연구동향 분석
박사

Mobility enhancement in wide bandgap semiconductor BaSnO3

신주연 2018년

논문상세정보
인용/피인용
' Mobility enhancement in wide bandgap semiconductor BaSnO3' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 특수한 천체와 현상
  • band gap engineering
  • basno3
  • high mobility
  • modulation doping
  • perovskite oxide
  • polar interface
  • pulsed laser deposition
  • wide band gap semiconductor
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
399 0

0.0%

' Mobility enhancement in wide bandgap semiconductor BaSnO3' 의 참고문헌

  • Z. Q. Liu, C. J. Li, W. M. Lu, X. H. Huang, Z. Huang, S.W. Zeng, X. P. Qiu, L. S. Huang, A. Annadi, J. S. Chen, J. M. D. Coey, T. Venkatesan, and Ariando, Phys. Rev. X 3, 021010 (2013)
  • Z. M. Wang, MoS2: Materials, Physics, and Devices (Springer, Switzerland, 2014)
  • Z. H. Liu, G. I. Ng, S. Arulkumaran, Y. K. T. Maung, and H. Zhou, Appl. Phys. Lett. 98, 163501 (2011).
  • Y. Zhang, M. P. K. Sahooabc, and J. Wang, Phys. Chem. Chem. Phys. 19, 7032 (2017)
  • Y. Wang, A. Chesnaud, E. Bevillon, J. Yang, and G. Dezanneau, International Journal of Hydrogen Energy 36, 7688 (2011)
  • Y. Tsividis and C. McAndrew, Operation and modeling of the MOS Transistor (Oxford University Press., New York, 2011)
  • Y. M. Kim, C. Park, U. Kim, C. Ju, and K. Char, Appl. Phys. Express 9, 011201 (2016)
  • Y. M. Kim, C. Park, T. Ha, U. Kim, N. Kim, J. Shin, Y. Kim, J. Yu, J. H. Kim, and K. Char, APL Mater. 5, 016104 (2017)
  • Y. Chen, N. Pryds, J. E. Kleibeuker, G. Koster, J. Sun, E. Stamate, B. Shen, G. Rijnders, and S. Linderoth. Nano letters 11, 3774 (2011)
  • X. Wang, Y. Chai, L. Zhou, H. Cao, C. Cruz, J. Yang, J. Dai, Y. Yin, Z. Yuan, S. Zhang, R. Yu, M. Azuma, Y. Shimakawa, H. Zhang, S. Dong, Y. Sun, C. Jin, and Y. Long, Phys. Rev. Lett. 115, 087601 (2015)
  • X. Mi, T. M. Hazard, C. Payette, K. Wang, D. M. Zajac, J. V. Cady, and J. R. Petta, Phys. Rev. B 92, 035304 (2015)
  • Wei-Tsung Chen, Shih-Yi Lo, Shih-Chin Kao, Hsiao-Wen Zan, Chuang-Chuang Tsai, Jian-Hong Lin, Chun-Hsiang Fang, and Chung-Chun Lee, IEEE. Elec. Dev. Lett. 32, 1552 (2011)
  • W.-J. Lee,1,H. J. Kim, E. Sohn,T. H. Kim, J.-Y. Park, W. Park, H. Jeong, T. Lee, J. H. Kim, K.-Y. Choi, and K. H. Kim, Appl. Phys. Lett. 108, 082105 (2016)
  • W. –J. Lee, H. J. Kim, E. Sohn, H. M. Kim, T. H. Kim, K. Char, J. H. Kim, and K. H. Kim, Phys. Status Solidi A 212, 1487 (2015)
  • W. –C. Chen, C. –Y. Peng, and L. Chang, Nanoscale Research Letters 9, 551 (2014)
  • W. Walukiewicz, H. E. Ruda, J. Lagowski, and H. C. Gatos, Phys. Rev. B 30, 4571 (1984)
  • W. Siemons, G. Koster, H. Yamamoto, W. Harrison, G. Lucovsky, T. Geballe, D. Blank, and M. Beasley, Phys. Rev. Lett. 98, 196802 (2007)
  • V. P. Pyara, R. Singh, A. K. Saxena, C. Patvardhan, D. P. Prasad, and D. B. Das, Proceedings of the National Seminar on Applied Systems Engineering and Soft Computing (Allied Publishers, India, 2000) p. 578
  • U. Kim, C. Park, Y. M. Kim, J. Shin, and K. Char, APL Mater. 4, 071102 (2016)
  • U. Kim, C. Park, T. Ha, Y. M. Kim, N. Kim, C. Ju, J. Park, J. Yu, J. H. Kim, and K. Char, APL Mater. 3, 036101 (2015)
  • U. Kim, C. Park, T. Ha, R. Kim, H. S. Mun, H. M. Kim, H. J. Kim, T. H. Kim, N. Kim, J. Yu, K. H. Kim, J. H. Kim, and K. Char, APL Mater. 2, 056107 (2014)
  • T. Schumann, S. Raghavan, K. Ahadi, H. Kim, and S. Stemmer, J. Vac. Sci. Technol. A 34, 050601 (2016)
  • T. Saju, Y. Hirayama, and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 902 (1991)
  • T. Nakamura, T. Shimura, M. Itoh, and Y. Takeda, J. Solid State Chem. 103, 523 (1993)
  • T. Maekawa, K. Kurosaki and S. Yamanaka, J. Alloys Compd., 407, 44, (2006)
  • T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000)
  • T. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 51, 3900 (1982)
  • T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982)
  • Sze, S. M, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1969)
  • Shin-ichi Takagi, Member, IEEE, Akira Toriumi, Masao Iwase, and Hiroyuki Tango, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 41, NO. 12, 2357, DECEMBER 1994
  • S. W. Lee, Y. Liu, J. Heo, and R. G. Gordon, Nano letters, 12, 4775 (2012)
  • S. Upadhyay, O.Parkash, and D. Kumar. Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12,165–172 (2001)
  • S. Smirnov, Ph. D. thesis, Vienna university of technology (2003)
  • S. Sallis, D. O. Scanlon, S. C. Chae, N. F. Quackenbush, D. A. Fischer, J. C. Woicik, J.-H. Guo, S. W. Cheong, and L. F. J. Piper, Appl. Phys. Lett. 103, 042105 (2013);
  • S. S. Shin, E. J. Yeom, W. S. Yang, S. Hur, M. G. Kim, J. Im, J. Seo, J. H. Noh, S. Seok, Science 356, 167-171 (2017)
  • S. Raghavan,T. Schumann, H. Kim, J.Y. Zhang, T. A. Cain, and S. Stemmer, APL Mater. 4, 016106 (2016)
  • S. Ohta, T. Nomura, H. Ohta, and K. Koumoto, J. Appl. Phys. 97, 034106 (2005).
  • S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett., 64, 1687 (1994).
  • S. Lee, A. Nathan, S. Jeon, and J. Robertson, Scientic Reports 5, 14902 (2015)
  • S. Lee and A. Nathan, Scientific Reports 6, 22567 (2016)
  • S. Karmalkar D. M. Sathaiya, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 82, 3976 (2003).
  • S. Hoshi, T. Marui, M. Itoh, Y. Sano, and S. Seki, IEICE Trans Electron. E89C, 1052 (2006).
  • S. Hiyamizu, T. Mimura, T. Fujii, K. Nanbu, and H. Hashimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 20, L245 (1981)
  • S. H. Lee, S. H. Han, H. S. Jung, H. Shin, J. Lee, J. H. Noh, S. Lee, I. S. Cho, J. K. Lee, J. Kim, and H. Shin, J. Phys. Chem. C 114, 7185–7189 (2010)
  • S. H. Baek, J. Park, D. M. Kim, V. A. Aksyuk, R. R. Das, S. D. Bu, D. A. Felker, J. Lettieri, V. Vaithyanathan, S. S. N. Bharadwaja, N. Bassiri-Gharb, Y. B. Chen, H. P. Sun, C. M. Folkman, H. W. Jang, D. J. Kreft, S. K. Streiffer, R. Ramesh, X. Q. Pan, S. Trolier-McKinstry, D. G. Schlom, M. S. Rzchowski, R. H. Blick and C. B. Eom, Science 334, 958 (2011).
  • S. Das Sarma, E. H. Hwang, S. Kodiyalam, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Phys. Rev. B 91, 205304 (2015)
  • S. Adachi, J. Appl.Phys. 58, 3 (1985)
  • R. L. Weiher, J. Appl. Phys. 33, 2834 (1962)
  • R. L. Anderson, IBM J. Res. and Develop 4, 283 (1960)
  • R. J. Trew, Proceedings of the IEEE, 90, 1032 (2002)
  • R. Gaska, M. S. Shur, A. D. Bykhovski, A. O. Oriov, and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 74, 287 (1999)
  • R. F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals (Addison-Wesley,Reading, MA, 1996).
  • R. E. Cohen, Nature 358, 136–138 (1992)
  • R. Dingle, H. L. Stormer, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett., 33, 665 (1978)
  • R. A. Bucur, A. I. Bucur, S. Novaconi, and I. Nicoara, Journal of Alloys and Compounds 542,142–146 (2012)
  • Qinzhuang Liu, Jianjun Liu, Bing Li, Hong Li, Guangping Zhu, Kai Dai, Zhongliang Liu, Peng Zhang, and Jianming Dai, Appl. Phys. Lett. 101, 241901 (2012)
  • Q. Liu, Y. He, H. Li, B. Li, G. Gao, Lele Fan, and Jianming Dai, Appl. Phys.Express, 7,0 (2014)
  • Q. Liu, F. Jin, G. Gao, B. Li, Y. Zhang, Q. Liu, J. Alloy and Compounds 684, 125-131 (2016)
  • P. V. Wadekar, J. Alaria, M. O’Sullivan, N. L. O. Flack, T. D. Manning, L. J. Phillips, K. Durose, O. Lozano, S. Lucas, J. B. Claridge, and M. J. Rosseinsky, Appl. Phys. Lett. 105, 052104 (2014)
  • P. Singh, O. Parkash, and D. Kumar, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 16, 145 (2005)
  • P. Singh, B. J. Brandenburg, C. P. Sebastian, P. Singh, S. Singh, D. Kumar, and O. Parkash, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 3540 (2008).
  • P. R. Willmott and J. R. Huber, Rev. Mod. Phys. 72, 315 (2000)
  • P. Nunes, E. Fortunato, and R. Martins, Thin Solid Films 383, 277 (2001)
  • P. G. Neudeck, R. S. Okojie, and L.-Y. Chen, Proceedings of the IEEE. 90, 1065 (2002)
  • O. Parkash, D. Kumar, K. K. Srivastav, and R. K. Dwivedi, Journal of Materials Science 36, 5805 (2001)
  • O. Fursenko, J. Bauer, G. Lupina, P. Dudek, M. Lukosius, C. Wenger, and P. Zaumseil, Thin Solid Films 520, 4532 (2012)
  • O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999)
  • Nouacry, Touhami, Benkassou, Bouziane, and Aouaj, J. Elect. Electron Syst. 5, 1000169 (2016)
  • N. Reyren, S. Thiel, D. Caviglia, L. F. Kourkoutis, G. Hammerl, C. Richter, C. W. Schneider, T. Kopp, S. Ruetschi, D. Jaccard, M. Gabay, D. Muller, J.-M. Triscone, ,and J. Mannhart, Science 317, 1196 (2007)
  • N. Reyren, S. Thiel, A. D. Caviglia, L. Fitting Kourkoutis, G. Hammerl, C. Richter, C. W. Schneider, T. Kopp, A.-S. Ruetschi, D. Jaccard, M. Gabay, D. A. Muller, J. –M. Triscone, and J. Mannhart, Science 317, 1196 (2007)
  • N. Preissler, O. Bierwagen, A. T. Ramu, and J. S. Speck. Phys. Rev. B - Condensed Matter and Materials Physics 88, 1 (2013)
  • N. Nakagawa, H. Y. Hwang, and D. A. Muller, Nature materials 5, 204 (2006).
  • N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
  • N. E. H., and J. R. Brews, MOS Physics and Technology (Wiley, New York, 1982).
  • N. Charles and J. M. Rondinelli, Phys. Rev. B 94, 174108 (2016)
  • M. Trassin, J. Phys.: Condens. Matter 28, 033001 (2016)
  • M. Oshikiri, Y. Imanaka, F. Aryasetiawan, and G. Kido, Physica B: Condensed Matter 298, 472 (2001)
  • M. Nakamura, Y. Krockenberger, J. Fujioka, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 106, 072103 (2015)
  • M. Marso, J. Bernat, P. Javorka, and P. Kordos, Appl. Phys. Lett. 84, 2928 (2004)
  • M. Marso, J. Bern t, P. Javorka, A. Fox, and P. Kordoš, Phys. Stat. Sol. (c) 2, No. 7, 2611, (2005)
  • M. M. Lee, J. Teuscher, T. Miyasaka, T. N. Murakami, H. J. Snaith, Science 338, 643–647 (2012)
  • M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L1205 (1999)
  • M. J. Manfra, N. G. Weimann, J. W P Hsu, L. N. Pfei_er, K. W. West, S. Syed, H. L. Stormer, W. Pan, D. V. Lang, S. N G Chu, G. Kowach, a. M. Sergent, J. Caissie, K. M. Molvar, L. J. Mahoney, and R. J. Molnar, J. Appl. Phys. 92, 338 (2002)
  • M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, K. W. Baldwin, J. W. P. Hsu, D. V. Lang, and R. J. Molnar Citation: Appl. Phys. Lett. 77, 2888 (2000);
  • M. J. Manfra, K. W. Baldwin, A. M. Sergent, K. W. West, R. J. Molnar, and J. Caissie, Appl. Phys. Lett. 85, 5394 (2004)
  • M. Hussein, N. Assadi, and D. A. H. Hanaor, J. Appl. Phys. 113, 233913 (2013).
  • M. B. Das, Solid State Electronics 12, 305 (1969)
  • L. Yu and A. Zunger, Nat. Comm. 5, 5518 (2014)
  • L. Vegard, Z. Phys. 5, 17 (1921)
  • L. Malavasi and G. Flor, J. Phys. Chem. B 107, 13880 (2003)
  • L. Esaki and R. Tsu, IBM Res., Internal Rep. RC 2418 (1969)
  • L. Abbes and H. Noura, Results in Physics 5, 38 (2015)
  • Kenji Uchino, Sci. Technol. Adv. Mater. 16, 046001 (2015)
  • K. Ueno, I. H. Inoue, T. Yamada, H. Akoh, Y. Tokura, and H. Takagi, Appl. Phys. Lett. 84, 3726 (2004)
  • K. Ueno, I. H. Inoue, H. Akoh, M. Kawasaki, Y. Tokura, and H. Takagi. Appl. Phys. Lett. 83, 1755 (2003)
  • K. Ueda, T. Hase, H. Yanagi, H. Kwazoe, H. Hosono, H. Ohta, H. Orita, H. Hirano, J. Appl. Phys. 89, 1790 (2001)
  • K. Shibuya, T. Ohnishi, T. Uozumi, T. Sato, M. Lippmaa, M. Kawasaki, K. Nakajima, T. Chikyow, and H. Koinuma. Appl. Phys. Lett. 88, 212116 (2006)
  • K. Ploog, A. Fischer, and H. Kunzel, J. Electrochem. Soc 128, 400 (1981)
  • K. N. Tu, N. C. Yeh, S. I. Park, and C. C. Tsuei, Phys. Rev. B 39, 304 (1989)
  • K. Kim, G. L. W. Hart, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 80, 3105 (2002)
  • K. K. Teshima, Y. Shirai, T. Miyasaka, J. Am. Chem. Soc. 131, 6050–6051, (2009)
  • K. Iniewski, CMOS Processors and Memories (Springer, New York, 2010)
  • K. Hirakawa and H. Sakaki, Phys. Rev. B 33, 8291 (1986)
  • K. Ganguly, P. Ambwani, P. Xu, J. S. Jeong, K. A. Mkhoyan, C. Leighton, and B. Jalan, APL Materials 3, 062509 (2015);
  • K. Fujiwara, K. Nishihara, J. Shiogai, and A.Tsukazaki, Appl. Phys. Lett. 110, 203503 (2017)
  • K. Fujiwara, K. Nishihara, J. Shiogai, and A. Tsukazaki, AIP Advances 6, 085014 (2016);
  • K. Ellmer, Nature Photon. 6, 809 (2012).
  • K Buth and U. Merkt, Annalen der Physik 11(12), 843 (2002)
  • J.-L. Farvacque1 and Z. Bougrioua, Phys. Rev. B 68, 035335 (2003)
  • J. –S. Lee, and S. –K. Joo, Appl. Phys. Lett. 81, 2602 (2002);
  • J. W. Judy, Smart Mater. Struct. 10, 1115 (2001)
  • J. V. DiLorenzo, R. Dingle, M. Feuer, A. C. Gossard, R. Hendel, J. C. M. Hwang, A. Kastalsky, V. G. Keramidas, R. A. Kiehl, and P. O'Connor, IEDM Tech. Dig. 25, 578 (1982)
  • J. Tauc, R. Grigorovici, and A. Bancu, Phys. Stat. Sol. 15, 627 (1966)
  • J. Son, P. Moetakef, B. Jalan, O. Bierwagen, N. J. Wright, R. E.-H., and S. Stemmer, Nat. Mater. 9, 482 (2010).
  • J. Shin, Y. M. Kim, Y. Kim, C. Park, and K. Char, Appl. Phys. Lett. 109, 262102 (2016)
  • J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000)
  • J. Nowotny, Science of Ceramic interface II (Elsevier Science Publisher B. V., Amsterdam, The Netherlands, 1994) p. 349
  • J. M. Tour and T. He, Nature 453, 42 (2008)
  • J. M. D. Coey and S. Sanvito, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 988 (2004)
  • J. J. Harris, C. T. Foxon, D. E. Lacklison, and K. W. J. Barnham, Superlattices and Microstructures 2, 563 (1986)
  • J. H. Davies, The physics of low-dimensional semiconductors (Cambridge University Press, USA, 1998)
  • J. B. Goodneough, in Prog. In Solid State Chemistry, Vol. 5, ed. H. Reiss (Pergamon, Oxford), p. 145 (1971)
  • J. Als-Nielsen and D. McMorrow, Elements of Modern X-ray Physics (John Wiley & Sons, Ltd., New York. 2001)
  • I‐H. Tan, G. L. Snider, L. D. Chang, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 68, 4071 (1990)
  • H.-R. Liu, J.-H. Yang, H. J. Xiang, X. G. Gong, and S.-H. Wei, Appl. Phys. Lett. 102, 112109 (2013)
  • H.-L. Shi1, and Y. Duan, Eur. Phys. J. B 66, 439–444 (2008)
  • H. Wang, X. Jiao, Q. Liu, X. Xuan, F. Chen, and W. Wu, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 035403 (2010)
  • H. Toyosaki, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 93, 132109 (2008).
  • H. Tampo, H. Shibata, K. Matsubara, A. Yamada, P. Fons, and S. Niki, Appl. Phys. Lett. 89, 132113 (2006)
  • H. Raebiger, S. Lany, and A. Zunger, Phys. Rev. B 76, 045209 (2007)
  • H. Mun, U. Kim, H. M. Kim, C. Park, T. H. Kim, H. J. Kim, K. H. Kim, and K. Char, Appl. Phys. Lett. 102, 252105 (2013)
  • H. Mizoguchi, H. W. Eng, and P. M. Woodward, Inorganic Chemistry 43, 1667 (2004)
  • H. Marien, M. Steyaert, and P. Heremans, Analog Organic Electronics (Springer Science, New York, 2013)
  • H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998)
  • H. M. Kim, U. Kim, C. Park, H. Kwon, and K. Char, APL Mater. 4, 056105 (2016)
  • H. Kawazoe, M. Yasukawa, H. Hyodo, M. Kurita, H. Yanagi, and H. Hosono, Nature 389, 939 (1997)
  • H. J. Kim, U. Kim, T. H. Kim, J. Kim, H. M. Kim, B.-G. Jeon, W-J. Lee, H. S. Mun, K. T. Hong, J. Yu, K. Char, and K. H. Kim, Phys. Rev. B 86, 165205 (2012)
  • H. J. Kim, U. Kim, H. M. Kim, T. H. Kim, H. S. Mun, B.-G. Jeon, K. T. Hong, W.-J. Lee, C. Ju, K. H. Kim, and K. Char, Appl. Phys. Express 5, 061102 (2012)
  • H. F. Wang, Q. Z. Liu, F. Chen, G. Y. Gao, Wenbin Wu, and X. H. Chen, J. Appl. Phys. 101, 106105 (2007);
  • Grove, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1967).
  • G. Lupina, O. Seifarth, P. Dudek, G. Kozlowski, J. Dabrowski, H.-J. Thieme, G. Lippert, T. Schroeder, and H.-J. M ssig, Physica Status Solidi (B) Basic Research 248, 323 (2011)
  • G. Kresse and J. Furthmuller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996)
  • G. Koster, L. Klein, W. Siemons, G. Rijinders, J. S. Dodge, C.-B. Eom, D. H. A. Blank, and M. R. Beasley, Review of Modern Physics 84, 253 (2012)
  • G. Herranz, M. Basletic, M. Bibes, R. Ranchal, A. Hamzic, E. Tafra, K. Bouzehouane, E. Jacquet, J. P. Contour, Phys. Rev. B 73, 064403 (2006)
  • G. Herranz, M. Basletic, M. Bibes, C. Carretero, E. Tafra, E. Jacquet, K. Bouzehouane, C. Deranlot, Hamzic, J.-M. Broto, A. Barth l my, and A. Fert, Phys. Rev. Lett. 98, 216803 (2007).
  • F. F.Fang, and W.E.Howard, Phys.Rev.Lett.16, 797 (1996)
  • F Carosella1 and J-L Farvacque, J. Phys.: Condens. Matter 20,325210 (2008)
  • E. Slooten, Zhicheng Zhong, H. Molegraaf, P. Eerkes, S. de Jong, F. Massee, E. van Heumen, M. Kruize, S. Wenderich, J. Kleibeuker, M. Gorgoi, H. Hilgenkamp, A. Brinkman, M. Huijben, G. Rijnders, D. Blank, G. Koster, P. Kelly, and M. Golden. Phys. Rev. B 87, 085128 (2013)
  • E. Moreira, J. M. Henriques, D. L. Azevedo, E. W. S. Caetano, V. N. Freire, and E. L. Albuquerque, J. Solid State Chem. 187, 186 (2012)
  • E. Kyle , S. Kaun , P. Burke , F. Wu , Y. Wu , and J. Speck , J. Appl. Phys. 115, 193702 (2014).
  • E. H. Mountstevens, S. A. T. Redfern, and J. P. Attfield. Phys. Rev. B - Condensed Matter and Materials Physics 71, 2 (2005)
  • E. H. Hwang and S. D. Sarma, Phys. Rev. B 77, 235437 (2008)
  • E. F. Schubert, K. Ploog, H. Dambkes, and K. Heime, Appl. Phys. A 33, 63 (1984)
  • E. Arslan, S. Altindal, S. Ozcelik, and E. Ozbay, J. Appl. Phys. 105, 023705 (2009).
  • D. Zanato, S. Gokden, N. Balkan, B. K. Ridley and W. Schaff, Semicond. Sci. Technol. 19,427 (2004)
  • D. Toyota, I. Ohkubo, H. Kumigashira, M. Oshima, T. Ohnishi, M. Lippmaa, M. Kawasaki, and H. Koinuma, J. Appl. Phys 99, 08N505 (2006)
  • D. Schick, A. Bojahr, M. Herzog, P. Gaal, I. Vrejoiu, and M. Bargheer, Phys. Rev. Lett 110, 095502 (2013)
  • D. S. Ginley and C. Bright, MRS Bull. 25 (8), 15 (2000)
  • D. M. Roessler and W. C. Walker, Phys. Rev. 159, 733 (1967)
  • D. M. Riffe, Journal of the Optical Society of America B 19, 1092 (2002)
  • D. K. Gaskill, A. E. Wickenden, K. Doverspike, B. Tadayon, and L. B. Rowland, J. Electron. Mater. 24, 1525 (1995)
  • D. K. Ferry and S. M. Goodnick, Transport in Nanostructures (Cambridge University Press, USA, 1997)
  • D. Jena, Y. Smorchkova, C. Elsass, A. C. Gossard, and U. K. Mishra, arXiv:cond-mat/0103461v1 [cond-mat.mtrl-sci] (2001)
  • D. Jena, Charge Transport in Semiconductors, University of Nortre Dame (2004)
  • D. Jena, A. C. Gossard, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 76, 1707 (2000)
  • D. G. Schlom, and L. N. Pfeier, Nature materials 9, 881 (2010)
  • D. Delageveaudeuf and N. T. Linh, IEEE Trans. Electron. Dev., ED-29, 955 (1982)
  • D. C. Tsui, H. L. Stormer, and A. C. Gossard, Phys. Rev. Lett. 48, 1599 (1982)
  • D. C. Look, D. K. Lorance, J. R. Sizelove, C. E. Stutz, K. R. Evans, and D. W. Whitsonl, J. Appl. Phys. 71, 260 (1992)
  • D. B. Schwarz, J. Electrochem. Soc. 122, 707 (1975).
  • C. Sintamarean, E. Eni, F. Blaabjerg, R. Teodorescu, and H. Wang, Proceedings of Int. Power Electron. Conf., 1912 (2014)
  • C. Park, U. Kim, C. J. Ju, J. S. Park, Y. M. Kim, and K. Char, Appl. Phys. Lett. 105, 203503 (2014)
  • C. Franchini, J. Phys. : Condens. Matter 26, 253202 (2014)
  • C. A. Francis, D. M. Detert, G. Chen, O. D. Dubon, K. M. Yu, and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 106, 022110 (2015)
  • B. Yang, Y. He, A. Polity, and B. K. Meyer, MRS proceedings (Symposium FThin film compound semiconductor photovoltaics) 865, F14.7 (2005)
  • B. Wei, K. Zheng, Y. Ji, Y. Zhang, Z. Zhang, and X. Han, Nano Lett. 12, 4595 (2012)
  • B. S. Eller, J. Yang, and R. J. Nemanich, J. Vac. Sci. Technol. A 31, 050807 (2013)
  • B. Ostrick, M. Fleischer, and H. Meixner. Journal of the American Ceramic Society 80, 2153–2156 (1997)
  • B. Li, Q. Liu, Y. Zhang, Z. Liu, L. Geng, J. Alloy and Compounds 680, 343 (2016)
  • B. Hadjarab, A. Bouguelia, and M. Trari, J. Phys. Chem. Solids 68, 1491 (2007)
  • Angus Rockett, The Materials Science of Semiconductors (Springer, 2008)
  • A. V. Sanchela, T. Onozato, B. Feng, Y. Ikuhara, and H. Ohta, Phys. Rev. Materials 1, 034603 (2017)
  • A. Tsukazaki, S. Akasaka, K. Nakahara, Y. Ohno, H. Ohno, D. Maryenko, A. Ohtomo, and M. Kawasaki, Nature Mat. 9, 889 (2010)
  • A. Ohtomo, K. Tamura, K. Saikusa, K. Takahashi, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 2635 (1999)
  • A. Ohtomo and H. Y. Hwang, Nature 427, 423 (2004).
  • A. Ohtomo and H. Y. Hwang, J. Appl. Phys. 102, 083704 (2007).
  • A. Muthukumar, G. Rey, G. Giusti, V. Consonni, E. Appert, H. Roussel, A. Dakshnamoorthy, and D. Bellet, AIP Conference Proceedings 1512, 710 (2013)
  • A. M. Witowski, K. Pakua, J. M. Baranowski, M. L. Sadowski, and P. Wyder. Appl. Phys. Lett. 75, 4154 (1999)
  • A. Kumar, B. P. Singh, R. N. P Choudhary, and A. K. Thakur, Materials Letters 59, 1880 (2005)
  • A. Kumar and R. N. P. Choudhary, Journal of Materials Science 42, 2476 (2007)
  • A. Kalabukhov, Y. A. Boikov, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, J. Borjesson, N. Ljustina, E. Olsson, D. Winkler, and T. Claeson, EPL (Europhysics Lett.) 93, 37001 (2011).
  • A. Brinkman, M. Huijben, M. van Zalk, J. Huijben, U. Zeitler, J. C. Maan, W. G. van der Wiel, G. Rijnders, D. H. Blank, and H. Hilgenkamp. Nature materials 6, 493 (2007)
  • A. Bouhemadu, F. Djabi, and R. Khenata, Phys. Lett. A 372, 4257 (2008)
  • 1D Poisson-Schrodinger solver program developed by Dr. Gregory Snider, http://www3.nd.edu/∼gsnider/.
  • . Y. A. Osip'yan and S. A. Shevchenko, Sov. Phys.-JETP 38, 345 (1974)
  • . Q. Liu, B. Li, J. Liu, H. Li, Z. Liu, K. Dai, G. Zhu, P. Zhang, F. Chen, and J. Dai, EPL 98, 47010 (2012)
  • . M. S. Tyagi, Phys. Stat. Sol. (a) 30, 609 (1975)
  • . J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, S. X. Li, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Solid State Communications 127, 411 (2003)
  • . J. Park, U. Kim, and K. Char, Appl. Phys. Lett. 108, 092106 (2016).
  • . E. Baba, D. Kan, Y. Yamada, M. Haruta, H. Kurata, Y. Kanemitsu, and Y. Shimakawa, J. Phys. D: Appl. Phys. 48, 455106 (2015)