연구동향 분석
박사

자화 유도 결합 플라즈마를 이용한 이온 빔 식각 장치 설계 및 MTJ layer 물질들의 식각 특성에 관한 연구 = Design of Ion Beam Etcher appllying Magnetized Inductively Coupled Plasma and a Study on etch characteristics of MTJ layer materials

김지원 2017년

논문상세정보
    • 저자 김지원
    • 형태사항 26 cm
    • 일반주기 지도교수: 홍용택
    • 학위논문사항 학위논문(박사)-, 전기·컴퓨터공학부 전자물리, 2017. 8, 서울대학교 대학원
    • DDC 621.3
    • 발행지 서울
    • 언어 kor
    • 출판년 2017
    • 발행사항 서울대학교 대학원
    유사주제 논문( 4,648)
인용/피인용
' 자화 유도 결합 플라즈마를 이용한 이온 빔 식각 장치 설계 및 MTJ layer 물질들의 식각 특성에 관한 연구 = Design of Ion Beam Etcher appllying Magnetized Inductively Coupled Plasma and a Study on etch characteristics of MTJ layer materials' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 응용 물리
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
4,649 0

0.0%

' 자화 유도 결합 플라즈마를 이용한 이온 빔 식각 장치 설계 및 MTJ layer 물질들의 식각 특성에 관한 연구 = Design of Ion Beam Etcher appllying Magnetized Inductively Coupled Plasma and a Study on etch characteristics of MTJ layer materials' 의 참고문헌

  • 전력전자 학술대회 우수논문
  • “플라즈마 식각기술”
    염근영 미래컴 [2006]
  • “초고진공 전자 싸이클로트론 공명 플라즈마 화학 기상 증착에 의한 저온 실리콘 단결정 성장 특성에 관한 연구”
    태흥식 서울대학교 대학원 공학박사 학위논문 [1990]
  • “전자 회전 공명 플라즈마 식각 장치에서의 산화막 식각 특성 및 식각 구조에 관한 연구”
    도현호 서울대학교 대학원 공학박사 학위논문 [1997]
  • “자화된 유도결합형 플라즈마에서 ACL 및 TSV 건식 식각 특성에 관한 연구”
    김완수 [2015]
  • 박사
    “자화 유도 결합 플라즈마의 건식 식각 특성에 관한 연구”
    이호준 서울대학교 대학원 공학박사 학위논문 [1996]
  • 박사
    “응용 공정별 맞춤형 플라즈마 건식 식각에 관한 연구”
    박완재 서울대학교 대학원 공학박사 학위논문 [2012]
  • “약 자장이 인가된 유도 결합 플라즈마의 특성과 응용에 관한 연구”
    이우현 서울대학교 대학원 공학박사 학위논문 [2015]
  • “비방전 보조 펄스를 이용한 직류 플라즈마 디스플레이 채널의 특성”
    최경철 서 울대학교 대학원 공학박사 학위논문 [1993]
  • 박사
    “대면적 공정을 위한 자화 유도 결합 플라즈마 장치의 설계 및 공정 특성에 관한 연구”
    정희운 [2014]
  • “다양한 진단 방법을 이용한 약자장이 걸린 유도 결합 플라즈마에 대한 연구”
    김혁 서울대학교 대학원 공학박사 학위논문 [2013]
  • “고밀도 건식 식각기술에 관한 연구(최종보고서)”
    한국 전자 통신연구소 [2000]
  • “JET 플라즈마의 ICRH에 의한 공명 이온 가열에 관한 연구”
    이홍식 서울대학교 대학원 공학박사 학위논문 [1990]
  • “Etch 장비 기술 동향”
    김홍습 반도체 산업, 제 12월호, pp. 34-36 [2011]
  • http://en.wikipedia.org/wiki/Finite_element_method
  • davod K. Cheng, Field and Wave Electromagnetics, 2nd Ed. ADDISON-WESLEY, Chap. 6, (1989)
  • Y. Yamamura, Radiation effects, Vol 55, pp. 49-56 (1981)
  • Y. Shin, Proc. Symp. VLSI Circuits, pp. 156-159, Jun. (2005)
  • Y. Ohsawa, N. Shimomura, T. Daibou, Y. Kamiguchi, S. Shirotori, T. Inokuchi, D. Saida, B. Altansargai, Y. Kato, H. Yoda, T. Ohkubo and K. Hono, IEEE Trans. Magn., Vol. 52, No. 7, 3400803 (2016)
  • Y. Ohara, S. Matsuda, H. Shirakata and S. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 17, No. 2 pp. 423-428 (1978)
  • Y. Lu, Y. Chen and Y. An, Acta. Mech. Sin. 25 pp.769-776 (2009)
  • Y. Iba, A. Takahashi, A. Hatada, M. Nakabayashi, C. Yoshida, Y. Yamazaki, K. Tsunoda, and T. Sugii, Symposium on VLSI Technol. Digest of Technical papers (2014)
  • Y. I. Sung, H. B. Lim and R. S. Houk, J. Anal. At. Spectrom., vol. 17, pp.565-569 (2002)
  • X. Peng, S. Wakeham, A. Morrone, S. Axdal, M. Feldbaum, J. Hwu, T. Boonastra, Y. Chen and J. Ding, Vacuum, 83, 1007-1013 (2009)
  • William Stallings, Computer Organization and Architecture, 8th Ed. (2010)
  • W. Kratschmer et al., Nature, 170, pp. 167 (1990)
  • W. J. Gallagher, S. S. P. Parkin, Yu Lu, X. P. Bian, A. Marley, K. P. Roche, R. A. Altman, S. A. Rishton, C. Jahnes, T. M. Shaw, and Gang Xiao, J. Appl. Phys. 81, 3741 (1997).
  • W. H. Lee, H. W. Cheong, J. W. Kim and K. W. Whang, Plasma Sources Sci. Technol., 24, 065012 (2015)
  • W. H. Lee, H. Kim, W. J. Park, W. S. Kim, D. H. Kim, J. W. Kim, H. W. Cheong and K. W. Whang, J. Appl. Phys. 117 173302 (2015)
  • W. C. Lathem, Journal of Spacecraft and Rockets, Vol. 6 1237 (1969)
  • V. Georgieva, A. Bogaerts, and R. Gijbels, Phys. Rev. E 69, 026406 (2004)
  • V. E. Golant, V. I. Fedrov, RF Heating in Toroidal Fusion Devices, Plenum Press, New York (1989)
  • U. Kortshagen, M. Zethoff, Plasma Sources Sci. Technol. 4, pp. 541-550. (1995)
  • Tsai W, Mueller G, Lindquist R, Frazier B and Vahedi V, J. Vac. Sci. Technol. B 14, pp. 3276 (1996)
  • Toshiro Ono, Masatoshi Oda, Chiharu Takahashi and Seitaro Matsuo, J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 696 (1986)
  • Tomonori Mukai, Butsurin Jinnai, Yoshiyuki Fukumoto, Norikazu Ohshima, and Hiromitsu Hada and Seiji Samukawa, J. Appl. Phys., 102, 073303 (2007)
  • T. Y. Lee, I. H. Lee and C. W. Chung, Thin Solid Films, 547, 146-150 (2013)
  • T. Kawahara, K. Ito, R. Takemura and H. Ohno, Microelectron. Reliab. 52, 613-627 (2012)
  • Sun P, Wang R, Tong G, Zhang J, Fang J. Second International Conference on Plasma Medicine. San Antonio, Texas, USA (2009)
  • S. Yuasa and D. D. Djayaprawira, Phys. D: Appl. Phys. 40 R337-R354 (2007)
  • S. Xuan, B. Costel, H. Robert and E. S. Earl, Plasma Sources Sci. Technol. 13 359-370 (2004)
  • S. Wang, X. Zhang, H. Wang, L. Liu, R. Zhou, S. Yang and D. Liu, Adv. Mat. Res., 724-725, pp.686-691 (2013)
  • S. W. Chun, D. H. Kim, J. H. Kwon, B. H. Kim, S. J. Choi and S. B. Lee, J. Appl. Phys. 111, 07C722 (2012)
  • S. Takahashi, T. Kai, N. Shimomura, T. Ueda, M. Amano, M. Yoshikawa, E. Kitagawa, Y. Asao, S. Ikegawa, T. Kishi, H. Yoda, K. Nagahara,,T. Mukai, and H. Hada, IEEE Trans. Magn., Vol. 42, No. 10, 2745 (2006)
  • S. S. Kim, C. S. Chang, N. S. Yoon and K. W. Whang, Phys. Plasmas, Vol. 6, 2926 (1999)
  • S. Mitani, K. Tsukamoto, T. Seki, T. Shima and K. Takanashi, IEEE Trans. Magn., Vol 41, No. 10 (2005)
  • S. Matsuo and Y. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 21, No. 1, pp. L4-L6 (1982)
  • S. M. Rossnagel, J. J. Cuomo and W. D. Westwood, Handbook of Plasma Processing Technology, Noyes Publications. (1990)
  • S. H. Song, Y. Yang, P. Chabert and Mark J. Kushner, Phys. Plasmas 21, 093512 (2014)
  • S. H. Jeong, T. S. Kim, K. W. Lee, D. H. Chang, S. R. In and Y. S. Bae, Rev. Sci. Instrum., 85, 02B316 (2014)
  • S. G. Ingram and N. S. J. Braithwaite, J. Phys. D 21, 1496 (1988)
  • R. H. Bruce and A. R. Reinberg, Proc. 2nd Symp. Dry Process, pp. 131 (1980)
  • R. C. Sousa and I. L. Prejbeanu, C. R. Physique, 6, 1013-1021 (2005)
  • P. Y. Nabhiraj, R. Menon, G. M. Rao, S. Mohan, R. K. Bhandari, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 621 pp.57-61 (2010)
  • P. W. Fok, R. R. Rosales and D. Margetis, Phys. Rev. B, 78, 235401 (2008)
  • P. Subramoniuma, M. J. Kushner, J. Appl. Phys. 96, pp. 82-93 (2004)
  • P. G. Gloersen, J. Vac. Sci. Technol. Vol. 12, 28 (1975)
  • Nishant Sirse, Cleo Harvey, Cezar Gaman, Bert Ellingboe, 69th Annual Gaseous Electronics Conference Volume 61, Number 9, Bochum, Germany (2016)
  • N. A. Krall and A. W. Trivelpiece, “Principles of Plasma Physics”, McGraw-HILL (1973)
  • Myoung-Jae Lee, Chang Bum Lee, Dong Soo Lee, Seung Ryul Lee, Man Chang, Ji-Hyun Hur, Young-Bae Kim, Chang-Jung Kim, David H. Seo, Sunae Seo, U-In Chung, In-Kyeong Yoo and Kinam Kim, Nature Mater. Vol. 10, August (2011)
  • M. Zeuner, H. Neumann, F. Scholze, D. Flamm, M. Tartz and F. Bigl, Plasma Sources Sci. Technol. 7, 252-267 (1998)
  • M. S. Kim, Y. Kim, M. S. Lee, Y. J. Park, S. I. Kim and S. K. Min, J. Crystal Growth, 139, 231-237 (1994)
  • M. MingXiu, K. G. Stephens, B. J. Sealy and J. E. Mynard, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 288, pp. 303-307 (1990)
  • M. J. Forrestal, B. S. Altman, J. D> Cargile and S. J. Hanchak, Int. J. Impact Engng., Vol. 15, No. 4, pp. 395-405 (1994)
  • M. H. Jeon, S-K. Kang, J. Y. Park and G. Y. Yeom, J. Korean phys. Soc. Vol. 59, No. 5, Nov. (2011)
  • M. Aoki, H. Noshiro, K. Ysunoda, Y. Iba, A. Hatada, M. Nakabayashi, A. Takahashi, C. yoshida, Y. Yamazaki, T. Takenaga and T. Sugii, VLSI Tech. Dig., 9-3 (2013)
  • M. A. Lieberman, J. P. Booth, P Chabert, J. M. Rax and M. M. Turner, Plasma Sources Sci. Technol. 11, pp. A283 (2002)
  • M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, 2nd Ed. John Wiley & Sons, New Jersey, pp. 9, 176 (2005)
  • Larry F. Weber, IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 34, No.2, april (2006)
  • L. Mader and J. Hoepfner, J. Electrochem. Soc., Vol. 123, No. 12 (1976)
  • L. M. Ephrath and E. J. Petrillo, J. Electrochem. Soc., Vol. 129, No. 10 (1982)
  • Kangho Lee and Seung H. Kang, IEEE Trans. Magn., Vol. 47, No. 1, January (2011)
  • K. Terasaka, S. Yoshimura, K. Ogiwara, M. Aramaki and M. Y. Tanaka, Physics of Plasmas, Vol. 17, No. 7, pp.072106 (2010)
  • K. Sugiura, S. Takahashi, M. Amano, T. Kajiyama, M. Iwayama, Y. Asao, N. Shimomura, T. Kishi, S. Ikegawa, H. Yoda and A. Nitayama, Jpn. J. Appl. Phys.48 08HD02 (2009)
  • K. Ono, T. Oomori, M. Tuda and K. Namba, J. Vac. Sci. Technol. A 10, pp. 1071 (1992)
  • K. Kinoshita, H. Utsumi, K. Suemitsu, H. Hada and T. Sugibayashi, Jpn. J. Appl. Phys. 49 08JB02 (2010)
  • K. Ikeda, Y. Takeiri, O. Kaneko, K. Nagaoka, Y. Oka, M. Osakabe, K. Tsumori, M. Sato, E. Asano, and T. Kawamoto, Rev. Sci. Instrum.,75, 1744 (2004)
  • James F. Ziegler, Jochen P. Biersack and Matthias D. Ziegler, The Stopping and Range of Ions in Matter (2008)
  • J. W. Coburn and E. Kay, J. Appl. Phys. 43, 4965 (1972)
  • J. M. E. Harper, J. J. Cuomo, P. A. Leary, G. M. Summa, H. R. Kaufman and F. J. Bresnock, J. Electrochem. Soc., Vol. 128, No. 5 (1981)
  • J. Hopwood, C. R. Guarinieri, S. J. Whitehair and J. J. Cuomo, J. Vac. Sci. Technol. A 11, pp. 147 (1993)
  • J. H. Jung, S. H. Lim and S. R. Lee, J. Appl. Phys., 108, 113902 (2010)
  • J. G. Zhu and C. D. Park, Materials Today, Vol. 9, 36-45 (2006)
  • J. C. Slonczewski, J. Magn. Magn. Mater., 159, L1-L7 (1996)
  • Itagaki N, Iwata S, Muta K, Yonesu A, Kawakami S, Ishii N and Kawai Y, Thin Solid Films. 435, 259-263 (2003)
  • I. H. Lee, T. Y. Lee, S. M. Hwang and C. W. Chung, Vacuum, 101, 394-398 (2014)
  • I. H. Lee, T. Y. Lee, C. W. Chung, Vacuum, 97, 49-54 (2013)
  • Ho-Jun Lee, Il-Dong Yang and Ki-Woong Whang, Plasma Sources Sci. Technol., 5 pp.383-388 (1996)
  • H. W. Lehmann, L. Krausbauer and R. Widmer, J. Vac. Sci. Technol., 14, 281 (1977)
  • H. W. Cheong, W. H. Lee, J. W. Kim, W. S. Kim, and K. W. Whang, Plasma Sources Sci. Technol., 23, 065051 (2014)
  • H. W. Cheong, W. H. Lee, J. W. Kim, K W Whang, H. Kim and W. J. Park, J. Vac. Sci. Technol. A 33, 041304 (2015)
  • H. M. Kudyan, Rev. Sci. Instrum. 49, pp. 8-10. (1978)
  • H. C. Lee, J. Y. Bang, C. W. Chung, Thin Solid Films 519 pp. 7009-7013 (2011)
  • H. C. Lee, H. J. Oh, C. W. Chung, Plasma Sources Sci. Technol. 21, 035003 (2012)
  • H Abe, M Yoneda and N Fujiwara, Jpn. J. Appl. Phys. 47, pp. 1435 (2008)
  • G. Feng, Y. Fu, J. S. Xia, J. J. Zhu, B. S. Zhang, X. M. Shen, D. G. Zhao, H. Yang and J. W. Liang, Phys. D: Appl. Phys., 35, 2731-2734 (2002)
  • G. D. Conway, A. J. Perry, and R. W. Boswell, Plasma Sources Sci. Technol. 7, 337 (1998)
  • G. Brauchle, S. Richard-Schneider, D. Illig, R. D. Beck, H. Schreiber, M. M. Kappes, Nucl. Instr. And Meth. In Phys. Res. B, 112, 105-108 (1996)
  • G. Aston, H. R. Kaufman,and P. J. Wilbur, AIAA J. Vol. 16, 516 (1978)
  • G. Aston and H. R Kaufman, AIAA J. Vol. 17, 64 (1979)
  • F. F. Chen, Introduction to Plasma Physics and Controlled Fusion, vol.1: Plasma Physics, 2nd Ed. Plenum Press, New York and London, Chap. 1 (1984)
  • E. H. Kim, Y. B. Xiao, S. M. Kong, C. W. Chung, Thin Solid Films, 519, 8223-8228 (2011)
  • E. H. Kim, T. Y. Lee and C. W. Chung, J. Electrochem. Soc., 159, H230-H234 (2012)
  • E. A. Edelberg, A. Perry, N. Benjamin, and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 506 (1999)
  • D. L. Smith, Thin-Film Deposition Principles & Practice, McGraw-Hill (1995)
  • D. Cheng, D. Maydan, S. Somekh, K. R. Stalder, D. L. Andrews, M. Chang, J. M. White, J. Y.Wong, V. J. Zeitlin, and D. N.Wang, U.S. Patent No. 5,215,619.
  • C. W. Chien, D. Y. Wang, K. H. Shen, S. H. Huang, K. M. Kuo, S. Y. Yang, Y. H. Wang, T. K. Ku and D. L. Deng, IEEE. Elec. Dev. Lett. Vol 34, No. 2 (2013)
  • C. P. DeNeef and A. J. Theiss, Rev. Sci. Instrum. 50, 6, pp. 378 (1979)
  • C. D. W. Wilkinson and M. Rahman, Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, 362 (2004)
  • C. Bohm and J. Perrin, Rev. Sci. Instrum. 64, 31 (1993)
  • Benjamin W. Longmie, Jared P. Squire, Chris S. Olsenr, Leonard D. Cassady, Maxwell G. Ballenger, Mark D. Carter, Andrew V. Ilin, Tim W. Glover, Greg E. McCaskill, Franklin R. Chang D az and Edgar A. Bering, Journal of Propulsion and Power, Vol. 30, No. 1, January- February (2014)
  • B. N. Engel, J. kerman, B. Butcher, R. W. Dave, M. DeHerrera, M. Durlam, G. Grynkewich, J. Janesky, S. V. Pietambaram, N. D. Rizzo, J. M. Slaughter, K. Smith, J. J. Sun, and S. Tehrani, IEEE Trans. Magn., Vol. 41, No. 1, January (2005)
  • B. E. Cherrington, Gaseous Electronics and Gas Lasers, Pergamon Press (1979)
  • Albert Fert Rev. Mod. Phys., 80, No. 4, 1517-1530 (2004)
  • A. Von Angel, Ionized Gases, Oxford University Press (1965)
  • A. V. Khvalkovskiy, D. Apalkov, S. Watts, R. Chepulskii, R. S. Beach, A. Ong, X. Tang, A. Driskill-Smithm W. H. Butler, P. B. Visscher, D. Lottis, E. Chen, V. Nikitin and M. Krounbi, J. Phys. D: Appl. Phys. 46, 139601 (2013)
  • A. P. Mahorowala and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol B, 20, 1077 (2002)
  • A. M. Voshchenkov, J. Vac. Sci. Technol. A 11 (4), pp. 1211 (1993)
  • A. K. Quick, R. T. S. Chen and N. Hershkowitz, J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 1041 (1996)
  • A. Hassan, A. Elsaftawy, S. G. Zakhary, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 586 pp. 148- 152 (2008)
  • A. Grill, Cold Plasma in Material Processing, IEEE Press, New York (1993)
  • A. F. Burenkov, F. F. Komarov and S. A. Fedotov, Nucl. Instr. And Meth. In Phys. Res. B, 67, 30-34 (1992)
  • A. D. Kuypers and H. J. Hopman, J. Appl. Phys. 63, 1894 (1988)
  • A. B. Mikhailovskii, Theory of Plasma Instabilities, Volume 2: Instabilities of an Inhomogeneous Plasma,Consultants Bureau, New York (1974)