인기 연구 키워드 :
인기 활용 키워드 :

3족-질화물 반도체 나노구조를 이용한 무극성 발광다이오드의 제작

엄대영 2021년

활용도
공유도
영향력

논문상세정보

- 저자 엄대영
- 기타서명 Fabrication of Nonpolar LEDs using III-nitride Semiconductor Nanostructure
- 형태사항 삽화, 도표: x, 158 p.: 26 cm
- 일반주기 전북대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다, 지도교수: 이철로, 참고문헌 : p. 17-21, 37-41, 71-74, 101-104, 120-124, 141-146
- 학위논문사항 전북대학교 일반대학원, 학위논문(박사)-, 전자정보재료공학과, 2021. 2
- 발행지 전주
- 언어 eng
- 출판년 2021
- 발행사항 전북대학교 일반대학원
- 주제어 3족 질화물 III-nitride Nonpolar multi-quantum well Quantum Pyramid Tunnel junction LED Nanowire 나노와이어 무극성 다중양자 우물 발광다이오드 양자 피라미드 터널 접합
- 참고문헌( 258)
유사주제 논문( 588)

인용/피인용

' 3족-질화물 반도체 나노구조를 이용한 무극성 발광다이오드의 제작' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	3족 질화물 III-nitride Nonpolar multi-quantum well Quantum Pyramid Tunnel junction led nanowire 나노와이어 무극성 다중양자 우물 발광다이오드 양자 피라미드 터널 접합
598	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 논문영향력
주제어	3족 질화물	2	0.0%
	III-nitride	6	0.0%
	Nonpolar multi-quantum well	1	0.0%
	Quantum Pyramid	1	0.0%
	Tunnel junction	2	0.0%
	led	443	0.0%
	nanowire	60	0.0%
	나노와이어	12	0.0%
	무극성 다중양자 우물	1	0.0%
	발광다이오드	70	0.0%
	양자 피라미드	1	0.0%
	터널 접합	1	0.0%
계		600	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수

' 3족-질화물 반도체 나노구조를 이용한 무극성 발광다이오드의 제작' 의 참고문헌

gue ? s , P.
Lekhal , K.Damilano , B.Ngo , H.Rosales , D.De Mierry , P.Hussain , S.Gil Appl . Phys . Lett.106 , 142101 [2015]
and A. P. H. J. Schenning
F. J. M. HoebenP. JonkheijmE. W. Meijer Chem . Rev.105 , 1491 [2005]
[9] Wang, G. T.; Talin, A. A.; Werder, D. J.; Creighton, J. R.; Lai, E.; Anderson, R. J.; Arslan, I., Nanotechnology, 17, 5773, 2006.
Wang , G. T.Talin , A . A.Werder , D. J.Creighton , J. R.Lai , E.Anderson , R. J.Arslan , I. Nanotechnology17 , 5773 [2006]
[9] S. Zhou, H. Hu, X. Liu, M. Liu, X. Ding, C. Gui, S. Liu, L. J. Guo, Jpn. J. Appl. Phys., 56, 111001, 2017.
S. ZhouH. HuX. LiuM. LiuX. DingC. GuiS. LiuL. J. Guo Jpn . J. Appl . Phys.56 , 111001 [2017]
[9] Khaled M. Chahrour, NaserM.Ahmed, M.R. Hashim, NezarG.Elfadill, Ahmad M. Al-Diabat, M. Bououdina, JPCS., 87, 1-8, 2015.
Khaled M. ChahrourNaserM.AhmedM.R . HashimNezarG.ElfadillAhmad M. Al-DiabatM. Bououdina JPCS.87 , 1-8 [2015]
[9] F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature, 386, 351–359, 1997.
F. A. PonceD. P. Bour Nature386 , 351 ? 359 [1997]
[8] Y.-B. Tang, X.-H. Bo, C.-S. Lee, H.-T. Cong, H.-M. Cheng, Z.-H. Chen, W.-J. Zhang, I. Bello, S.-T. Lee, Adv. Funct. Mater., 18, 3515-3522, 2008.
Y.-B . TangX.-H. BoC.-S. LeeH.-T. CongH.-M. ChengZ.-H. ChenW.-J . ZhangI. BelloS.-T. Lee Adv . Funct . Mater.18 , 3515-3522 [2008]
[8] M. A. Reed, J. N. Randall, R. J. Aggarwal, R. J. Matyi, T. M. Moore, A. E. Wetsel, Phys. Rev. Lett., 60, 535, 1988.
M. A. ReedJ. N. RandallR. J. AggarwalR. J. MatyiT. M. MooreA. E. Wetsel Phys . Rev . Lett.60 , 535 [1988]
[8] Krishnamoorthy, S.; Akyol, F.; Park, P. S.; Rajan, S., Appl. Phys. Lett., 102, 113503, 2013.
Krishnamoorthy , S.Akyol , F.Park , P. S.Rajan , S. Appl . Phys . Lett.102 , 113503 [2013]
[8] J. Hartmann, F. Steib, H. Zhou, J. Ledig, L. Nicolai, S. Fundling, T. Schimpke, A. Avramescu, T. Varghese, A. Trampert, M. Straßburg, H.-J. Lugauer, H.-H. Wehmann, A. Waag, J. Cryst. Growth, 476, 90, 2017.
J. HartmannF. SteibH. ZhouJ. LedigL. NicolaiS. FundlingT. SchimpkeA. AvramescuT. VargheseA. TrampertM. StraßburgH.-J . LugauerH.-H. WehmannA. WaagJ. Cryst 476 , 90 [Growth2017]
[7] R. Wang, X. Liu, I. Shih, Z. Mi, Appl. Phys. Lett., 106, 261104, 2015.
R. WangX. LiuI. ShihZ. Mi Appl . Phys . Lett.106 , 261104 [2015]
[7] Jeon, S.-R.; Song, Y.-H.; Jang, H.-J.; Yang, G. M.; Hwang, S. W.; Son, S. J., Appl. Phys. Lett., 78, 3265−3267, 2001.
Jeon , S.-R.Song , Y.-H.Jang , H.-J .Yang , G. M.Hwang , S. W.SonS. J.Appl . Phys Lett.78 , 3265 ? 3267 [2001]
[7] G. Kaczmarczyk et al., Appl. Phys. Lett., 76, 2122, 2000.
G. Kaczmarczyk et al. Appl . Phys . Lett.76 , 2122 [2000]
[6] V. Y. Davydov et al. Phys. Stat. Sol. B, 216, 779, 1999.
V. Y. Davydov Phys . Stat . Sol . B216 , 779 [1999]
[6] Q. Q. Jiao, Z. Z. Chen, J. Ma, S. Y. Wang, Y. Li, S. Jiang, Y. L. Feng, J. Z. Li, Y. F. Chen, T. J. Yu, S. F. Wang, G. Y. Zhang, P. F. Tian, E. Y. Xie, Z. Gong, E. D. Gu, M. D. Dawson, Opt. Express, 23, 16565, 2015.
[ 6Q. Q., Z .Chen ,Ma ,Y. Wang ,Li , S. JiangY. L. FengJ . Z., Y. F., T. J., S. F., G. Y., P.Tian , E.Xie , Z. , E. D., M. D. [,]
[6] Kaga, M.; Morita, T.; Kuwano, Y.; Yamashita, K.; Yagi, K.; Iwaya, M.; Takeuchi, T.; Kamiyama, S.; Akasaki, I., Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JH06, 2013.
Kaga , M.Morita , T.Kuwano , Y.Yamashita , K.Yagi , K.Iwaya , M.Takeuchi , T.Kamiyama , S.Akasaki , I. J. Appl . Phys.52 , 08JH06 [2013]
[5] S. Kang, U. Chatterjee, D.-Y. Um, Y.-T. Yu, I.-S. Seo, C.-R. Lee, ACS Photonics, 4, 2595, 2017.
S. KangU. ChatterjeeD.-Y . UmY.-T. YuI.-S. SeoC.-R. Lee ACS Photonics4 , 2595 [2017]
[5] O. Lagerstedt and B. Monemar, Phys. Rev. B, 19, 3064, 1979.
O. LagerstedtB. Monemar Phys . Rev . B19 , 3064 [1979]
[54] A. K. Wanekaya, M. A. Bangar, M. Yun, W. Chen, N. V. Myung, and A. Mulchandani, J. Phys. Chem. C, 111, 5218, 2007.
A. K. WanekayaM. A. BangarM. YunW. ChenN. V. MyungA. MulchandaniJ. Phys Chem . C111 , 5218 [2007]
[53] B. S. Ong, Y. Wu, P. Liu, and S. Gardner, Adv. Mater., 17, 1141, 2007.
B. S. OngY. WuP. LiuS. Gardner Adv . Mater.17 , 1141 [2007]
[52] T. Nguyen, R. Martel, P. Avouris, M. L. Bushey, L. Brus, and C. Nuckolls, J. Am. Chem. Soc., 126, 5234, 2004.
T. NguyenR. MartelP. AvourisM. L. BusheyL. BrusC. Nuckolls J . Am . Chem . Soc.126 , 5234 [2004]
[51] R. J. Tseng, J. Huang, J. Ouyang, R. B. Kaner, and Y. Yang, Nano Lett., 5, 1077, 2005.
R. J. TsengJ. HuangJ. OuyangR. B. KanerY. Yang Nano Lett.5 , 1077 [2005]
[50] D. O'Carroll, I. Lieberwirth, and G. Redmond, Nat. Nanotechnol., 2, 180, 2007.
D. O'CarrollI. LieberwirthG. Redmond Nat . Nanotechnol.2 , 180 [2007]
[4] Z. Zhong, F. Qian, D. Wang, C. M. Lieber, Nano Lett., 3, 343- 346, 2003.
Z. ZhongF. QianD. WangC. M. Lieber Nano Lett.3 , 343- 346 [2003]
[4] W. I. Park, G. C. Yi, M. Y. Kim, and S. J. Pennycook, Adv. Mater., 15, 526, 2003.
W. I . ParkG. C. YiM. Y. KimS. J. Pennycook Adv . Mater.15 , 526 [2003]
[4] F. Ghasemi, S. Razi, Optik, 124, 859, 2013.
F. GhasemiS. Razi Optik124 , 859 [2013]
[49] S. Berson, R. D. Bettignies, S. Bailly, and S. Guillerez, Adv. Funct. Mater., 17, 1377, 2007.
S. BersonR. D. BettigniesS. BaillyS. Guillerez Adv . Funct . Mater.17 , 1377 [2007]
[49] H. K. Cho, J. Y. Lee, C. S. Kim, G. M. Yang, N. Sahrma, and C. Humphreys, J. Crystal Growth, 231, 466, 2001.
H. K. ChoJ. Y. LeeC. S. KimG. M. YangN. SahrmaC. Humphreys J . Crystal Growth231 , 466 [2001]
[48] J. Bai, T. Wang, Y. Izumi, and S. Sakai, J. Cryst. Growth, 223, 61, 2001.
J. BaiT. WangY. IzumiS. SakaiJ. Cryst 223 , 61 [Growth2001]
[48] G. A. O'Brien, A. J. Quinn, D. A. Tanner, and G. Redmond, Adv. Mater., 18, 2379, 2006.
G. A. O'BrienA. J. QuinnD. A. TannerG. Redmond Adv . Mater.18 , 2379 [2006]
[47] Zhang, Y.; Krishnamoorthy, S.; Akyol, F.; Allerman, A. A.; Moseley, M. W.; Armstrong, A. M.; Rajan, S., Appl. Phys. Lett., 109, 121102, 2016.
Zhang , Y.Krishnamoorthy , S.Akyol , F.Allerman , A . A.Moseley , M. W.ArmstrongA. M.Rajan , S. Appl . Phys . Lett.109 , 121102 [2016]
[47] Q. Tang, L. Li, Y. Song, Y. Liu, H. Li, W. Xu, Y. Liu, W. Hu, and D. Zhu, Adv. Mater., 19, 2624, 2007.
Q. TangL. LiY . SongY. LiuH. LiW. XuY. LiuW. HuD. Zhu Adv . Mater.19 , 2624 [2007]
[47] D. J. Kim, Y. T. Moon, K. M. Song, C. J. Choi, Y. W. Ok, T. Y. Seong, and S. J. Park, J. Cryst. Growth, 221, 368, 2000.
D. J. KimY. T. MoonK. M. SongC. J. ChoiY. W. OkT. Y. SeongS. J . Park J. Cryst . Growth221 , 368 [2000]
[46] Takeuchi, T.; Sota, S.; Katsuragawa, M.; Komori, M.; Takeuchi, H.; Amano, H.; Akasaki, I., Jpn. J. Appl. Phys., 36, L382, 1997.
Takeuchi , T.Sota , S.Katsuragawa , M.Komori , M.Takeuchi , H.Amano , H.Akasaki , I. Jpn . J. Appl . Phys.36 , L382 [1997]
[46] S. C. Hernandez, D. Chaudhuri, W. Chen, N. V. Myung, and A. Mulchandani, Electroanalysis, 19, 2125, 2007.
S. C. HernandezD. ChaudhuriW. ChenN. V. MyungA. Mulchandani Electroanalysis , 19 , 2125 [2007]
[46] A. Dadgar, J. Christen, T. Riemann, S. Richter, J. Bläsing, A. Diez, A. Krost, A. Alam, and M. Heuken, Appl. Phys. Lett., 78, 2211, 2001.
A. DadgarJ. ChristenT. RiemannS. RichterJ. BlA. DiezA. KrostA. AlamM. Heuken Appl . Phys . Lett.78 , 2211 [2001]
[45] Miller, D. A.; Chemla, D.; Damen, T.; Gossard, A.; Wiegmann, W.; Wood, T.; Burrus, C., Phys. Rev. Lett., 53, 2173, 1984.
Miller , D. A.Chemla , D.Damen , T.Gossard , A.Wiegmann , W.Wood , T.Burrus , C. Phys . Rev . Lett.53 , 2173 [1984]
[45] J. Huang, S. Virji, B. H. Weiller, and R. B. Kaner, J. Am. Chem. Soc., 125, 314, 2003.
J. HuangS. VirjiB. H. WeillerR. B. Kaner J . Am . Chem . Soc.125 , 314 [2003]
[45] A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken, and A. Krost, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 39, L1183, 2000.
A. DadgarJ. BlA. DiezA. AlamM. HeukenA. Krost Jpn . J. Appl . Phys. [2000]
[44] Woo, S. Y.; Gauquelin, N.; Nguyen, H. P.; Mi, Z.; Botton, G. A., Nanotechnology, 26, 344002, 2015.
Woo , S. Y.Gauquelin , N.Nguyen , H. P.Mi , Z.Botton , G. A. Nanotechnology26 , 344002 [2015]
[44] H. Ishikawa, G. Y. Zhao, N. Nakada, T. Eagwa, and T. Jimbo, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 492, 1999.
H. IshikawaG. Y. ZhaoN. NakadaT. EagwaT. Jimbo Jpn . J. Appl . Phys.38 , 492 [1999]
[44] A. N. Aleshin, Adv. Mater., 18, 17, 2006.
A. N. Aleshin Adv . Mater.18 , 17 [2006]
[42] T. J. Shin, H. Yang, M. Ling, J. Locklin, L. Yang, B. Lee, M. E. Roberts, A. B. Mallik, and Z. Bao, Chem. Mater., 19, 5882, 2007.
T. J. ShinH. YangM. LingJ. LocklinL. YangB. LeeM. E. RobertsA . B. MallikZ. Bao Chem . Mater.19 , 5882 [2007]
[42] S. Zamir, B. Meyler, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett., 78, 288, 2001.
S. ZamirB. MeylerJ. Salzman Appl . Phys . Lett.78 , 288 [2001]
[42] Ra, Y. H.; Rashid, R. T.; Liu, X.; Lee, J.; Mi, Z., Adv. Funct. Mater., 27, 1702364, 2017.
Ra , Y. H.Rashid , R. T.Liu , X.Lee , J.Mi , Z. Adv . Funct . Mater.27 , 1702364 [2017]
[41] S. Zamir, B. Meyler, E. Zolotoyabko, and J. Salzman, J. Cryst. Growth, 218, 181, 2000.
S. ZamirB. MeylerE. ZolotoyabkoJ. SalzmanJ. Cryst 218 , 181 [Growth2000]
[41] M. T. Lloyd, J. E. Anthony, and G. G. Malliaras, Materials Today, 10, (11) 34, 2007.
M. T. LloydJ. E. AnthonyG. G. Malliaras Materials Today10 , ( 11 ) 34 [2007]
[40] L. Rigutti, G. Jacopin, L. Largeau, E. Galopin, A. De Luna Bugallo, F. H. Julien, J. C. Harmand, F. Glas, M. Tchernycheva, Phys. Rev. B, 83, 155320, 2011.
L. RiguttiG. JacopinL. LargeauE. GalopinA . De Luna BugalloF. H. JulienJ. C. HarmandF. GlasM. Tchernycheva Phys . Rev . B83 , 155320 [2011]
[40] A. Osinsky, S. Gangopadhyay, J. W. Yang, R. Gaska, D. Kuksenkov, H. Temkin, and I. K. Shmagin, Appl. Phys. Lett., 72, 551, 1998
A. OsinskyS. GangopadhyayJ. W. YangR. GaskaD. KuksenkovH. TemkinI. K. Shmagin Appl . Phys . Lett.72 , 551 [1998]
[3] C. Himwas, M. D. Hertog, F. Donatini, L. S. Dang, L. Rapenne, E. Sarigiannidou, R. Songmuang, E. Monroy, Phys. Status Solidi C, 10, 285, 2013.
C. HimwasM. D. HertogF. DonatiniL. S. DangL. RapenneE. SarigiannidouR. SongmuangE. Monroy Phys . Status Solidi C10 , 285 [2013]
[3] A. M. Morales, C. M. Lieber, Science, 279, 208-211, 1997.
A. M. MoralesC. M. Lieber Science279 , 208-211 [1997]
[3] A. Kolmakov and M. Moskovits, Annual Reviews on Materials Research, 151, 2004.
A. KolmakovM. Moskovits Annual Reviews on Materials Research151 [2004]
[39] S. K. Kim, R. W. Day, J. F. Cahoon, T. J. Kempa, K. D. Song, H. G. Park, C. M. Lieber, Nano Lett., 12, 4971, 2012.
S. K. KimR. W. DayJ. F. CahoonT. J. KempaK. D. SongH. G. ParkC. M. Lieber Nano Lett.12 , 4971 [2012]
[39] S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett., 72, 415, 1998
S. GuhaN. A. Bojarczuk Appl . Phys . Lett.72 , 415 [1998]
[39] A. P. H. J. Schenning, and E. W. Meijer, Chem. Commun., 3245, 2005.
A. P. H. J. SchenningE. W. Meijer Chem . Commun. [32452005]
[38] M. Kouhi, Int. J. Mod. Phys. B, 31, 1750164, 2017.
M. KouhiInt . J. Mod Phys . B31 , 1750164 [2017]
[38] C. M. Lieber, MRS Bull., 28, 486, 2003.
C. M. LieberMRS Bull. 28 , 486 [2003]
[37] Yu, L.; Qiao, D.; Jia, L.; Lau, S.; Qi, Y.; Lau, K., Appl. Phys. Lett., 79, 4536−4538, 2001.
Yu , L.Qiao , D.Jia , L.Lau , S.Qi , Y.Lau , K.Appl . Phys Lett.79 , 4536 ? 4538 [2001]
[37] Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B, Gates, Y. Yin, F. Kim, and H. Yan, Adv. Mater., 15, 353, 2003.
Y. XiaP. YangY . SunY. WuB. MayersB , GatesY. YinF. KimH. Yan Adv . Mater.15 , 353 [2003]
[37] S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, J. Appl. Phys., 79, 2784, 1996.
S. ChichibuT. AzuhataT. SotaS. Nakamura J. Appl . Phys.79 , 2784 [1996]
[37] M. Nami, D. Feezell, J. Opt., 17, 025004, 2015.
M. NamiD. Feezell J . Opt.17 , 025004 [2015]
[36] Y.B. Tang, X.H. Bo, C.S. Lee, H.T. Cong, H.M. Cheng, Z.H. Chen, W.J. Zhang, I. Bello, S.T. Lee, Adv. Funct. Mater., 18, 3515–3522, 2008.
Y.B . TangX.H . BoC.S . LeeH.T . CongH.M. ChengZ.H . ChenW.J . ZhangI. BelloS.T . LeeAdv . Funct . Mater. 18 , 3515 ? 3522 [2008]
[36] W. Shan, T. Schmidt, X. H. Yang, J. J. song, and B. Goldenberg, J. Appl. Phys., 79, 3691, 1996.
W. ShanT. SchmidtX. H. YangJ. J. songB. Goldenberg J. Appl . Phys.79 , 3691 [1996]
[36] S. Zhou, C. Zheng, J. Lv, Y. Liu, S. Yuan, S. Liu, H. Ding, Appl. Surf. Sci., 366, 299, 2016.
S. ZhouC. ZhengJ. LvY. LiuS. YuanS. LiuH. Ding Appl . Surf . Sci.366 , 299 [2016]
[35] Jin-Joo Song et al. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2693, 86, 1996.
Jin-Joo SongProc . SPIE Int . Opt . Eng . 269386 [1996]
[34] P. Deb, H. Kim, V. Rawat, M. Oliver, S. Kim, M. Marshall, E. Stach, T. Sands, Nano Lett., 5, 1847, 2005.
P. DebH. KimV. RawatM. OliverS. KimM. MarshallE. StachT. Sands Nano Lett.5 , 1847 [2005]
[34] K. P. O'Donnell and X. Chen, Appl. Phys. Lett., 58, 2924–2926, 1991.
K. P. O'DonnellX. Chen Appl . Phys . Lett.58 , 2924 ? 2926 [1991]
[34] J. Hu, T. W. Odom, C. M. Lieber, Acc. Chem. Res., 32, 435, 1999.
J. HuT. W. OdomC. M. Lieber Acc . Chem . Res.32 , 435 [1999]
[33] Y.-H. Ra, R. Navamathavan, J.-H. Park, C.-R. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 2111-2117, 2013.
Y.-H. RaR. NavamathavanJ.-H. ParkC.-R. Lee ACS Appl . Mater . Interfaces5 , 2111-2117 [2013]
[33] S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1708, 1991.
S. NakamuraM. SenohT. Mukai Jpn . J. Appl . Phys.30 , L1708 [1991]
[33] S. N. Mohammad, Nano Lett., 8, 1532, 2008.
S. N. Mohammad Nano Lett.8 , 1532 [2008]
[33] L. W. Tu, C. L. Hsiao, T. W. Chi, I. Lo, K. Y. Heieh, Appl. Phys. Lett., 82, 1601, 2003.
L. W. TuC. L. HsiaoT. W. ChiI . LoK. Y. Heieh Appl . Phys . Lett.82 , 1601 [2003]
[33] Krishnamoorthy, S.; Akyol, F.; Rajan, S., Appl. Phys. Lett., 105, 141104, 2014.
Krishnamoorthy , S.Akyol , F.Rajan , S. Appl . Phys . Lett.105 , 141104 [2014]
[32] Y. Wu, P. Yang, J. Am. Chem. Soc., 123, 3165, 2001.
Y. WuP. YangJ . Am Chem . Soc.123 , 3165 [2001]
[32] K. W. Chang, J.J. Wu, J. Phys. Chem. B, 106, 7796-7799, 2002.
K. W. ChangJ.J. WuJ. Phys Chem . B106 , 7796-7799 [2002]
[32] I. Akasaki and H. Amano, J. electrochem. Soc. 14, 2266, 1994.
I. AkasakiH. Amano J. electrochem . Soc14 , 2266 [1994]
[32] H. M. Kim, Y. H. Cho, H. Lee, S. Kim, D. Y. Kim, T. W. Kang, K. S. Chung, Nano Lett., 4, 1059, 2004.
H. M. KimY. H. ChoH. LeeS. KimD. Y. KimT. W. KangK. S. Chung Nano Lett.4 , 1059 [2004]
[31] T. Egawa, B. A. B. A. Shuhaimi, J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 354008, 2010.
T. EgawaB . A . B . A. ShuhaimiJ. Phys D : Appl . Phys.43 , 354008 [2010]
[31] O. Brandt, C. Pfuller, C. Cheze, L. Geelhaar, H. Riecher, Phys. Rev. B. 81, 045302, 2010.
O. BrandtC. PfullerC. ChezeL. GeelhaarH. Riecher Phys . Rev . B .81 , 045302 [2010]
[31] Hersee, S. D.; Rishinaramangalam, A. K.; Fairchild, M. N.; Zhang, L.; Varangis, P., J. Mater. Res., 26, 2293−2298, 2011.
Hersee , S. D.Rishinaramangalam , A. K.Fairchild , M. N.Zhang , L.Varangis , P.J . Mater Res.26 , 2293 ? 2298 [2011]
[31] H. M. Kim, D. S. Kim, Y. S. Park, D. Y. Kim, T. W. Kang, K. S. Chung, Adv. Mater., 14, 991, 2002.
H. M. KimD. S. KimY. S. ParkD. Y. KimT. W. KangK. S. Chung Adv . Mater.14 , 991 [2002]
[31] H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., 28, L2112, 1989.
H. AmanoM. KitoK. HiramatsuI. Akasaki Jpn . J. Appl . Phys.28 , L2112 [1989]
[31] D.-Y. Um, A. Mandal, D.-S. Lee, J.-H. Park and C.-R. Lee, CrystEngComm, 18, 480, 2016
D.-Y . UmA. MandalD.-S. LeeJ.-H. ParkC.-R. Lee CrystEngComm18 , 480 [2016]
[30] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys., 31, L139, 1992.
S. NakamuraT. MukaiM. SenohN. Iwasa Jpn . J. Appl . Phys.31 , L139 [1992]
[30] Ooi, Y. K.; Zhang, J., AIP Adv., 5, No. 057168, 2015.
Ooi , Y. K.Zhang , J.AIP Adv. 5 , [2015]
[30] M. Tchernycheva, A. Messanvi, A. de Luna Bugallo, G. Jacopin, P. Lavenus, L. Rigutti, H. Zhang, Y. Halioua, F. H. Julien, J. Eymery, C. Durand, Nano Lett., 14, 3515, 2014.
M. TchernychevaA. MessanviA. de Luna BugalloG. JacopinP. LavenusL. RiguttiH. ZhangY. HaliouaF. H. JulienJ. EymeryC. Durand Nano Lett.14 , 3515 [2014]
[30] M. J. Ludowise, J. Appl. Phys., 58, R31–R55, 1985.
M. J. LudowiseJ. Appl . Phys. R31 ? R55 [1985]
[30] H. M. Kim, D. S. Kim, D. Y. Kim, T. W. Kang, Y. H. Cho, K. S. Chung, Appl. Phys. Lett., 81, 2193, 2002.
H. M. KimD. S. KimD. Y. KimT. W. KangY. H. ChoK. S. Chung Appl . Phys . Lett.81 , 2193 [2002]
[2] H. Hirayama, N. Maeda, S. Fujikawa, S. Toyoda, N. Kamata, Jpn. J. Appl. Phys, 53, 100209, 2014.
H. HirayamaN. MaedaS. FujikawaS. ToyodaN. Kamata J. Appl . Phys53 , 100209 [2014]
[2] F. A. Ponce, D. P. Bour, Nature, 386, 351–359, 1997.
F. A. PonceD. P. Bour Nature386 , 351 ? 359 [1997]
[29] S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1708, 1991.
S. NakamuraM. SenohT. Mukai Jpn . J. Appl . Phys.30 , L1708 [1991]
[29] S. D. Carnevale, T. F. Kent, P. J. Phillips, M. J. Mills, S. Rajan, R. C. Myers, Nano Lett., 12, 915, 2012.
S. D. CarnevaleT. F. KentP. J. PhillipsM. J . MillsS. RajanR. C. Myers Nano Lett.12 , 915 [2012]
[29] R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89–90, 1964.
R. S. WagnerW. C. EllisAppl . Phys Lett. , 4 , 89 ? 90 [1964]
[29] Nguyen, H. P.; Djavid, M.; Woo, S. Y.; Liu, X.; Wang, Q.; Botton, G. A.; Mi, Z., Proc. SPIE, 938307, 2015.
Nguyen , H. P.Djavid , M.Woo , S. Y.Liu , X.Wang , Q.Botton , G. A.Mi , Z.Proc . SPIE [9383072015]
[29] G. Cheng, A. Kolmakov, Y. Zhang, M. Moskovits, R. Munden, M. Reed, G. Wang, D. Moses, J. Zhang, Appl. Phys. Lett., 83, 1578, 2003.
G. ChengA. KolmakovY. ZhangM. MoskovitsR. MundenM. ReedG. WangD. MosesJ. Zhang Appl . Phys . Lett.83 , 1578 [2003]
[28] S. D. Carnevale, J. Yang, P. J. Phillips, M. J. Mills, R. C. Myers, Nano Lett., 11, 866, 2011.
S. D. CarnevaleJ. YangP. J. PhillipsM. J . MillsR. C. Myers Nano Lett.11 , 866 [2011]
[28] Ra, Y.-H.; Navamathavan, R.; Kang, S.; Lee, C.-R., J. Mater. Chem. C, 2, 2692−2701, 2014.
Ra , Y.-H.Navamathavan , R.Kang , S.Lee , C.-R.J . Mater Chem . C2 , 2692 ? 2701 [2014]
[28] R. J. Molnar, and T. D. Moustakas, Bull. Am. Phys. Soc. 38, 445, 1993.
R. J. MolnarT. D. Moustakas Bull . Am . Phys . Soc38 , 445 [1993]
[28] M. He, P. Zhou, S. N. Mohammad, G. L. Harris, J. B. Halpern, R. Jacobs, W. L. Sarney, L. Salamanca-Riba, J. Cryst. Growth, 231, 357, 2001.
M. HeP. ZhouS. N. MohammadG. L. HarrisJ . B. HalpernR. JacobsW. L. SarneyL. Salamanca-RibaJ. Cryst 231 , 357 [Growth2001]
[27] Z. Bi, D. Lindgren, J. Johansson, M. Ek, L. R. Wallenberg, A. Gustafsson, M. T. Borgstr¨om, B. J. Ohlsson, B. Monemar and L. Samuelson, Phys. Status Solidi C, 11, 421–424, 2014.
Z. BiD. LindgrenJ. JohanssonM. EkL. R. WallenbergA. GustafssonM. T. Borgstr¨omB. J. OhlssonB. MonemarL. Samuelson Phys . Status Solidi C11 , 421 ? 424 [2014]
[27] Y.-H. Ra, R. Navamathavan, J. H. Cha, K.Y. Song, H. C. Lim, J.-H. Park, D.W. Kim, C.-R. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 49, 045004, 2010.
Y.-H. RaR. NavamathavanJ. H. ChaK.Y . SongH. C. LimJ.-H. ParkD.W. KimC.-R. Lee Jpn . J. Appl . Phys.49 , 045004 [2010]
[27] M. Shahmohammadi, J. D. Ganiere, H. Zhang, R. Ciechonski, G. Vescovi, O. Kryliouk, M. Tchernycheva, G. Jacopin, Nano Lett., 16, 243, 2016.
M. ShahmohammadiJ. D. GaniereH. ZhangR. CiechonskiG. VescoviO. KrylioukM. TchernychevaG. Jacopin Nano Lett.16 , 243 [2016]
[27] I. Akasaki, H. Amano, J. Electrochem. Soc., 141, 2266, 1994.
I. AkasakiH. AmanoJ. Electrochem Soc.141 , 2266 [1994]
[27] G. Chen, L. Zhang, Y. Zhu, G. Fei, L. Li, C. Mo, Y. Mao, Appl. Phys. Lett., 75, 2455, 1999.
G. ChenL. ZhangY. ZhuG. FeiL. LiC. MoY. Mao Appl . Phys . Lett.75 , 2455 [1999]
[26] F. Qian, Y. Li, S. Gradecak, D. Wang, C. J. Barrelet, C. M. Lieber, Nano Lett., 4, 1975, 2004.
F. QianY. LiS. GradecakD. WangC. J. BarreletC. M. Lieber Nano Lett.4 [19752004]
[26] E. S. Jang, Y. H. Ra, Y. M. Lee, S. H. Yun, D.W. Kim, R. Navamathavan, J. S. Kim, I. H. Lee, C. R. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 48, 091001, 2009.
E. S. JangY. H. RaY. M. LeeS. H. YunD.W. KimR. NavamathavanJ. S. KimI. H. LeeC. R. Lee Jpn . J. Appl . Phys.48 , 091001 [2009]
[26] A. Berg, S. Yazdi, A. Nowzari, K. Storm, V. Jain, N. Vainorius, L. Samuelson, J. B. Wagner, M. T. Borgstrom, Nano Lett., 16, 656, 2016.
A. BergS. YazdiA. NowzariK. StormV. JainN. VainoriusL. SamuelsonJ . B. WagnerM. T. Borgstrom Nano Lett.16 , 656 [2016]
[25] Y.-H. Ra, R. Navamathavan, Y. Min Lee, D. Wook Kim, J. S. Kim, I.-H. Lee, C.-R. Lee, J. Cryst. Growth, 312, 770-774, 2010.
Y.-H. RaR. NavamathavanY. Min LeeD. Wook KimJ. S. KimI.-H. LeeC.-R. LeeJ. Cryst 312 , 770-774 [Growth2010]
[25] X. Duan, C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc., 122, 188, 2000.
X. DuanC. M. LieberJ . Am Chem . Soc.122 , 188 [2000]
[25] Wang, R.; Liu, X.; Shih, I.; Mi, Z., Appl. Phys. Lett., 106, 261104, 2015.
Wang , R.Liu , X.Shih , I.Mi , Z. Appl . Phys . Lett.106 , 261104 [2015]
[25] J. Burm. K. Chu, W. A. Davis, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and T. J. Eustis, Appl. Phys. Lett., 70, 464, 1997.
J. BurmK. ChuW. A. DavisW. J. SchaffL. F. EastmanT. J. Eustis Appl . Phys . Lett.70 , 464 [1997]
[25] H. P. Nguyen, M. Djavid, S. Y. Woo, X. Liu, A. T. Connie, S. Sadaf, Q. Wang, G. A. Botton, I. Shih, Z. Mi, Sci. Rep., 5, 7744, 2015.
H. P. NguyenM. DjavidS. Y . WooX. LiuA. T. ConnieS. SadafQ. WangG. A. BottonI. ShihZ. Mi Sci . Rep.5 , 7744 [2015]
[24] W. Han, S. Fan, Q. Li, Y. Hu, Science, 277, 1287, 1997.
W. HanS. FanQ. LiY. Hu Science , 277 , 1287 [1997]
[24] J.-H. Park, R. Navamathavan, Y. Bo Ra, Y.-Ho Ra, J. S. Kim, C.-R. Lee, J. Cryst. Growth, 319, 31-38, 2011.
J.-H. ParkR. NavamathavanY. Bo RaY.-Ho RaJ. S. KimC.-R. LeeJ. Cryst 319 , 31-38 [Growth2011]
[24] H. P. Nguyen, S. Zhang, A. T. Connie, M. G. Kibria, Q. Wang, I. Shih, Z. Mi, Nano Lett., 13, 5437, 2013.
H. P. NguyenS. ZhangA. T. ConnieM. G. KibriaQ. WangI. ShihZ. Mi Nano Lett.13 , 5437 [2013]
[24] H. Murakami, T. Asahi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 115, 648, 1991.
H. MurakamiT. AsahiH. AmanoK. HiramatsuN. SawakiI. AkasakiJ. Cryst 115 , 648 [Growth1991]
[24] Chesin, J.; Gradecak, S., J. Nanophotonics, 8, No. 083095, 2014.
Chesin , J.Gradecak , S.J. Nanophotonics 8 , [2014]
[23] Z. Liu, Y. Bando, and C. Tang, Chem. Phys. Lett., 372, 179, 2003.
Z. LiuY. BandoC. Tang Chem . Phys . Lett.372 , 179 [2003]
[23] U. Bockelmann and G. Bastard, Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys., 42, 8947–8951, 1990.
U. BockelmannG. Bastard B : Condens . Matter MaterPhys. , 42 , 8947 ? 8951 [1990]
[23] N. Kadena, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L468, 1996.
N. KadenaT. DetchprohmK. HiramatsuN. Sawaki Jpn . J. Appl . Phys.35 , L468 [1996]
[23] M. J. Ludowise, J. Appl. Phys., 58, R31-R55, 1985.
M. J. LudowiseJ. Appl Phys.58 , R31-R55 [1985]
[23] K. Kishino, S. Ishizawa, Nanotechnology, 26, 225602, 2015.
K. KishinoS. Ishizawa Nanotechnology26 , 225602 [2015]
[22] Zhao, S.; Liu, X.; Woo, S.; Kang, J.; Botton, G.; Mi, Z., Appl. Phys. Lett., 107, No. 043101, 2015.
Zhao , S.Liu , X.Woo , S.Kang , J.Botton , G.Mi , Z. Appl . Phys . Lett.107 , No . 043101 [2015]
[22] Y. Wang, L. Zhang, G. Meng, C. Liang, G. Wang, and S. Sun, Chem. Communi., 2632, 2001.
Y. WangL. ZhangG. MengC. LiangG. WangS. Sun Chem . Communi. [26322001]
[22] R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 1964, 4, 89-90.
R. S. WagnerW. C. Ellis Appl . Phys . Lett.1964 , 4 , 89-90
[22] L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett., 66(12), 1495, 1995.
L. B. RowlandK. DoverspikeD. K. Gaskill Appl . Phys . Lett.66 ( 12 ) , 1495 [1995]
[22] H. P. Nguyen, S. Zhang, K. Cui, X. Han, S. Fathololoumi, M. Couillard, G. A. Botton, Z. Mi, Nano Lett., 11, 1919, 2011.
H. P. NguyenS. ZhangK. CuiX. HanS. FathololoumiM. CouillardG. A. BottonZ. Mi Nano Lett.11 , 1919 [2011]
[21] Y. W. Zhu, H. Z. Zhang, X. C. Sun, S. Q. Feng, J. Xu, Q. Zhao, B. Xiang, R. M. Wang, and D. P. Yu, App. Phys. Lett., 83, 144, 2003.
Y. W. ZhuH. Z. ZhangX. C. SunS. Q. FengJ. XuQ. ZhaoB. XiangR. M. WangD. P. Yu App . Phys . Lett.83 , 144 [2003]
[21] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., 32, L338, 1992.
S. NakamuraT. MukaiM. Senoh Jpn . J. Appl . Phys.32 , L338 [1992]
[21] S. Kang, A. Mandal, J. H. Chu, J. H. Park, S. Y. Kwon, C. R. Lee, Sci. Rep., 5, 10808, 2015.
S. KangA. MandalJ. H. ChuJ. H. ParkS. Y. KwonC. R. Lee Sci . Rep.5 , 10808 [2015]
[21] B. Foltynski, C. Giesen and M. Heuken, Phys. Status Solidi B, 5, 1132-1137, 2015.
B. FoltynskiC. GiesenM. Heuken Phys . Status Solidi B5 , 1132-1137 [2015]
[20] Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai and S.-H. Yen, Appl. Phys. Lett., 95, 011116, 2009.
Y.-K. KuoJ.-Y . ChangM.-C. TsaiS.-H . Yen Appl . Phys . Lett.95 , 011116 [2009]
[20] J. Jhong, S. Muthukumar, Y. Chen, Y. Lu, H. M. Ng, W. Jiang, and E. L. Garfunkel, Appl. Phys. Lett., 83, 3401, 2003.
J. JhongS. MuthukumarY. ChenY. LuH. M. NgW. JiangE. L. Garfunkel Appl . Phys . Lett.83 , 3401 [2003]
[20] H. Sekiguchi, K. Kishino, A. Kikuchi, Appl. Phys. Lett., 96, 231104, 2010.
H. SekiguchiK. KishinoA. Kikuchi Appl . Phys . Lett.96 , 231104 [2010]
[20] B. C. Chung, and M. Gershenzon, J. Appl. Phys., 72, 651, 1992.
B. C. ChungM. Gershenzon J. Appl . Phys.72 , 651 [1992]
[20] Akyol, F.; Krishnamoorthy, S.; Rajan, S., Appl. Phys. Lett., 103, No. 081107, 2013.
Akyol , F.Krishnamoorthy , S.Rajan , S. Appl . Phys . Lett.103 , No . 081107 [2013]
[1] Schubert, E. F.; Kim, J. K., Science, 308, 1274−1278, 2005.
Schubert , E. F.Kim , J. K. Science308 , 1274 ? 1278 [2005]
[1] E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes, 2nd edn., Cambridge University Press: New York, ch. 12, pp. 201-220, 2010.
E. F. SchubertLight-Emitting Diodes2nd edn. Cambridge University Press : New York , ch . 12 , pp . 201-220 [2010]
[19] Zhang, K.; Liang, H.; Liu, Y.; Shen, R.; Guo, W.; Wang, D.; Xia, X.; Tao, P.; Yang, C.; Luo, Y., Sci. Rep., 4, 6322, 2015.
Zhang , K.Liang , H.Liu , Y.Shen , R.Guo , W.Wang , D.Xia , X.Tao , P.Yang , C.Luo , Y. Sci . Rep.4 , 6322 [2015]
[19] W. Seifert. R. Frenzheld, and E. butter. Crys. Res. Technol. 18, 383, 1983.
W. SeifertR. FrenzheldE. butter Crys . Res . Technol18 , 383 [1983]
[19] Q. X. Zhao and M. Willander, App. Phys. Lett., 3, 165, 2003.
Q. X. ZhaoM. Willander App . Phys . Lett.3 , 165 [2003]
[19] H. P. Nguyen, K. Cui, S. Zhang, M. Djavid, A. Korinek, G. A. Botton, Z. Mi, Nano Lett., 12, 1317, 2012.
H. P. NguyenK. CuiS. ZhangM. DjavidA. KorinekG. A. BottonZ. Mi Nano Lett.12 , 1317 [2012]
[18] N. G. Young, R. M. Farrell, S. Oh, M. Cantore, F. Wu, S. Nakamura, S. P. DenBaars, C. Weisbuch, J. S. Speck, Appl. Phys. Lett., 108, 061105, 2016.
N. G. YoungR. M. FarrellS. OhM. CantoreF. WuS. NakamuraS. P. DenBaarsC. WeisbuchJ. S. Speck Appl . Phys . Lett.108 , 061105 [2016]
[18] Ashraful Ghani Bhuiyan, Akihiro Hashimoto, and Akio Yamamoto, J. Appl. Physics, 94, 27799, 2003.
Ashraful Ghani BhuiyanAkihiro HashimotoAkio YamamotoJ. Appl 94 , 27799 [2003]
[17] San Kang, Arjun Mandal, Jae Hwan Chu, Ji -Hyeon Park, Soon- Yong Kwon, Cheul-Ro Lee, Sci. Rep., 5, 10808, 2015.
San KangArjun MandalJae Hwan ChuJi -Hyeon ParkSoon- Yong KwonCheul-Ro Lee Sci . Rep.5 , 10808 [2015]
[17] M. A. Reshchikov, H. Morkoc, J. Appl. Phys., 97, 061301, 2005.
M. A. ReshchikovH. Morkoc J. Appl . Phys.97 , 061301 [2005]
[17] J. L. Pau, C. Bayman, P. Giedraitis, R. McClintock, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett., 93, 221104, 2008.
J. L. PauC. BaymanP. GiedraitisR. McClintockM. Razeghi Appl . Phys . Lett.93 , 221104 [2008]
[16] Z.G. Yu, P. Chen, G.F. Yang, B. Liu, Z.L. Xie, X.Q. Xiu, Z.L. Wu, F. Xu, Z. Xu, X .M. Hua, P. Han, Y. Shi, R. Zhang, Y.D. Zheng, Chin. Phys. Lett., 29 078501, 2012.
Z.G . YuP. ChenG.F. YangB. LiuZ.L . XieX.Q . XiuZ.L . WuF. XuZ. XuX .M . HuaP. HanY. ShiR. ZhangY.D . Zheng Chin . Phys . Lett.29 078501 [2012]
[16] W. Yang, J. Li, Y. Zhang, P. K. Huang, T. C. Lu, H. C. Kuo, S. Li, X. Yang, H. Chen, D. Liu, J. Kang, Sci. Rep., 4, 5166, 2014.
W. YangJ. LiY. ZhangP. K. HuangT. C. LuH. C. KuoS. LiX. YangH. ChenD. LiuJ. Kang Sci . Rep.4 , 5166 [2014]
[16] Akyol, F.; Krishnamoorthy, S.; Zhang, Y.; Rajan, S., Appl. Phys. Express, 8, No. 082103, 2015.
Akyol , F.Krishnamoorthy , S.Zhang , Y.Rajan , S. Appl . Phys . Express8 , No . 082103 [2015]
[15] Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto, Appl. Phys. Lett., 85, 4672, 2004.
Y. TaniyasuM. KasuT. Makimoto Appl . Phys . Lett.85 , 4672 [2004]
[15] Guo, X.; Shen, G.-D.; Ji, Y.; Wang, X.-Z.; Du, J.-Y.; Zou, D.-S.; Wang, G.-H.; Gao, G.; Balk, L. J.; Heiderhoff, R., Appl. Phys. Lett., 82, 4417−4419, 2003.
Guo , X.Shen , G.-D.Ji , Y.Wang , X.-Z .Du , J.-Y .Zou , D.-S.Wang , G.-H.Gao , G.Balk , L. J.Heiderhoff , R.Appl . Phys Lett.82 , 4417 ? 4419 [2003]
[15] D. M. Longo, W. E. Benson, T. Chraska, and R. Hull, Appl. Phys. Lett., 78, 981, 2001.
D. M. LongoW. E. BensonT. ChraskaR. Hull Appl . Phys . Lett.78 , 981 [2001]
[14] Zhang, K.; Liang, H.; Shen, R.; Wang, D.; Tao, P.; Liu, Y.; Xia, X.; Luo, Y.; Du, G., Appl. Phys. Lett., 104, No. 053507, 2014.
Zhang , K.Liang , H.Shen , R.Wang , D.Tao , P.Liu , Y.Xia , X.Luo , Y.Du , G. Appl . Phys . Lett.104 , No . 053507 [2014]
[14] H. Hirayama, S. Fujikawa, N. Noguchi, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, N. Kamata, Phys. Status Solidi A, 206, 1176, 2009.
H. HirayamaS. FujikawaN. NoguchiJ. NorimatsuT. TakanoK. TsubakiN. Kamata Phys . Status Solidi A206 , 1176 [2009]
[14] A. W. Holleitner, H. Knotz, R. C. Myers, A. C. Gossard, and D. D. Awschalom, Appl. Phys. Lett., 85, 5622, 2004.
A. W. HolleitnerH. KnotzR. C. MyersA. C. GossardD. D. Awschalom Appl . Phys . Lett.85 , 5622 [2004]
[13] Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto, Nature, 441, 325, 2006.
Y. TaniyasuM. KasuT. Makimoto Nature441 , 325 [2006]
[13] R. Calarco, M. Marso, T. Richter, A.I. Aykanat, R. Meijers, A.V.D. Hart, T. Stoica, H. Luth, Nano Lett., 5, 981-984, 2005.
R. CalarcoM. MarsoT. RichterA.I . AykanatR. MeijersA.V.D . HartT. StoicaH. Luth Nano Lett.5 , 981-984 [2005]
[13] K. Koike, H. Matsuyama, Y. Hirayama, K. Tanahashi, T. Kanemura, O. Kitakami, and Y. Shimada, Appl. Phys. Lett., 78, 784, 2001.
K. KoikeH. MatsuyamaY. HirayamaK. TanahashiT. KanemuraO. KitakamiY. Shimada Appl . Phys . Lett.78 , 784 [2001]
[12] Zhang, Y.; Jamal-Eddine, Z.; Rajan, S., Jpn. J. Appl. Phys., 58, SC0805, 2019.
Zhang , Y.Jamal-Eddine , Z.Rajan , S. J. Appl . Phys.58 , SC0805 [2019]
[12] K. A. Bertness, A. W. Sanders, D. M. Rourke, T. E. Harvey, A. Roshko, J. B. Schlager and N. A. Sanford, Adv. Funct. Mater., 20, 2911–2915, 2010.
K. A. BertnessA. W. SandersD. M. RourkeT. E. HarveyA. RoshkoJ . B. SchlagerN. A. Sanford 20 , 2911 ? 2915 [2010]
[12] C. Chen, V. Adivarahan, J. Yang, M. Shatalov, E. Kuokstis, M. A. Khan, Jpn. J. Appl. Phys., 42, L1039, 2003.
C. ChenV. AdivarahanJ. YangM. ShatalovE. KuokstisM. A. Khan Jpn . J. Appl . Phys.42 , L1039 [2003]
[11] S. Zhao, A. T. Connie, M. H. Dastjerdi, X. H. Kong, Q. Wang, M. Djavid, S. Sadaf, X. D. Liu, I. Shih, H. Guo, Z. Mi, Sci. Rep., 5, 8332, 2015.
S. ZhaoA. T. ConnieM. H. DastjerdiX. H. KongQ. WangM. DjavidS. SadafX. D. LiuI. ShihH. GuoZ. Mi Sci . Rep.5 , 8332 [2015]
[11] Esaki, L., Phys. Rev., 109, 603, 1958.
Esaki , L. Phys . Rev.109 , 603 [1958]
[11] C. Y. Chen, G. Zhu, Y. Hu, J. W. Yu, J. H. Song, K. Y. Cheng, L. H. Peng, L. J. Chou, Z. L. Wang, ACS Nano, 6 (6), 5687-5692, 2012.
C. Y. ChenG. ZhuY. HuJ. W. YuJ. H. SongK. Y. ChengL. H. PengL. J. ChouZ. L. Wang ACS Nano6 ( 6 ) , 5687-5692 [2012]
[11] B. Gelmont, K. Kim, and M. Shur, J. Appl. Phys., 74, 1818, 1993.
B. GelmontK. KimM. Shur J. Appl . Phys.74 , 1818 [1993]
[11] A. P. Li, F. Muller, A. Birner, K. Nielsch, and U. Gosele, J. Appl. Phys., 84, 6023, 1998.
A. P. LiF. MullerA. BirnerK. NielschU. GoseleJ. Appl Phys.84 , 6023 [1998]
[10] Y.-B. Tang, X.-H. Bo, C.-S. Lee, H.-T. Cong, H.-M. Cheng, Z.-H. Chen, W.-J. Zhang, I. Bello and S.-T. Lee, Adv. Funct. Mater., 18, 3515–3522, 2008.
Y.-B . TangX.-H. BoC.-S. LeeH.-T. CongH.-M. ChengZ.-H. ChenW.-J . ZhangI. BelloS.-T. LeeAdv . Funct . Mater. 18 , 3515 ? 3522 [2008]
[10] T. L. Tansley, E. M. Goldys, M. Goldewski, B. Zhou, and H. Y. Zou, in GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton (Gordon and Brench, New York, pp. 233,1997.
T. L. TansleyE. M. GoldysM. GoldewskiB. ZhouH. Y. Zou edited by S. J. Pearton ( Gordon and Brench , New York , pp . 233,1997
[10] O. Jessensky, F. Muller, and U. Gosele, Appl. Phys. Lett., 72, 1173, 1998.
O. JessenskyF. MullerU. Gosele Appl . Phys . Lett.72 , 1173 [1998]
[10] K. A. Bertness, A. W. Sanders, D. M. Rourke, T. E. Harvey, A. Roshko, J. B. Schlager, N. A. Sanford, Adv. Funct. Mater., 20, 2911-2915, 2010.
K. A. BertnessA. W. SandersD. M. RourkeT. E. HarveyA. RoshkoJ . B. SchlagerN. A. Sanford Adv . Funct . Mater.20 , 2911-2915 [2010]
[10] H. Hu, S. Zhou, X. Liu, Y. Gao, C. Gui, S. Liu, Sci. Rep., 7, 44627, 2017.
H. HuS. ZhouX. LiuY. GaoC. GuiS. Liu Sci . Rep.7 , 44627 [2017]
Y. Honda and H. Amano
B. O. JungS.-Y . BaeY. KatoM. ImuraD.-S. Lee CrysEngComm16 , 2273 [2014]
Y. F. Chan and N. Wang
B. D. Yao App . Phys . Lett.81 , 757 [2002]
W. Lu and C. M. Lieber , Semiconductor nanowires
J. Phys . D : Appl . Phys.39 , 21 , R387 [2006]
The Second International Conference on Nitride Semiconductor
B. Monemar Tokushima , Japan , October 27-31 , pp . 6-8 [1997]
The MOCVD Challenge : Volume 2 : A Survey of GaInAsPGaAs for Photonic and Electronic Device Applications
M. Razeghi IOP Publishing Ltd. : Bristol , ch . 2 , pp . 22-41 [1995]
The Blue Laser Diode
S. NakamuraS. PeartonG. Fasol Springer , Heidilberg ) [2000]
The Blue Laser Diode
S. NakamuraG. Fasol Springer , Berlin ) [1997]
Technology of Quantum Devices
M. Razeghi Springer , New York , ch . 11 , pp . 396 ? 403 [2010]
T. W. Odom and C. M. Lieber , Accounts of chemistry research
J. Hu 32 , 435 [1999]
T. L. Tansley and C. P. Foley , Electron
Lett.20 , 1066 [1984]
T. D. Moustakas and R. J. Molnar , Mat
Res . SocSymp . Vol . 281 , 753 [1993]
Status Solidi C
Lee , S. N.Ryu , H.Paek , H.Son , J.Sakong , T.Jang , T.Sung , Y.Kim , K.Ha , K.Nam , O. 4 , 2788 ? 2792 [2007]
S. Yang and Z. Wang , Phy
Y. MengL. WangG. ZhaoF. LiH. Li Stat . Soli . a.215 , 1800455 [2018]
S. Y. Bae
H. W. SeoJ . Park J. Chem . Phys.116 , 9492 [2002]
S. P. DenBaars and S. Nakamura
Y.-D. LinA. ChakrabortyS. BrinkleyH. C. KuoT. MeloK. FujitoJ. S. Speck Appl . Phys . Lett.94 , 261108 [2009]
S. Fern ? ndez-Garrido
L. Cerutti , J . RistiE. CallejaA. TrampertM. Lazic Appl . Phys . Lett.88 , 213114 [2006]
RSC Adv.
Ji-Hyeon ParkArjun MandalDae-Young UmSan KangDasom LeeCheul-Ro Lee 5 , 47090-47097 [2015]
Quantum Electron.
K. TachibanaT. SomeyaY. ArakawaIEEE J. Sel 6 , 475 ? 481 [Top2000]
Quantum Electron
Fujita , S.Sakamoto , A.Tanabe , S.IEEE J. Sel 14 , 1387 ? 1391 [Top2008]
Properties of Group III Nitrides
James H. Edger INSPEC ) [1994]
Nanomaterials : Synthesis , Properties and Applications
A. S. EddlsteinR. C. Cammarata Taylor & Francis [1996]
Nano Lett. , 15 , 7006 ? 7009
Zhao , S.Djavid , M.Mi , Z. [2015]
Nano Lett.
E. A. AnyebeA. M. SanchezS. HindmarshX. ChenJ. ShaoM. K. RajpalkeT. D. VealB. J. RobinsonO. KolosovF. AndersonR. SundaramZ. M. WangV. FalkoQ. Zhuang 15 , 4348 ? 4355 [2015]
Nano Lett.
T. WestoverR. JonesJ. Y. HuangG. WangE. LaiA . A. Talin 9 , 257 ? 263 [2009]
Nano Lett.
S. DeshpandeT. FrostL. YanS. JahangirA. HazariX. LiuJ. Mirecki-MillunchickZ. MiP. Bhattacharya 15 , 1647 ? 1653 [2015]
Nano Lett.
Y.-H. RaR. NavamathavanJ.-H. ParkC.-R. Lee 13 , 3506 ? 3516 [2013]
Nano Lett.
Y.-H. RaR. NavamathavanH.-I . YooC.-R. Lee 14 , 1537 ? 1545 [2014]
Nano Lett.
Z. ZhongF. QianD. WangC. M. Lieber 3 , 343 ? 346 [2003]
Nano Lett.
S. D. CarnevaleJ. YangP. J. PhillipsM. J . MillsR. C. Myers 11 , 866 ? 871 [2011]
Nano Lett.
T.-W. YehY.-T. LinL. S. StewartP. D. DapkusR. SarkissianJ. D. O'BrienB. AhnS. R. Nutt 12 , 3257 ? 3262 [2012]
Nano Lett.
S. ZhaoM. DjavidZ. Mi 15 , 7006 [2015]
Nano Lett.
Nguyen , H. P. T.Zhang , S.Cui , K.Han , X.Fathololoumi , S.Couillard , M.Botton , G.Mi , Z. 11 , 1919 ? 1924 [2011]
Nano Lett.
Sadaf , S.Ra , Y.-H.Nguyen , H.Djavid , M.Mi , Z. 15 , 6696 ? 6701 [2015]
Nano Lett.
Zhao , S.Fathololoumi , S.Bevan , K.Liu , D.Kibria , M.Li , Q.Wang , G.Guo , H.Mi , Z. 12 , 2877 ? 2882 [2012]
Nano Lett.
Ra , Y.-H.Navamathavan , R.Yoo , H.-I .Lee , C.-R. 14 , 1537 ? 1545 [2014]
Nano Lett.
Qian , F.Gradecak , S.Li , Y.Wen , C.-Y .Lieber , C. M. 5 , 2287 ? 2291 [2005]
Nano Lett.
Sadaf , S.Ra , Y.-H.Szkopek , T.Mi , Z. 16 , 1076 ? 1080 [2016]
Nano Lett.
Koester , R.Hwang , J.-S.Salomon , D.Chen , X.Bougerol , C.Barnes , J.-P.Dang , D. L. S.Rigutti , L.de Luna BugalloA.Jacopin , G. 11 , 4839 ? 4845 [2011]
Nano Lett.
Ra , Y.-H.Wang , R.Woo , S. Y.Djavid , M.Sadaf , S. M.Lee , J.Botton , G. A.Mi , Z. 16 , 4608 ? 4615 [2016]
M. Farahmand and K. F. Brennan
J. D. AlbrechtR. P. WangP. P. Ruden J. Appl . Phys.83 , 4777 [1996]
M. D. Dawson
Z. GongS. JinY. ChenJ. McKendryD. MassoubreI. M. WatsonE. Gu J. Appl . Phys.107 , 013103 [2010]
M. Bonds and N. D. Browning , Superlattices Microstruct.
S. SenguptaN. HalderS. ChakrabartiM. Herrera 46 , 611 ? 617 [2009]
Light-Emitting DiodesCambridge University Press , New York
E. F. Schubert2nd edn ch . 12 , pp . 201 ? 220 [2010]
Light Visual Environ. , 22 , 2 ? 5
Bando , K.Sakano , K.Noguchi , Y.Shimizu , Y. , J [1998]
J. of Phy
S. krukowskiA. WitekJ. AdamczykJ. JunM. BockowskiI. GrzegoryB. LucznikG. NowakM. WroblewskiA. PreszS. GierlotkaS. StelmachB. PaloszS. PorowskiP. Zinn 59 , 289 ? 295 [1998]
J. of Mat
R. R. ReeberK. Wang Res. , 15 , 40 ? 44 [2000]
J. Y. Duboz and M. A. Khan
Phys . Rev . B57 , R9435 [1998]
J. S. Speck and S. Nakamura
R. M. FarrellD. A. HaegerP. S. HsuM. C. SchmidtK. FujitoD. F. FeezellS. P. DenBaars Appl . Phys . Lett.99 , 171113 [2011]
J. Goldberger and P. Yang , Annual Review of Materials Research
M. Law 23 , 83 [2004]
J. Eymery and M. Tchernycheva
A. MessanviH. ZhangV. NeplokhF. H. JulienF. BayleM. FoldynaC. BougerolE. GautierA. BabichevC. Durand ACS Appl . Mater . Interfaces7 , 21898-21906 [2015]
J. Electron
C. H. ChenH. LiuD. SteigerwaldW. ImlerC. P. KuoM. G. CrafordM. LudowiseS. LesterJ. Amano Mater.25 , 1004 [1996]
J. Electron
N. A. KouklinJ. Liang Mater.35 , 1133 [2006]
IEEE Electron Device Lett. , 36 , 366 ? 368
Chang , S.-J .Lin , W.-H.Yu , C.-T. [2015]
Heterostructures and Quantum Devices
N. G. EinspruchW. R. Frensley Academic Press , Inc. : San Diego . ch . 3 , pp . 64-78 [1994]
Group III nitride semiconductor compounds-physics and applications ( Oxford : Oxford
B. Gil [1998]
Group III Nitride Semiconductor Compounds
Bernard Gil Clarendon press , Oxford ) [1998]
GaN and Related Materials
S. C. BinariH. C. Dietrich edited by S. J. Pearton ( Gordon and Brench , New York , pp . 509-534 [1997]
GaN and Related Materials
J. I. Pankove edited by S. J. Pearton ( Gordon and Brench , New York , pp . 1-9 [1997]
G. S. Subramania and J. Y. Tsao , Nano Lett.
X. XiaoA. J. FischerG. T. WangP. LuD. D. KoleskeM. E. ColtrinJ . B. WrightS. LiuI. Brener 14 , 5616 ? 5620 [2014]
G. A. Botton and Z. Mi
H. P. T. NguyenS. ZhangK. CuiA. KorinekIEEE PhotTech . Lett. 24 , 321 ? 323 [2012]
F. Kim and H. Yan
Y. XiaP. YangY . SunY. WuB. MayersB . GatesY. Yin Adv . Mater.15 , 353 [2003]
Electron Devices Meet
I. AkasakiH. AmanoTech . Dig . Int 96 . 231 [1996]
E. Weber and P. Yang
M. H. HuangmY. WuH. FeickN. Tran Adv . Mater.13 , 113 [2001]
E. V. Etzkorn and D. R. Clarke
J. Appl . Phys.89 , 1025 [2001]
E. P. A. M. BakkersJ. G. Rivas
O. L. MuskensS. L. DiedenhofenM. H. M. van WeertM. T. Borgstr ? m Adv . Funct . Mater.18 , 1039-1046 [2008]
E. P. A. M. Bakkers and J. G. Rivas
O. L. MuskensS. L. DiedenhofenM. H. M. van WeertM. T. Borgstr¨om Adv . Funct . Mater.18 , 1039 ? 1046 [2008]
E. Janz´en and P. O. Holtz , Nano Lett.
C.-W. HsuA. LundskogK. F. KarlssonU. Forsberg 11 , 2415 ? 2418 [2011]
D.-S. Lee and C.-R. Lee
J.-H. ParkA. MandalD.-Y . UmS. Kang RSC Advances5 , 47090 [2015]
D. J. Gargas and P. YangACS Nano
C. HahnZ. ZhangA. FuC. H. WuY. J. Hwang 5 , 3970 ? 3976 [2011]
C.-H. Hong and H. Kim
J. W. LeeC. SoneY . ParkS.-N. LeeJ.-H. RyouR. D. Dupuis Appl . Phys . Lett.95 , 011108 [2009]
B : Nanotechnol
Connie , A. T.Nguyen , H. P.Sadaf , S. M.Shih , I.Mi , Z.J. Vac Microelectron . : Mater. , Process. , Meas. , Phenom. , 32 , 02C113 [2014]
B : Microelectron
Kaiser , S.Jakob , M.Zweck , J.Gebhardt , W.Ambacher , O.Dimitrov , R.Schremer , A.Smart , J.Shealy , J.J. Vac Process . Phenom.18 , 733 ? 740 [2000]
ACS Photonics
Ra , Y.-H.Lee , C.-R. 6 , 2397 ? 2404 [2019]
ACS Nano
C. Y. ChenG. ZhuY. HuJ. W. YuJ. H. SongK. Y. ChengL. H. PengL. J. ChouZ. L. Wang 6 ( 6 ) , 5687 ? 5692 [2012]
A. P. H. J. Schenning
E. W. Meijer Nature419 , 353 [2002]
A. M. Morales and C. M. Lieber
Science279 , 208 ? 211 [1998]
A. Das and P. Bhattacharya
S. Deshpande Appl . Phys . Lett.102 , 161114 [2013]
A. Banerjee and P. Bhattacharya , Nano Lett.
W. GuoM. Zhang 10 , 3355 ? 3359 [2010]
? 1740
P. BhattacharyaZ. MiProc . IEEE95 , 1723 [2007]
86 , 4491 ? 4497
Ho , J.-K.Jong , C.-S.Chiu , C. C.Huang , C.-N.Shih , K.-K.Chen , L.-C.Chen , F.-R.Kai , J.-J.J. Appl . Phys. [1999]
68 ( 24
Johnson , N.Bour , D.Appl . Phys Lett.3470 ? 3472 [1996]
50 ? T. Egawa , B. Zhang
N. NishikawaT. JimboM. Umeno J. Appl . Phys.91 , 528 [2002]
26 , 245 ? 251
Gutierrez , M.Hopkinson , M.Liu , H.Ng , J.Herrera , M.Gonzalez , D.Garcia , R.Beanland , R.Phys . E [2005]
183rd Electrochemical Soc.
T. D. Moustakas 9301 , Meeting , Honolulu , 958 [1993]
177 , 178 ? 195
X. ChenC. K. Y. WongC. A. YuanG. ZhangActuators B [2013]
17 , 701 ? 704
Hayden , O.Greytak , A . B.Bell , D. C.Adv . Mater. [2005]

3족-질화물 반도체 나노구조를 이용한 무극성 발광다이오드의 제작

유사주제 논문( 588)

' 3족-질화물 반도체 나노구조를 이용한 무극성 발광다이오드의 제작' 의 주제별 논문영향력

주제별 논문영향력

' 3족-질화물 반도체 나노구조를 이용한 무극성 발광다이오드의 제작' 의 참고문헌

' 3족-질화물 반도체 나노구조를 이용한 무극성 발광다이오드의 제작' 의 유사주제( ) 논문