연구동향 분석

Modified atomic layer deposition processes of the Ru electrode thin films for next generation DRAM capacitor = 차세대 DRAM 커패시터를 위한 Ru 전극막의 수정된 ALD 공정 연구

권대선 2021년

논문상세정보
인용/피인용
' Modified atomic layer deposition processes of the Ru electrode thin films for next generation DRAM capacitor = 차세대 DRAM 커패시터를 위한 Ru 전극막의 수정된 ALD 공정 연구' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 기술과 연합작용
  • (Al-doped) TiO2
  • Atomic layer deposition
  • Bilayer electrode
  • DRAM capacitor
  • Discrete feeding method
  • Electrode and dielectric materials
  • NH3 treatment
  • NH3 처리
  • TiN
  • ru
  • ruo2
  • surface morphology
  • 디램 커패시터
  • 원자층 증착법
  • 유전막
  • 이중전극막
  • 전극막
  • 표면상태
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
903 0

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