연구동향 분석
박사

SiNx-Based Resistive Memory with Built-in Selectors = 자체 선택소자 기능을 가진 질화막 기반의 저항변화메모리

김성준 2017년

논문상세정보
    • 저자 김성준
    • 형태사항 26 cm
    • 일반주기 지도교수: 박병국
    • 학위논문사항 학위논문(박사)-, 전기·컴퓨터공학부, 서울대학교 대학원, 2017. 8
    • DDC 621.3
    • 발행지 서울
    • 언어 eng
    • 출판년 2017
    • 발행사항 서울대학교 대학원
    유사주제 논문( 4,648)
인용/피인용
' SiNx-Based Resistive Memory with Built-in Selectors = 자체 선택소자 기능을 가진 질화막 기반의 저항변화메모리' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 응용 물리
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
4,649 0

0.0%

' SiNx-Based Resistive Memory with Built-in Selectors = 자체 선택소자 기능을 가진 질화막 기반의 저항변화메모리' 의 참고문헌

  • Z. Wang, M Yin, T. Zhang, Y. Cai, Y. Wang, Y. Yang, R. Huang, Nanoscale, 2016, 8, 14051-14022.
  • Z. Wang, J. Kang, Z. Yu, Y. Fang, Y. Ling, Y. Cai, R. Huang, and Y. Wang, Nanotechnology, 2017, 28, 055204.
  • Z. Q. Wang, H. Y. Xu, X. H. Li, H. Yu, Y. C. Liu, X. J. Zhu, Adv. Funct. Mater., 2012, 22, 2759-2765.
  • Y.-F. Chang, B. Fowler, Y.-C. Chen, F. Zhou, C.-H. Pan, T.-C. Chang and J. C. Lee, Sci. Rep., 2016, 6, 21268.
  • Y.-F. Chang, B. Fowler, Y.-C. Chen and J. C. Lee, Prog. Solid State Chem., 2016, 44, 75.
  • Y. Li, Y. Zhong, L. Xu, J. Zhang, X. Xu, H. Sun, X. Miao, Sci. Rep., 2013, 3, 1619.
  • Y. Hou, U. Celano, L. Goux, L. Liu, A. Fantini, R. Degraeve, A. Youssef, Z. Xu, Y. Cheng, J. Kang, M. Jurczak and W. Vandervorst, Appl. Phys. Lett., 2016, 108, 123106.
  • X.-B. Yin, Z.-H. Tan, and X. Guo, Phys. Chem. Chem. Phys., 2015, 17, 134-137.
  • X. Y. Li, X. L. Shao, Y. C. Wang, H. Jiang, C. S. Hwang, J. S. Zhao, Nanoscale, 2017, 9, 2358–2368.
  • X. Jiang, Z. Ma, J. Xu, K. Chen, L. Xu, W. Li, X. Huang, and D. Feng, Sci. Rep., 2015, 5, 15762.
  • W.S. Zhao, Y. Zhang, T. Devolder, J.O. Klein, D. Ravelosona, C. Chappert and P. Mazoyerc, Microelectron. Eng., 2012, 52, 1848–1852.
  • W. J. Chang, M. P. Houng, and T. H. Wang, J. Appl. Phys., 2001, 89, 6285.
  • U. Chand, K.-C. Huang, C.-Y. Huang, and T.-Y. Tseng, IEEE Trans. Electron. Dev., 2015, 62, 3665-3669.
  • U. Celano, G. Giammari, L. Goux, A. Belmonte, M. Jurczaka and W. Vandervorst, Nanoscale, 2016, 8, 13915-13923
  • T.-L. Tsai, Y.-H. Lin and T.-Y. Tseng, IEEE Electron. Dev. Lett., 2015, 36, 675–677.
  • S. Yu, Y. Wu, R. Jeyasingh, D. Kuzum, H.-S.P. Wong, IEEE Trans. Electron. Dev., 2011, 58, 2729-2737.
  • S. Tirano, L. Perniola, J. Buckley, J. Cluzel, V. Jousseaume, Ch. Muller, D. Deleruyelle, B. De Salvo and G. Reimbold, Microelectron. Eng., 2011, 88, 1129–1132.
  • S. Raoux, W. Wełnic and D. Ielmini, Chemical Reviews, 2010, 110, 240– 267.
  • S. M. Hong, H. D. Kim, H. M. An and T. G. Kim, IEEE Electron. Dev. Lett., 2013, 34, 1181–1183.
  • S. Long, X. Lian, C. Cagli, X. Cartoix , R. Rurali, E. Miranda, D. Jim nez. L. Perniola, M. Liu and J. Sun , Appl. Phys. Lett., 2013, 102, 183505.
  • S. Kim, Y.-F. Chang, and B.-G. Park, RSC Adv. 2017, 7, 17882-17888.
  • S. Kim, S. Jung, M.-H. Kim, T.-H. Kim, S. Bang, S. Cho, and B.-G. Park, Nanotechnology, 2017, 28, 125207.
  • S. Kim, S. Jung, M.-H. Kim, S. Cho, and B.-G. Park, Appl. Phys. Lett., 2015, 106, 212106.
  • S. Kim and B.-G. Park, Appl. Phys. Lett., 2016, 108, 212103.
  • R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov and K. Szot, Adv. Mater., 2009, 21, 2632–2663.
  • Q. Li, Y. Li, L. Gao, F. Ma, Z. Song and K. Xu, RSC Adv., 2016, 6, 42347– 42352.
  • P. Lorenzi, R. Rao, F. Irrera, J. Su , and E. Miranda, Appl. Phys. Lett., 2015, 107, 113507.
  • M.-J. Lee, C. B. Lee, D. Lee, S. R. Lee, M. Chang, J. H. Hur, Y.-B. Kim, C.- J. Kim, D. H. Seo and S. Seo, Nat. Mater. 2011, 10, 625-630.
  • M.-C. Wu, Y.-W. Lin, W.-Y. Jang, C.-H. Lin and T.-Y. Tseng, IEEE Electron. Dev. Lett., 2011, 32, 1026–1028.
  • M. P. Houng, Y. H. Wang, and W. J. Chang, J. Appl. Phys., 1999, 86, 1488.
  • M. Lenzlinger and E. H. Snow, J. Appl. Phys., 1968, 40, 278-283.
  • L. Zhao, H.-Y. Chen, S.-C. Wu, Z. Jiang, S. Yu, T.-H. Hou, H.-S. Philip Wong and Y. Nishi, Nanoscale, 2014, 6, 5698–5702.
  • L. Ji, Y.-F. Chang, B. Fowler, Y.-C. Chen, T.-M. Tsai, K.-C. Chang, M.-C. Chen, T.-C. Chang, S. M. Sze, E. T. Yu, J. C. Lee, Nano Lett., 2013, 14, 813– 818.
  • L. Goux, N. Raghavan, A. Fantini, R. Nigon, S. Strangio, R. Degraeve, G. Kar, Y. Y. Chen, F. De Stefano and V. Afanas, J. Appl. Phys. 2014, 116, 134502.
  • K. J. Yoon, S. J. Song, J. Y. Seok, J. H. Yoon, T. H. Park, D. E. Kwon, C. S. Hwang, Nanoscale, 2014, 6, 2161–2169.
  • J. Woo, K. Moon, J. Song, S. Lee, M. Kwak, J. Park, H. Hwang, IEEE Electron, Dev. Lett., 2016, 37, 994-997.
  • J. M. Luo, S. H. Chen, S. L. Bu, and J. P. Wen, J. Alloys. Compd., 2014, 601, 100-10
  • J. Lee, W.D. Lu, E. Kioupakis, Nanoscale, 2017, 9, 1120–1127.
  • J. J. Yang, D. B. Strukov, and D. R. Stewart, Nature Nanotechnol., 2013, 8, 13-24.
  • J. H. Yoon, S. J. Song, I.-H. Yoo, J. Y. Seok, K. J. Yoon, D. E. Kwon, T. H. Park and C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater., 2014, 24, 5086–5095.
  • J. Chen, K.-C. Chang, T.-C. Chang, T.-M. Tsai, C.-H. Pan, R. Zhang, J.-C. Lou, T.-J. Chu, C.-H. Wu, M.-C. Chen, Y.-C. Hung, Y.-E. Syu, J.-C. Zheng and S. M. Sze, IEEE Electron. Dev. Lett., 2015, 36, 1138–1140.
  • J. B. Houdt, 2017 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 24-25.
  • ITRS roadmap 2010: http://www.itrs2.net/itrs-reports.html
  • H. Zhang, L. Liu, B. Gao, Y. Qiu, X. Liu, J. Lu, R. Han, J. Kang and B. Yu, Appl. Phys. Lett, 2011, 98, 042105.
  • H. Lv, H. Wan, and T. Tang, IEEE Electron, Dev. Lett., 2010, 31, 978-980.
  • H. J. Wan, P. Zhou, L. Ye, Y. Y. Lin, T. A. Tang, H. M. Wu and M. H. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., 2010, 31, 246–248.
  • H. D. Kim, H. M. An and T. G. Kim, Microelectronic. Eng., 2012, 98, 351.
  • G. W. Burr, R. S. Shenoy, K. Virwani, P. Narayanan, A. Padilla, B. Kurdi, H. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. B 2014, 32, 040802.
  • F. Zhou, Y.-F. Chang, Y.-C. Chen, X. Wu, Y. Zhang, B. Fowler, J. C Lee, Phys. Chem. Chem. Phys., 2016, 18, 700–703.
  • F. Zhou, Y.-F. Chang, B. Fowler, K. Byun and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 2015, 106, 063508.
  • F. Zhang, H. Y. Yu, N. Singh, G. Q. Lo, D. L. Kwong, IEEE Electron, Dev. Lett., 2011, 32, 566-568.
  • D. Kuzum, R. G. D. Jeyasingh, B. Lee, H.-S.P. Wong, Nano Lett. 2012, 12, 2179–2186.
  • D. Kumar, R. Aluguri, U. Chand, and T.-Y. Tseng, Appl. Phys. Lett., 2017, 110, 203102.
  • D. A. Chanthbouala, V. Garcia, R. O. Cherifi, K. Bouzehouane, S. Fusil, X. Moya, S. Xavier, H. Yamada, C. Deranlot, N. D. Mathur, M. Bibes, A. Barth l my, Nat. Mat. 2012, 11, 860–864.
  • C.-S. Yang, D.-S. Shang, Y.-S. Chai, L.-Q. Yan, B.-G. Shen Y. Sun, Phys. Chem. Chem. Phys., 2017, 19, 4190-4198.
  • C.-C. Hsieh, A. Roy, Y.-F. Chang, D. Shahrjerdi, S.K. Banerjee, Appl. Phys. Lett., 2016, 109, 223501.
  • C. Y. Lu and K.Y. Hsieh, Microelectron. Eng., 2009, 86, 283–286.
  • C. Diorio, P. Hasler, A. Minch, C. A. Mead, IEEE Trans, Electron Dev. 1996, 43, 1972–1980.
  • B. Fowler, Y.-F. Chang, F. Zhou, Y. Wang, P.-Y. Chen, F. Xue, Y.-T. Chen, B. Bringhurst, S. Pozder and J. C. Lee, RSC Adv., 2015, 5, 21215–21236.
  • A. Prakash, D. Deleruyelle, J. Song, M. Bocquet and H. Hwang, Appl. Phys. Lett., 2015, 106, 233104.
  • A. Mehonic, S. Cueff, M. Wojdak, S. Hudziak, C. Labb , R. Rizk and A. J Kenyon, Nanotechnology, 2012, 23, 455201.
  • A. Mehonic, A. Vrajitoarea, S. Cueff, S. Hudziak, H. Howe, C. Labb , R. Rizk, M. Pepper and A. J Kenyon, Sci. Rep., 2013, 3, 2708.