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- 저자 이승민
- 기타서명 원자층증착법을 이용한 결정질 산화베릴륨 박막의 에피택셜 성장 및 고전력 전자 소자의 응용
- 형태사항 삽화: 26 cm: xxi, 152장 :
- 일반주기 지도교수: Jungwoo Oh
- 학위논문사항 Graduate School, Yonsei University, School of Integrated Technology, 2019.8, 학위논문(박사) -
- 발행지 [Seoul]
- 언어 eng
- 출판년 2019
- 발행사항 Graduate School, Yonsei University
- 주제어 4H-SiC Atomic layer deposition Band alignment Beryllium oxide Domain-Matching Epitaxy Gate dielectric Silicon-OnInsulator GaN 게이트 절연체 도메인-정합 에피택시 밴드 정렬 산화베릴륨 실리콘-온-인슐레이터 원자층증착 질화 갈륨 탄화규소