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- 저자 우황제
- 기타서명 다양한 산화제 기반의 원자층 증착법으로 성장한 High-k를 이용한 고성능 MoS2 트렌지스터 구현 연구
- 형태사항 xii, 143장 :: 삽화: 26 cm
- 일반주기 지도교수: Hyungjun Kim
- 학위논문사항 학위논문(박사) -, Department of Electrical and Electronic Engineering, 2020.8, Graduate School, Yonsei University
- 발행지 [Seoul]
- 언어 eng
- 출판년 2020
- 발행사항 Graduate School, Yonsei University
- 주제어 2D TMDCs ALD on 2D MoS2 field effect transistor MoS2 트렌지스터 acetic acid Al2O3 atomic layer deposition contact resistance dielectric constant doping film uniformity IPA MoS2 precursor 도핑 박막 균일도 아세트산 원자층 증착법 유전상수 이차원 전이금속 다이칼고게나이드 전구체 접촉 저항