S. Krishnan, J. H. Han, J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 30.
    [2002]
  • [2] M. H. Park, Y. H. Lee, T. Mikolajick, U. Schroeder, C. S. Hwang, MRS Commun. 2018, 8, 795.
    [2018]
  • [2] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, H. K. Kim and C. S. Hwang, Applied Physics Letters 102 (11), 112914 (2013).
    [2013]
  • [2] J. Valasek, Phys. Rev., 17, 475 (1921).
  • [2] J. Müller, E. Yurchuk, T. Schlösser, J. Paul, R. Hoffmann, S. Müller, D. Martin, S. Slesazeck, P. Polakowski, J. Sundqvist, M. Czernohorsky, K. Seidel, P. Kücher, R. Boschke, M. Trentzsch, K. Gebauer, U. Schröder, T. Mikolajick, in Symp. on VLSI Technology Digest of Technical Papers 25 (2012).
  • [2] J. F. Scott and C. A. P. de Araujo, Science 246, 1400 (1989).
    [1989]
  • [29] S. Starschich, D. Griesche, T. Schneller, R. Waser, U. Böttger, Appl. Phys. Lett. 104, 202903 (2014).
    [2014]
  • [29] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Jeon, T. Moon, C. S. Hwang, Phys. Status Solidi RRL 8, 532 (2014).
    [2014]
  • [29] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Adv. Energy Mater. 2014, 4, 1400610.
    [2014]
  • [29] J. E. Lowther, J. K. Dewhurst, J. M. Leger, J. Haines, Phys. Rev. B, 60, 14485 (1999).
    [1999]
  • [28] W. Weinreich, A. Shariq, K. Seidel, J. Sundqvist, A. Paskaleva, M. Lemberger, A. J. Bauer, J. Vac. Sci. Technol. B 2013, 31, 01A109.
    [2013]
  • [28] T. Olsen, U. Schröder, S. Müller, A. Krause, D. Martin, A. Singh, J. Müller, M. Geidel, T. Mikolajick, Appl. Phys. Lett. 101, 082905 (2012).
    [2012]
  • [28] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 104, 072901 (2014).
    [2014]
  • [28] A. Gruverman, O. Kolosov, J. Hatano, K. Takahashi, H. Tokumoto, J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 1095 (1995).
    [1995]
  • [27] R. Materlik, A. Kersch, C. Künneth, J. Appl. Phys., 117, 134109 (2015).
    [2015]
  • [27] M. Pešić, S. Knebel, K. Cho, C. Jung, J. Chang, H. Lim, N. Kolomiiets, V. V. Afanas’ev, T. Mikolajick, U. Schroeder, Solid-State Electron. 2016, 115, 133.
    [2016]
  • [27] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, T. Moon , C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 102, 242905 (2013).
    [2013]
  • [27] J. Müller, U. Schröder, T. S. Böscke, I. Müller, U. Böttger, L. Wilde, J. Sundqvist, M. Lemberger, P. Kücher, T. Mikolajick, L. Frey, J. Appl. Phys. 110, 114113 (2011).
    [2011]
  • [26] S. K. Kim, C. S. Hwang, Electrochem. Solid St., 11, G9 (2008).
    [2008]
  • [26] M. H. Park, Y. H. Lee, C. S. Hwang, Nanoscale 2019, 11, 19477.
    [2019]
  • [26] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 105, 072902 (2014).
    [2014]
  • [26] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, H. K. Kim, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 102, 112914 (2013).
    [2013]
  • [25]. M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Jeon, T. Moon, C. S. Hwang, Phys. Status Solidi RRL 8, 532 (2014).
    [2014]
  • [25] M. H. Park, Y. H. Lee, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Mikolajick, U. Schroeder, C. S. Hwang, Nanoscale 2018, 10, 716.
    [2018]
  • [25] J. Müller, T. S. Böscke, U. Schröder, S. Mueller, D. Bräuhaus, U. Böttger , L. Frey, T. Mikolajick, Nano Lett. 12 , 4318 (2012).
    [2012]
  • [25] D. Y. Cho, H. S. Jung, I. H. Yu, J. H. Yoon, H. K. Kim, S. Y. Lee, S. H. Jeon, S. W. Han, J. H. Kim, T. J. Park, B. G. Park, C. S. Hwang, Chem. Mater., 24, 3534 (2012).
    [2012]
  • [24] M. Shandalov, P. C. Mclntyre, J. Appl. Phys., 106, 084322 (2009).
    [2009]
  • [24] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 104, 072901 (2014).
    [2014]
  • [24] M. H. Park, H. J. Kim, G. Lee, J. Park, Y. H. Lee, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, S. D. Hyun, H. W. Park, H. J. Chang, J. –H. Choi, C. S. Hwang, Appl. Phys. Rev. 2019, 6, 041403.
    [2019]
  • [24] J. Müller, T. S. Böscke, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, J. Sundqvist, P. Kücher, T. Mikolajick, L. Frey, Appl. Phys. Lett. 99 , 112901 (2012).
    [2012]
  • [23] Y. Goh, .S. H. Cho, S. -H. Ko Park, and S. Jeon, Nanoscale 12, 9024 (2020).
    [2020]
  • [23] M. W. Pitcher, S. V. Ushakov, A. Navrotsky, B. F. Woodfield, G. Li, J. Boerio-Goates, J. Am. Ceram. Soc., 88, 160 (2005).
    [2005]
  • [23] M. Hoffmann, U. Schroeder, T. Schenk, T. Shimizu, H. Funakubo, O. Sakata, D. Pohl, M. Drescher, C. Adelmann, R. Materlik, A. Kersch, T. Mikolajick, J. Appl. Phys. 2015, 118, 072006.
    [2015]
  • [23] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, T. Moon, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 102, 242905 (2013).
    [2013]
  • [22] R. Materlik, C. Künneth, A. Kersch, J. Appl. Phys. 2015, 117, 134109.
    [2015]
  • [22] R. C. Garvie, J. Phys. Chem., 82, 218 (1978).
    [1978]
  • [22] M. Hoffmann, U. Schroeder, T. Schenk, T. Shimizu, H. Funakubo, O. Sakata, D. Pohl, M. Drescher, C. Adelmann, R. Materlik, A. Kersch and T. Mikolajick, Journal of Applied Physics 118 (7), 072006 (2015).
    [2015]
  • [22] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, H. K. Kim, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 102, 112914 (2013).
    [2013]
  • [22] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Jeon, T. Moon, and C. S. Hwang, Phys. Status Solidi RRL 8, No. 6 (2014).
    [2014]
  • [21] S. Liu and B. M. Hanrahan, Physical Review Materials 3 (5), 054404 (2019).
    [2019]
  • [21] R. C. Garvie, J. Phys. Chem., 69, 1238 (1965).
    [1965]
  • [21] J. Si and S. B. Desu, J. Mater. Res. 8(10), 2644–2648 (1993).
    [1993]
  • [21] J. Müller, T. S. Böscke, Y. Yurchuk, P. Polakowski, J. Paul, D. Martin, T. Schenk, K. Khullar, A. Kersch, W. Weinreich, S. Riedel, K. Seidel, A. Kumar, T. M. Arruda, S. V. Kalinin, T. Schlosser, R. Boschke, R. van Bentum, U. Schröder, T. Mikolajick in IEEE International Electron Devices Meeting 2013, 10.8.1.
  • [21] J. Müller, T. S. Böscke, U. Schröder, S. Mueller, D. Bräuhaus, U. Böttger, L. Frey, T. Mikolajick, Nano Lett. 12, 4318 (2012).
    [2012]
  • [20] X. Xu, F.-T. Huang, Y. Qi, S. Singh, K. M. Rabe, D. Obeysekera, J. Yang, M.-W. Chu and S.-W. Cheong, Nature Materials 20 (6), 826-832 (2021).
  • [20] T. Schenk, S. Mueller, U. Schroeder, R. Materlik, A. Kersch, M. Popovici, C. Adelmann, S. V. Elshocht, T. Mikolajick, in Proc. Eur. Solid-State Device Res. Conf. 2013, 260.
    [2013]
  • [20] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 104, 072901 (2014).
    [2014]
  • [20] J. Müller, T. S. Böscke, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, J. Sundqvist, P. Kücher, T. Mikolajick, L. Frey, Appl. Phys. Lett. 99, 112901 (2012).
    [2012]
  • [20] J. H. Kim, D. S. Kil, S. J. Yeom, J. S. Roh, N. J. Kwak and J. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 91(5), 052908 (2007).
    [2007]
  • [1] T. S. Böscke, J. Müller, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 102903.
    [2011]
  • [1] T. S. Boescke, J. Muller, D. Brauhaus, U. Schroder and U. Bottger, Applied Physics Letters 99 (10), 102903 (2011).
    [2011]
  • [1] M. E. Lines and A. M. Glass, “Principles and applications of ferroelectrics and related materials”, Oxford, New York, USA (1977).
    [1977]
  • [1] J. Valasek, Phys. Rev., 15, 527 (1920).
    [1920]
  • [1] C. S. Hwang, Adv. Electron. Mater. 1, 1400056 (2015).
    [2015]
  • [19] S. Mueller, C. Adelmann, A. Singh, S. V. Elshocht, U. Schroeder, T. Mikolajick, ECS J. Solid St. Sci. 2012, 1, N123.
    [2012]
  • [19] R. Cao, B. Song, D. Shang, Y. Yang, Q. Luo, S. Wu, Y. Li, Y. Wang, H. Lv, Q. Liu, and M. Liu, IEEE Electron Device Lett., 40, 11, (2019).
    [2019]
  • [19] P. D. Lomenzo, P. Zhao, Q. Takmeel, S. Moghaddam, T. Nishida, M. Nelson, C. M. Fancher, E. D. Grimley, X. Sang, J. M. LeBeau, J. L. Jones, J. Vac. Sci. Technol. B 32, 03D123 (2014).
    [2014]
  • [19] M. H. Park, Y. H. Lee and C. S. Hwang, Nanoscale 11 (41), 19477-19487 (2019).
    [2019]
  • [19] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, H. K. Kim, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 102, 112914 (2013).
    [2013]
  • [18] P. Polakowski, S. Riedel, W. Weinreich, M. Rudolf, J. Sundqvist, K. Seidel, J. Müller, in Proc. IEEE 6th International Memory Workshop 2014, 1.
    [2014]
  • [18] M. H. Park, Y. H. Lee, T. Mikolajick, U. Schroeder and C. S. Hwang, Advanced Electronic Materials 5 (3), 1800522 (2019).
    [2019]
  • [18] E. Yurchuk, J. Müller, S. Knebel, J. Sundqvist, A. P. Graham, T. Melde, U. Schröder, T. Mikolajick, Thin Solid Films 533, 88 (2013).
    [2013]
  • [18] A. Chernikova, M. Kozodaev, R. Khakimov, S. Polyakov, and A. Markeev, Appl. Phys. Lett. 117, 192902 (2020).
    [2020]
  • [17] S. Mueller, J. Mueller, A. Singh, S. Riedel, J. Sundqvist, U. Schroeder, T. Mikolajick, Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 2412.
    [2012]
  • [17] M. Hoffmann, T. Schenk, I. Kulemanov, C. Adelmann, M. Popovici, U. Schroeder, T. Mikolajick, Ferroelectrics, 480, 16 (2015).
    [2015]
  • [17] L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita and A. Toriumi, Applied Physics Express 9 (9), 091501 (2016).
    [2016]
  • [17] H. Ryu, K. Xu, J. Kim, S. Kang, J. Guo, and W. Zhu, IIEEE Trans Electron Devices IEEE T ELECTRON DEV. 66, 5 (2019).
    [2019]
  • [17] D. Zhou, J. Xu, Q. Lu, Y. Guan, F. Cao, X. Dong, J. Müller, T. Schenk, U. Schröder, Appl. Phys. Lett. 103, 192904 (2013).
    [2013]
  • [16] S. Starschich, D. Griesche, T. Schneller, R. Waser, U. Böttger, Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 202903.
    [2014]
  • [16] R. Cao, Y. Wang, S. Zhao, Y. Yang, X. Zhao, W. Wang, X. Zhang, H. Lv, Q. Liu, and M. Liu, IEEE Electron Device Lett. 39, 8 (2018).
    [2018]
  • [16] J. Muller, T. S. Boscke, U. Schroder, S. Mueller, D. Brauhaus, U. Bottger, L. Frey and T. Mikolajick, Nano letters 12 (8), 4318-4323 (2012).
    [2012]
  • [16] D. Zhou, J. Müller, J. Xu, S. Knebel, D. Bräuhaus, U. Schröder, Appl. Phys.Lett. 100, 082905 (2012).
    [2012]
  • [16] C. Richter, T. Schenk, U. Schroeder, T. Mikolajick, Baltic ALD conference, Helsinki, 2014
    [2014]
  • [15] T. S. Böscke, St. Teichert, D. Bräuhaus, J. Müller, U. Schröder, U. Böttger, T. Mikolajick , Appl. Phys. Lett. 99, 112904 (2011).
    [2011]
  • [15] T. Olsen, U. Schröder, S. Müller, A. Krause, D. Martin, A. Singh, J. Müller, M. Geidel, T. Mikolajick, Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 082905.
    [2012]
  • [15] P. D. Lomenzo, Q. Takmeel, C. Zhou, C.-C. Chung, S. Moghaddam, J. L. Jones, T. Nishida, Appl. Phys. Lett. 107, 242903 (2015).
    [2015]
  • [15] J. Müller, U. Schröder, T. Böscke, I. Müller, U. Böttger, L. Wilde, J. Sundqvist, M. Lemberger, P. Kücher and T. Mikolajick, Journal of Applied Physics 110 (11), 114113 (2011).
    [2011]
  • [14] U. Schroeder, E. Yurchuk, J. Müller , D. Martin , T. Schenk , P. Polakowski, C. Adelmann, M. I. Popovici, S. V. Kalinin, T. Mikolajick, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 08LE02 (2014).
    [2014]
  • [14] S. Mueller, J. Muller, R. Hoffmann, E. Yurchuk, T. Schlosser, R. Boschke, J. Paul, M. Goldbach, T. Herrmann, A. Zaka, U. Schroder, T. Mikolajick, IEEE Trans. Electron Devices 60, 4199 (2013).
    [2013]
  • [14] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, T. Moon, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 102, 242905 (2013).
    [2013]
  • [14] J. Müller, U. Schröder, T. S. Böscke, I. Müller, U. Böttger, L. Wilde, J. Sundqvist, M. Lemberger, P. Kücher, T. Mikolajick, L. Frey, J. Appl. Phys. 2011, 110, 114113.
    [2011]
  • [14] E. D. Grimley, T. Schenk, X. Sang, M. Pešić, U. Schroeder, T. Mikolajick and J. M. LeBeau, Advanced Electronic Materials 2 (9), 1600173 (2016).
    [2016]
  • [13] T. S. Böscke, J. Mülle , D. Bräuhau , U. Schröder, U. Böttge , Appl. Phys. Lett. 99, 102903 (2011).
    [2011]
  • [13] S. Mueller, J. Muller, U. Schroeder, T. Mikolajick, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 13, 93 (2013).
    [2013]
  • [13] S. Mueller, C. Adelmann, A. Singh, S. V. Elshocht, U. Schroeder, T. Mikolajick, ECS J. Solid St. Sci., 1, N123 (2012).
    [2012]
  • [13] M. Pešić, F. P. G. Fengler, L. Larcher, A. Padovani, T. Schenk, E. D. Grimley, X. Sang, J. M. LeBeau, S. Slesazeck and U. Schroeder, Advanced Functional Materials 26 (25), 4601-4612 (2016).
    [2016]
  • [13] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2014, 105, 072902.
    [2014]
  • [12] S. Mueller, S.R. Summerfelt, J. Muller, U. Schroeder, T. Mikolajick, IEEE Electron Device Lett. 33, 1300 (2012).
    [2012]
  • [12] N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox, S. Gevorgian, S. Hong, A. Kingon, H. Kohlstedt, N. Y. Park, G. B. Stephenson, I. Stolitchnov, A. K. Taganstev, D. V. Taylor, T. Yamada, S. Streiffer, J. Appl. Phys., 100, 051606 (2006).
    [2006]
  • [12] M. H. Park, Y. H. Lee, H. J. Kim, T. Schenk, W. Lee, K. Do Kim, F. P. Fengler, T. Mikolajick, U. Schroeder and C. S. Hwang, Nanoscale 9 (28), 9973- 9986 (2017).
    [2017]
  • [12] M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Jeon, T. Moon, C. S. Hwang, Phys. Status Solidi RRL 2014, 8, 532.
    [2014]
  • [12] J. Müller, U. Schröder, T. S. Böscke, I. Müller, U. Böttger, L. Wilde, J. Sundqvist, M. Lemberger, P. Kücher, T. Mikolajick, L. Frey, J. Appl. Phys., 110, 114113. (2011)
    [2011]
  • [11] U. Schroeder, E. Yurchuk, J. Müller, D. Martin, T. Schenk, P. Polakowski, C. Adelmann, M. I. Popovici, S.V. Kalinin, T. Mikolajick, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 08LE02 (2014).
    [2014]
  • [11] M. H. Park , H. J. Kim , Y. J. Kim , T. Moon , C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 072901.
    [2014]
  • [11] J. Müller, T. S. Böscke, U. Schröder, S. Mueller, D. Bräuhaus, U. Böttger, L. Frey, T. Mikolajick, Nano Lett., 12, 4318 (2012).
    [2012]
  • [11] D. S. Jeong, R. Thomas, R. S. Katiyar, J. F. Scott, H. Kohlstedt, A. Petraru, C. S. Hwang, Rep. Prog. Phys., 75, 076502 (2012).
    [2012]
  • [11] D. Nečas and P. Klapetek, Open Physics 10 (1), 181-188 (2012).
    [2012]
  • [10] T. Yamaguchi, M. Koyama, A. Takashima, S. Takagi, Jpn. J. Phys. Lett., 39, 2058 (2000).
    [2000]
  • [10] S. Mueller, J. Mueller, A. Singh, S. Riedel, J. Sundqvist, U. Schroeder, T. Mikolajick, Adv. Funct. Mater., 22, 2412 (2012).
    [2012]
  • [10] S. K. Streiffer, J. A. Eastman, D. D. Fong, Carol Thompson, A. Munkholm, M. V. Ramana Murty, O. Auciello, G. R. Bai, G. B. Stephenson, Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 067601.
    [2002]
  • [10] P. Polakowski, J. Mueller, Appl. Phys. Lett. 106, 232905 (2015).
    [2015]
  • [10] B. Y. Kim, H. W. Park, S. D. Hyun, Y. B. Lee, S. H. Lee, M. Oh, S. K. Ryoo, I. S. Lee, S. Byun and D. Shim, Advanced Electronic Materials, 2100042 (2021).