Atomic Layer Deposition Based 2-D Tin Sulfides Synthesis Technique for Emerging Devices = 차세대 전자소자를 위한 원자층 증착법 기반 2차원 황화주석 박막 형성 기술

백인환 2021년
' Atomic Layer Deposition Based 2-D Tin Sulfides Synthesis Technique for Emerging Devices = 차세대 전자소자를 위한 원자층 증착법 기반 2차원 황화주석 박막 형성 기술' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 기술과 연합작용
  • 2d material
  • Cation Regulated Transformation
  • SnS
  • SnS2 Functional Group Modulation
  • ald
  • cation-regulated transformation
  • gas sensor
  • inverter
  • metal chalcogenide
  • semiconductor fabrication process
  • sns2
  • thin film chracterization
  • transistor
  • 가스 센서
  • 메탈 칼코게나이드
  • 원자층 증착법
  • 이차원 물질
  • 저온 공정
  • 트랜지스터
  • 황화주석
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
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