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- 저자 이민웅
- 기타서명 I-게이트 구조 CMOS 집적회로 개발
- 형태사항 삽화, 표: 26 cm: xiv, 142 p.
- 일반주기 전북대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다, 지도교수: 조성익, 부록: 1. 총누적선량 : 2.3Mrad, 온도 : 37℃ -- 2. 총누적선량 : 2.17Mrad, 온도 : 40.5℃ -- 3. 총누적선량 : 1.95Mrad, 온도 : 42.8℃ -- 4. 총누적선량 : 1.59Mrad, 온도 : 39.1℃, 참고문헌 : p. 133-138
- 학위논문사항 학위논문(박사)-, 전북대학교 일반대학원, 2018. 8, 전자·정보공학부(전자공학 전공)
- 발행지 전주
- 언어 kor
- 출판년 2018
- 발행사항 전북대학교 일반대학원
- 주제어 I-gate structure Leakage current path Radiation-effect 3D M&S Radiation-hardening Total ionizing dose effect CMOSIC
유사주제 논문( 2)