연구동향 분석
박사

Doping and passivation of solution-processed ZnO nanocrystal films for thin film transistor application

Kim, Jungwoo 2018년

논문상세정보
인용/피인용
' Doping and passivation of solution-processed ZnO nanocrystal films for thin film transistor application' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • Doping
  • Nanocrystals
  • Surface defect
  • Zinc oxide
  • bi-layer
  • indiumoxide
  • passivation
  • thin-film transistor
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
244 0

0.0%

' Doping and passivation of solution-processed ZnO nanocrystal films for thin film transistor application' 의 참고문헌

  • 99) K. B. Park, J. B. Seon, G. H. Kim, M. Yang, B. Koo, H. J. Kim, M. K. Ryu, and S. Y. Lee, IEEE Electron Device Lett. 31, 311 (2010)
  • 98) C. G. Lee and A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 96, 243501 (2010)
  • 97) Y. S. Rim, D. L. Kim, W. H. Jeong, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 97, 233502 (2010)
  • 96) K. Song, D. Kim, X. S. Li, T. Jun, Y. Jeong, and J. Moon, J. Materials Chemistry, 19, 8881 (2009)
  • 95) D. H. Lee, S. Y. Han, G. S. Herman, and C. H. Chang, J. Materials Chemistry, 19, 3135 (2009)
  • 94) S. K. Park, Y. H. Kim, H. S. Kim, and J. I. Han, Electrochem. Solid State Lett. 12, H256 (2009)
  • 93) S. J. Seo, C. G. Choi, Y. H. Hwang, and B. S. Bae, J . Physics D, 42, 035106 (2009)
  • 92) M. Esro, G. Vourlias, C. Somerton, W. I. Milne, and G. Adamopoulos, Adv. Funct. Mater.25, 134 (2015)
  • 91) T. S. Kang, T. Y. Kim, G. M. Lee, H. C. Sohn, and J. P. Hong, J. Mater. Chem. C, 2, 1390 (2014)
  • 90) Y.-H. Lin, H. Faber, K. Zhao, Q. Wang, A. Amassian, M. McLachlan, and T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 25, 4340 (2013)
  • 9) Y. Wang, F. Ren, W. Lim, D. P. Norton, S. J. Peartona, I. I. Kravchenko, J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 90, 232103 (2007)
  • 9) A. P. Alivisatos, Science 933, 271 (1996).
  • 9) . zg r, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. -J. Cho, and H. Morko , J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005)
  • 89) S. Y. Cho, Y. H. Kang, J.-Y. Jung, S. Y. Nam, J. Lim, S. C. Yoon, D. H. Choi, and C. Lee, Chem. Mater. 24, 3517 (2012)
  • 88) H. Faber, J. Hirschmann, M. Klaumunzer, B. Braunschweig, W. Peukert, and M. Halik*† ACS Appl. Mater. Interfaces, 4, 1693 (2012)
  • 87) X. Xu, Q. Cui, Y. Jin, and X. Guo, Appl. Phys. Lett. 101, 222114 (2012);
  • 86) C. Li, Y. Li, Y. Wu, B. S. Ong, R. O. Loutfy, J. Appl. Phys. 102, 076101 (2007)
  • 85) Y. Y. Noh, X. Y. Cheng, H. Sirringhaus, J. I. Sohn, M. E. Welland, and D. J. Kang, Appl. Phys. Lett. 91, 043109 (2007)
  • 84) D. Redinger and V. Subramanian, IEEE Electron Devices, 54, 1301 (2007)
  • 83) B. S. Ong, C. S. Li, Y. N. Li, Y. L. Wu, and R. Loutfy, J. Am. Chem. Soc. 129, 2750 (2007)
  • 82) H.-C. Cheng, C.-F. Chen, and C.-C. Lee, Thin Solid Films, 498, 142 (2006)
  • 81) B. Sun and H. Sirringhaus, J. Am. Chem. Soc. 128, 16231 (2006)
  • 80) B. Sun and H. Sirringhaus, Nano Lett. 5, 2408 (2005)
  • 8) J.-H. Choi, S. J. Oh, Y. Lai, D. K. Kim, T. Zhao, A. T. Fafarman, B. T. Diroll, C. B. Murray, and C. R. Kagan, ACS Nano 7, 8275 (2013).
  • 8) D. C. Paine, B. Yaglioglu, Z. Beiley, S. Lee, Thin Solid Films, 516, 5894 (2008)
  • 8) C. H. Park, S. B. Zhang, S. H. Wei, Phys. Rev. B. 66, 073202 (2002)
  • 8) A. Revzin, R. J. Russell, V. K. Yadavalli, W. G. Koh, C. Deister, D. D. Hile, M. B. Mellott, and M. V. Pishko, Langmuir 17, 5440 (2001)
  • 79) R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003)
  • 78) D. Sun, M. Wong, L. Sun, Y. Li, N. Miyatake, and H.-. Sue, J. Sol-Gel. Sci. Techn. 43, 237 (2007)
  • 77) M. Ristić, S. Musić, M. Ivanda, and S. Popović, J. Alloy. Compd. 397, L1 (2005)
  • 76) E. A. Meulenkamp, J. Phys. Chem. B, 102, 5566 (1998)
  • 75) M. Haase, H. Weller, and A. Henglein, J. Phys. Chem. 92, 482 (1988)
  • 74) D. W. Bahnemann, C. Kormann, and M. R. Hoffmann, J. Phys. Chem. 91, 3789 (1987)
  • 73) U. Koch, A. Fojtik, H. Weller, and A. Henglein, Chem. Phys. Lett. 122, 507 (1985)
  • 72) D. Vanmaekelbergh, and P. Liljeroth, Chem. Soc. Rev. 34, 299 (2005)
  • 71) J. -H. Choi, A. T. Fafarman, S. J. Oh, D. -K. Ko, D. K. Kim, B. T. Diroll, S. Muramoto, J. G. Gillen, C. B. Murray, and C. R. Kagan, Nano Lett. 12, 2631 (2012)
  • 70) J.-S. Lee, M. V. Kovalenko, J. Huang, D. S. Chung, and D. V. Talapin, Nat. Nanotechnol. 6, 348 (2011)
  • 7) T. S. Moss, Proc. Phys. Soc. London, Sect. B, 67, 775 (1954)
  • 7) S. W. Lee, H. J. Lee, J. H. Choi, W. G. Koh, J. M. Myoung, J. H. Hur, J. J. Park, J. H. Cho, and U. Jeong, Nano Lett. 10, 347 (2010)
  • 7) J.-S. Lee, M. V. Kovalenko, J. Huang, D. S. Chung, and D. V. Talapin, Nat. Nanotech. 6, 348 (2011).
  • 7) E. N. Dattoli, Q. Wan, W. Guo, Y. Chen, X. Pan, W. Lu, Nano Lett. 7, 2463 (2007)
  • 69) A. T. Fafarman, W.-K Koh, B. T. Diroll, D. K. Kim, D.-K. Ko, S. J. Oh, X. Ye, V. Doan- Nguyen, M. R. Crump, D. C. Reifsnyder, C. B. Murray, and C. R. Kagan, J. Am. Chem. Soc. 133, 15753 (2011)
  • 68) D. Weber, R. Sharma, S. Botnarasx, D. V. Pham, J. Steiger, and L. D. Cola, J. Mater. Chem. C, 1, 7111 (2013)
  • 67) A. M. Pourrahimi, D. Liu, V. Str m, M. S. Hedenqvist, R. T. Olssona, and U. W. Gedde, J. Mater. Chem. A, 3, 17190 (2015)
  • 66) A. R. Gheisi, C. Neygandhi, A. K. Sternig, E. Carrasco, H. Marbach, D. Thomelec, and O. Diwald, Phys.Chem.Chem.Phys. 16, 23922 (2014)
  • 65) K. H. Tam, C. K. Cheung, Y. H. Leung, A. B. Djurisic, C. C. Ling, C. D. Beling, S. Fung, W. M. Kwok, D. L. Phillips, L. Ding, and W. K. Ge, J. Phys. Chem. B 110, 20865 (2006)
  • 64) M. L. Kahn, T. Cardinal, B. Bousquet, M. Monge, V. Jubera, and B. Chaudret
  • 63) A. Sharma, B. P. Singh, S. Dhar, A. Gondorf, M. Spasova, Surf. Sci. 606, L13 (2012)
  • 62) X.-G. Han, H.-Z. He, Q. Kuang, X. Zhou, X.-H. Zhang, T. Xu, Z.-X. Xie, and L.-S. Zheng, J. Phys. Chem. C, 113, 584 (2008).
  • 61) D. V. Talapin, C. B. Murray, Science, 310, 86 (2005)
  • 60) D. J. Norris, A. L. Efros, S. C. Erwin, Science, 319, 1776 (2008)
  • 6) E. Burstein, Phys. Rev. 93, 632 (1954)
  • 6) D. V. Talapin and C. B. Murray, Science 310, 86 (2005).
  • 6) B. Sun and H. Sirringhaus, Nano Lett. 5, 2408 (2005)
  • 6) B. Cheng, J. M. Russell, W. Shi, L. Zhang, E. T. Samulski, J. Am. Chem. Soc. 126, 5972 (2004)
  • 59) M. Jarosz, V. Porter, B. Fisher, M. Kastner, M. Bawendi, Phys. Rev. B, 70, 195327 (2004)
  • 58) R. P. Andres, J. D. Bielefeld, J. I. Henderson, D. B. Janes, V. R. Kolagunta, C. P. Kubiak, W. J. Mahoney, R. G. Osifchin, Science, 273, 1690 (1996)
  • 57) K. Beverly, J. Sample, J. Sampaio, F. Remacle, J. Heath, R. Levine, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 99, 6456 (2002)
  • 56) L. Qu, X. Peng, J. Am. Chem. Soc. 124, 2049 (2002)
  • 55) A. J. Morfa, N. Kirkwood, M. Karg, Th. B. Singh, and P. Mulvaney, J. Phys. Chem. C, 115, 8312 (2011)
  • 54) S. T. Teklemichael and M. D. McCluskey, Nanotechnology, 22, 475703 (2011)
  • 53) A. J. Morfa, G. Beane, B. Mashford, B. Singh, E. D. Gaspera, A. Martucci, and Paul Mulvaney, J. Phys. Chem. C, 114, 19815 (2010)
  • 52) U. Koch, A. Fojtik, H. Weller, and A. Henglein, Chem. Phys. Lett. 122, 507 (1985)
  • 51) V. Nikitenko, chapter 7-Optics and Spectroscopy of Point Defects in ZnO. In Zinc Oxide - A Material for Micro- and Optoelectronic Applications; N. H. Norberg, E. Terukov (Eds.) Springer: Dodrecht, The Netherlands, pp 69-81 (2005)
  • 50) P. S. Xu, Y. M. Sun, C. S. Shi, F. Q. Xu, and H. B. Pan, Nucl. Instrum. Methods B 199, 286 (2003)
  • 5) R. Y. Wang, J. P. Feser, J.-S. Lee, D. V. Talapin, R. Segalman, and A. Majumdar, Nano Lett. 8, 2283 (2008).
  • 5) J. -H. Choi, S. W. Lee, J. P. Kar, S. N. Das, J. Jeon, K. -J. Moon , T. I. Lee, U. Jeong, and J. -M. Myoung, J. Mater. Chem. 20, 7393 (2010)
  • 5) G. Liu, A. Liu, H. Zhu, B. Shin, E. Fortunato, R. Martins, Y. Wang, and F. Shan, Adv. Funct. Mater. 25, 2564 (2015)
  • 5) G. Liu, A. Liu , H. Zhu, B. Shin, E. Fortunato, R. Martins, Y. Wang, F. Shan, Adv. Funct. Mater. 25, 2564 (2015)
  • 49) S. A. M. Lima, F. A. Sigoli, M. Jafelicci Jr., and M. R. Davolos, Int. J. Inorg. Mater. 3, 749 (2001)
  • 48) B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett. 79, 943 (2001)
  • 47) D. W. Kim, J. Park, J. Hwang, H. D. Kim, J. H. Ryu, K. B. Lee, K. H. Baek, L.-M. Do, and J. S. Choi, Electron. Mater. Lett. 11, 82 (2015)
  • 46) C.-S. Fuh, P.-T. Liu, L.-F. Teng, S.-W. Huang, Y.-J. Lee, H.-P.D. Shieh, and S. M. Sze, IEEE Electron. Device Lett. 34, 1157 (2013)
  • 45) H. Pan, N. Misra, S. H. Ko, C. P. Grigoropoulos, N. Miller, E. E. Haller, and O. Dubon, Appl. Phys. A, 94, 111 (2009)
  • 44) Y.-H. Kim, J.-S. Heo, T.-H. Kim, S. Park, M.-H. Yoon, J. Kim, M. S. Oh, G.-R. Yi, Y.-Y. Noh, and S. K. Park, Nature, 489, 128 (2012)
  • 44) J.-H. Choi, J. Kim, S. J. Oh, D. Kim, Y.-H. Kim, H. Chae, H. Kim, Met. Mater. Int. 22, 723 (2016)
  • 43) J. S. Park, W.-J. Maeng, H.-S. Kim, J.-S. Park, Thin Solid Films, 520, 1679 (2012)
  • 43) C. H. Ahn, K. Senthil, H. K. Cho, and S. Y. Lee, Sci. Rep. 3, 2737 (2013).
  • 42) S. J. Oh, D. K. Kim, and C. R. Kagan, ACS Nano 6, 4328 (2012).
  • 42) B. Mar , M. Sahal, M. A. Mollar, F. M. Cerqueira, A. P. Samantilleke, J. Solid. State. Electrochem. 16, 2261 (2012)
  • 41) P. Banerjee, W.-J. Lee, K.-R. Bae, S. B. Lee, and G. W. Rubloff, J. Appl. Phys. 108, 043504 (2010).
  • 41) H. S. Kang, B. D. Ahn, J. H. Kim, G. H. Kim, S. H. Lim, H. W. Chang, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 88, 202108 (2006)
  • 40) V. Vaithianathan, B.-T. Lee, and S. Sub Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 062101 (2005)
  • 40) J. W. Elam, Z. A. Sechrist, and S. M. George, Thin Solid Films 414, 43 (2002).
  • 4) S.-Y. Han, G. S. Herman, C. Chang, J. Am. Chem. Soc. 133, 5166 (2011)
  • 4) J. H. Park, Y. B. Yoo, K. H. Lee, W. S. Jang, J. Y. Oh, S. S. Chae, H. K. Baik, ACS Appl. Mater. Inter. 5, 410 (2013)
  • 4) J. -S. Ahn, J. J. Lee, G. Hyung, Y. K. Kim, and H. Yang, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 275102 (2010)
  • 4) E. H. Sargent, Nat. Photonics 6, 133 (2012).
  • 39) S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S.-H. Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 92, 155504 (2004)
  • 39) C. Wang, L. Yin, L. Zhang, D. Xiang, and R. Gao, Sensors 10, 2088 (2010).
  • 38) T. H. C. Son, L. K. Top, N. T. D. Tri, H. T. C. Nhan, L. Q. Vinh, B. T. Phan, S. S. Kim, and L. V. Hieu, Met. Mater. Int. 20, 337 (2014).
  • 38) K.-K. Kim, H.-S. Kim, D.-K. Hwang, J.-H. Lim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003)
  • 37) K. H. Tam, C. K. Cheung, Y. H. Leung, A. B. Djurisic, C. C. Ling, C. D. Beling, S. Fung, W. M. Kwok, D. L. Phillips, L. Ding, and W. K. Ge, J. Phys. Chem. B 110, 20865 (2006)
  • 37) A. Allenic, W. Guo, Y. Chen, M. B. Katz, G. Zhao, Y. Che, Z. Hu, B. Liu, S. B. Zhang, and X. Pan, Adv. Mater. 19, 3333 (2007)
  • 36) L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L.-M. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
  • 36) B. Yao, L.X. Guan, G.Z. Xing, Z.Z. Zhang, B.H. Li, Z.P. Wei, X.H. Wang, C.X. Cong, Y.P. Xie, Y.M. Lu, D.Z. Shen, J. LUMIN. 122-123, 191 (2007)
  • 35) J. J. H. Gielis, B. Hoex, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 104, 073701 (2008).
  • 35) A. Krtschil, A. Dadgar, N. Oleynik, J. Bl sing, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 87, 262105 (2005)
  • 34) F. Khan, S.-H. Baek, N. Ahmad, G. H. Lee, T. H. Seo, E.-K. Suh, and J. H. Kim, Met. Mater. Int. 21, 561 (2015).
  • 34) C. B. Tay, S. J. Chua, and K. P. Loh, J. Phys. Chem. C, 114, 9981 (2010)
  • 33) S. S. Lin, H. P. He, Y. F. Lu, and Z. Z. Ye, J. Appl. Phys. 106, 093508 (2009)
  • 33) K. Vanheusden, W. L. Warren, C.H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996).
  • 32) W. Liu, F. Xiu, K. Sun, Y.-H. Xie, K. L. Wang, Y. Wang, J. Zou, Z. Yang, and J. Liu, J. AM. CHEM. SOC. 132, 2498 (201)
  • 32) D. Pradhan, S. K. Mohapatra, S. Tymen, M. Misra, and K. T. Leung, Mater. Express 1, 59 (2011).
  • 31) J. S. Lee, S. N. Cha, J. M. Kim, H. W. Nam, S. H. Lee, W. B. Ko, K. L. Wang, J. G. Park, and J. P. Hong, Adv. Mater. 23, 4183 (2011)
  • 31) C. Wu, L. Shen, H .Yu, Q. Huang, and Y. C. Zhang, Mater. Res. Bull. 46, 1107 (2011).
  • 30) Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, W. Z. Xu, D. Y. Li, J. G. Lu, L. P. Zhu, and B. H. Zhao, Appl. Phys. Lett. 88, 062107 (2006)
  • 30) S. Y. Bae, C. W. Na, J. H. Kang, and J. Park, J. Phys. Chem. B 109, 2526 (2005).
  • 3) O. E. Semonin, J. M. Luther, S. Choi, H.-Y. Chen, J. Gao, A. J. Nozik, and M. C. Beard, Science 334, 1530 (2011).
  • 3) L. Lu, Y. Miura, T. Nishida, M. Echizen, Y. Ishikawa, K. Uchiyama, Y. Uraoka, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 03CB05 (2012)
  • 3) J. -H. Choi, A. T. Fafarman, S. J. Oh, D. -K. Ko, D. K. Kim, B. T. Diroll, S. Muramoto, J. G. Gillen, C. B. Murray, and C. R. Kagan, Nano Lett. 12, 2631 (2012)
  • 3) B. J. Norris, J. Anderson, J. F. Wager and D. A. Keszler, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, L105 (2003)
  • 29) Y.-Z. Zheng, X. Tao, Q. Hou, D.-T. Wang, W.-L. Zhou, and J.-F. Chenm, Chem. Mater. 23, 3-5 (2011)
  • 29) M. Ahmad, E. Ahmed, Y. Zhang, N. R. Khalid, J. Xu, M. Ullah, and Z. Hong, Curr. Appl. Phys. 13, 697 (2013).
  • 28) O. L. Stroyuk, V. M. Dzhagan, V. V. Shvalagin, and S. Y. Kuchmiy, J. Phys. Chem. C 114, 220 (2010).
  • 28) E. Chikoidze, M. Modreanu, V. Sallet, O. Gorochov, and P. Galtier, phys. stat. sol. (a) 205, 7 (2008)
  • 27) S. Pati, P. Banerji, and S. B. Majumder, RSC Adv. 5, 61230–61238 (2015)
  • 27) A. Janotti and C. G. Van de Walle, Rep. Prog. Phys. 72, 126501 (2009).
  • 26) X. Qin, H. Dong, B. Brennan, A. Azacatl, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 103, 221604 (2013).
  • 26) S. Major, A. Banerjee, and K. L. Chopra, Thin solid films, 108, 333-340 (1983)
  • 25) Y. Wu, P. M. Hermkens, B. W. H. van de Loo, H. C. M. Knoops, S. E. Potts, M. A. Verheijen, F. Roozeboom, and W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 114, 024308 (2013).
  • 25) E. Muchuweni, T.S. Sathiaraj, H. Nyakotyo, Ceram. Int. 42, 10066-10070 (2016)
  • 24) X. Zhang, J. Qin, Y. Xue, P. Yu, B. Zhang, L. Wang, and R. Liu, Sci. Rep. 4, 4596 (2014).
  • 24) J. Kim, J.-H. Choi, H. Chae, and H. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 071101 (2014)
  • 24) J. D. Yea, S.L. Gu, S.M. Zhu, S.M. Liu, Y.D. Zheng, R. Zhang, Y. Shi, H.Q. Yu, Y.D. Ye, Thin solid films, 283, 279-285 (2005)
  • 23) X.-G. Han, H.-Z. He, Q. Kuang, X. Zhou, X.-H. Zhang, T. Xu, Z.-X. Xie, and L.-S. Zheng, J. Phys. Chem. C 113, 584 (2008).
  • 23) T. Makino, Y. Segawa, S. Yoshida, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 85, 759-761 (2004)
  • 23) E. Chong, Y. S. Chun, S. H. Kim, and S. Y. Lee, J. Electr. Eng. Technol. 6, 539 (2011)
  • 22) Y-.H Lin,S. R. Thomas, Hendrik Faber , Ruipeng Li , Martyn A. McLachlan , Panos A. Patsalas , and Thomas D. Anthopoulos, A, Adv. Electron. Mater. 2, 1600070 (2016)
  • 22) H. Watakabe, Y. Tsunoda, N. Andoh, and T. Sameshima, J. Non-Cryst. Solids 299-302, 1321 (2002)
  • 22) H. He, Q. Yang, C. Liu, L. Sun, and Z. Ye, J. Phys. Chem. C 115, 58 (2011).
  • 21) M. W. Zhu, J. Gong, C. Sun, J. H. Xia, and X. Jiang, J. Appl. Phys. 104, 073113 (2008)
  • 21) H. Kim, A. Piqu , J.S. Horwitz, H. Murata, Z.H. Kafafi, C.M. Gilmore, D.B. Chrisey, Thin solid films, 377-378, 798-802 (2000)
  • 21) C. Chen, H. He, Y. Lu, K. Wu, and Z. Ye, ACS Appl. Mater. Interfaces 5, 6354 (2013).
  • 20) T. Minami, H. Nanto, S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys. 23, L280-L282 (1984)
  • 20) N. Naghavi, L. Dupont, C. Marcel, C. Maugy, B. La k, A. Rougier, C. Gu ry, and J. M. Tarascon, Electrochim. Acta 46, 2007 (2001)
  • 20) A. Wang, T. Chen, S, Lu, Z. Wu, Y. Li, H. Chen, and Y. Wang, Nanoscale Res. Lett. 10, 75 (2015).
  • 2) T. Hirao, M. Furuta, H. Furuta, T. Matsuda, T. Hiramatsu, H. Hokari, M. Yoshida, H. Ishii, M. Kakegawa, J. Soc. Inf. Disp. 15, 17 (2007)
  • 2) J. M. Caruge, J. E. Halpert, V. Wood, V. Bulović, and M. G. Bawendi, Nat. Photonics 2, 247 (2008).
  • 2) D. Khim, Y.-H. Lin, S. Nam, H. Faber, K. Tetzner, R. Li, Q. Zhang, J. Li, X. Zhang, and T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 29, 1605837 (2017)
  • 2) A. J. Morfa, G. Beane, B. Mashford, B. Singh, E. D. Gaspera, A. Martucci, and P. Mulvaney, J. Phys. Chem. C 114, 19815 (2010)
  • 19) S. B. Zhang, S.-H. Wei, A. Zunger, Phys. Rev. B, 63, 075205 (2001)
  • 19) R. W. Johnson, A. Hultqvist, and S. F. Bent, Mater. Today 17, 236 (2014).
  • 19) P. M. R. Kumar, C. S. Kartha, K. P. Vijayakumar, T. Abe, Y. Kashiwaba, F. Singh, and D. K. Avasthi, Semicond. Sci. Technol. 20, 120, (2005)
  • 18) H. Borchert, E. V. Shevchenko, A. Robert, I. Mekis, A. Kornowski, G. Gr bel, and H. Weller, Langmuir 21, 1931, (2005)
  • 18) E. Thimsen, M. Johnson, X. Zhang, A. J. Wagner, K. A. Mkhoyan, U. R. Kortshagen, and E. S. Aydil, Nat. Commun. 5, 5822 (2014).
  • 18) . zg r, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S.-J. Cho, and H. Morko , J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005)
  • 17) Y. Liu, J. Tolentino, M. Gibbs, R. Ihly, C. L. Perkins, Y. Liu, N. Crawford, J. C. Hemminger, and M. Law, Nano Lett. 13, 1578 (2013).
  • 17) Sharp Begins Production of World's First LCD Panels Incorporating IGZO Oxide Semiconductors”| Sharp-world.com. 2012-04-13. Retrieved 2015-11-01
  • 17) B. D. Cullity, Elements of X-Ray Diffraction, 2nd ed. Addison-Wesley, London (1978)
  • 16) S. J. Oh, N. E. Berry, J.-H. Choi, E. A. Gaulding, T. Paik, S.-H. Hong, C. B. Murray, and C. R. Kagan, ACS Nano 7, 2413 (2013).
  • 16) S. Ilican, Y. Caglar, M. Caglar, and B. Demirci, J. Optoelectron. Adv. M. 10, 2592 (2008)
  • 16) K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Science, 300, 1269 (2003)
  • 15) J.-H. Choi, A. T. Fafarman, S. J. Oh, D.-K. Ko, D. K. Kim, B. T. Diroll, S. Muramoto, J. G. Gillen, C. B. Murray, and C. R.Kagan, Nano Lett. 12, 2631 (2012).
  • 15) J. H. Song, K. S. Kim, Y. G. Mo, R. Choi, J. K. Jeong, IEEE ELECTR DEVICE L, 35, 853 (2014)
  • 15) G. Hu, B. Kumar, H. Gong, E. F. Chor, and P. Wu, Appl. Phys. Lett. 88, 101901 (2006)
  • 14) S. J. Oh, N. E. Berry, J.-H. Choi, E. A. Gaulding, H. Lin, T. Paik, B. T. Diroll, S. Muramoto, C. B. Murray, and C. R. Kagan, Nano Lett. 14, 1559 (2014).
  • 14) D.-H. Lee, S.-Y. Han, G. S. Hermanc, C. Chang, J. Mater. Chem. 19, 3135 (2009)
  • 14) B. Choudhury, M. Dey, and A. Choudhury, int. nanolett. 3, 25 (2013)
  • 131) R. Buonsanti, A. Llordes, S. Aloni, B. A. Helms, and D. J. Milliron, Nano Lett. 11, 4706 (2011)
  • 130) W. Yu, X. Li, and X. Gao, Cryst. Growth.Des. 5, 151 (2005)
  • 13) S.-Jun Seo, C. G. Choi, Y. H. Hwang, B.-S. Bae, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 035106 (2009)
  • 13) S. Jeon, S.-E. Ahn, I. Song, C. J. Kim, U.-I. Chung, E. Lee, I. Yoo, A. Nathan, S. Lee, K. Ghaarzadeh, J. Robertson, and K. Kim, Nat. Mater. 11, 301 (2012)
  • 13) D. Yu, C. Wang, and P. Guyot-Sionnest, Science 300, 1277 (2003).
  • 129) S. K bisch, M. A. Gluba, C. Klimm, S. Krause, N. Koch, and N. H. Nickel, Appl. Phys. Lett. 103, 103106 (2013)
  • 128) M. Wang, S. H. Hahn, J. S. Kim, J. S. Chung, E. J. Kim, and K.-K. Koo, J. CRYST. GROWTH. 310, 1213 (2008)
  • 127) S. Cho, S.-H. Jung, J.-W. Jang, E. Oh, and K.-H. Lee, Cryst. Growth Des. 8, 4553 (2008)
  • 126) H. Zhang, D. Yang, X. Ma, Y. Ji, J. Xu, and D. Que, Nanotechnology, 15, 622 (2004)
  • 125) C. F. Klingshirn, A. Waag, and A. Hoffmann, Zinc Oxide: From Fundamental Properties Towards Novel Applications, Springer Science & Business Media, Jul 1, 2010 - Technology & Engineering
  • 124) H. Wang, W. Xu, S. Zhou, F. Xie, Y. Xiao, L. Ye, J. Chen, and J. Xu, J. Appl. Phys. 117, 035703 (2015)
  • 123) Y. S. Rim, H. Chen, Y. Liu, S.-H. Bae, H. J. Kim, and Y. Yang, ACS Nano, 8, 9680 (2014)
  • 122) B.-Y. Su, S.-Y. Chu, Y.-D. Juang, and H.-C. Chen, Appl. Phys. Lett. 102, 192101 (2013)
  • 121) Y. Choi, G. H. Kim, W. H. Jeong, H. J. Kim, B. D. Chin, J. W. Yu, Thin Solid Films, 518, 6249 (2010)
  • 120) P. K. Nayak, T. Busani, E. Elamurugu, P. Barquinha, R. Martins, Y. Hong, E. Fortunato, Appl. Phys. Lett. 97, 183504 (2010)
  • 12) W. B. Jacksona, R. L. Hoffman, G. S. Herman, Appl. Phys. Lett. 87, 193503 (2005)
  • 12) T. Kamiya, K. Nomura, M. Hirano, and H. Hosono, phys. stat. sol. (c), 5, 3098 (2008)
  • 12) D. Mocatta, G. Cohen, J. Schattner, O. Millo, E. Rabani, and U. Banin, Science 332, 77 (2011).
  • 119) Y. H. Yang, S. S. Yang, K. S. Chou, IEEE Electron Device Lett. 31, 969 (2010)
  • 118) G. H. Kim, H. S. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, H. J. Kim, Thin Solid Films, 517, 4007 (2009 )
  • 117) G. H. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, W. J. Park, H. J. Kim, J. Electrochem. Soc. 156, H7 (2009)
  • 116) S. K. Park, Y. H. Kim, J. I. Han, J. Physics D, 42, 125102 (2009)
  • 115) G. H. Kim, B. D. Ahn, H. S. Shin, W. H. Jeong, H. J. Kim, H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 94, 233501 (2009)
  • 114) J. H. Lim, J. H. Shim, J. H. Choi, J. Joo, K. Park, H. Jeon, M. R. Moon, D. Jung, H. Kim, H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 95, 012108 (2009)
  • 113) P. K. Nayak, J. A. Caraveo-Frescas, Z. Wang, M. N. Hedhili, and H. N. Alshareef, Adv. Electron. Mater. 1, 1500014 (2015)
  • 112) G. Liu, A. Liu, H. Zhu, B. Shin, E. Fortunato, R. Martins, Y. Wang, and F. Shan, Adv. Funct. Mater. 25, 2564 (2015)
  • 111) J.-S. Seo and B.-S. Bae, ACS Appl. Mater. Inter. 6, 15335 (2014)
  • 110) Y. S. Rim, H. Chen, X. Kou, H.-S. Duan, H. Zhou, M. Cai, H. J. Kim, and Y. Yang, Adv. Mater. 26, 4273 (2014)
  • 11) O. I. Mićić, S. P. Ahrenkiel, and A. J. Nozik, Appl. Phys. Lett. 78, 4022 (2001)
  • 11) K. S. Leschkies, M. S. Kang, E. S. Aydil, and D. J. Norris, J. Phys. Chem. C 114, 9988 (2010).
  • 11) J.-S. Park, J. K. Jeong, Y.-G. Mo, H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 262106 (2007)
  • 109) C. Avis, H. R. Hwang, and J. Jang, ACS Appl. Mater. Interf. 6, 10941 (2014)
  • 108) R. D. Chandra, M. Rao, K. Zhang, R. R. Prabhakar, C. Shi, J. Zhang, S. G. Mhaisalkar, and N. Mathews, ACS Appl. Mater. Inter, 6, 773 (2014)
  • 107) J.-S. Seo, J.-H. Jeon, Y. H. Hwang, H. Park, M. Ryu, S.-H. K. Park, and B.-S. Bae, Sci. Rep. 3, 2085 (2013)
  • 106) Y. J. Kim, B. S. Yang, S. Oh, S. J. Han, H. W. Lee, J. Heo, J. K. Jeong, and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 3255 (2013)
  • 105) T.-J. Ha and A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 102, 123506 (2013)
  • 104) K.-H. Lim, K. Kim, S. Kim, S. Y. Park, H. Kim, and Y. S. Kim, Adv. Mater. 25, 2994 (2013)
  • 103) W. H. Jeong, G. H. Kim, H. S. Shin, B. Du Ahn, H. J. Kim, M. K. Ryu, K. B. Park, and J. B. Seon, S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 96, 093503 (2010)
  • 102) M. G. Kim, H. S. Kim, Y. G. Ha, J. Q. He, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti, and T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 132, 10352 (2010)
  • 101) Y. Choi, G. H. Kim, W. H. Jeong, H. J. Kim, B. D. Chin, and J. W. Yu, Thin Solid Films, 518, 6249 (2010)
  • 100) J. S. Ahn, J. J. Lee, G. W. Hyung, Y. K. Kim, and H. Yang, J. Physics D, 43, 275102 (2010)
  • 10) M. G. Bawendi, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, Annu. Rev. Phys. Chem. 477, 41 (1990).
  • 10) K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004)
  • 10) A. P. Alivisatos, Science 271, 933 (1996)
  • 1) S. Coe, W.-K. Woo, M. Bawendi, and V. Bulović, Nature 420, 800 (2002).
  • 1) L. Schmidt-Mende and J. L. MacManus-Driscoll, Mater. Today 10, 40 (2007)
  • 1) H. Faber, S. Das, Y.-H. Lin, N. Pliatsikas, K. Zhao, T. Kehagias, G. Dimitrakopulos, A. Amassian, P. A. Patsalas, and T. D. Anthopoulos, Sci. Adv. 3, e1602640 (2017)
  • 1) E. Fortunato, P. Barquinha, and R. Martins, Adv. Mater. 24, 2945 (2012)