논문상세정보
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- 저자 금종민
- 기타서명 Study on the optimization of trenchetch and ion implantation designing SiC super junction MOSFET
- 형태사항 xv, 106장 :: 26 cm: 삽화, 도표
- 일반주기 지도교수: 成萬永, 참고문헌: 장 90-106
- 학위논문사항 학위논문(박사)-, 고려대학교 대학원, 2016. 8, 전기전자전파공학과
- 발행지 서울
- 언어 kor
- 출판년 2016
- 발행사항 고려대학교 대학원
- 주제어 Super Junction SiC 이온주입 트렌치