연구동향 분석
박사

GaN on Si 기술 구현을 위한 실리콘 기판 상의 텅스텐카바이드 버퍼 성막과 GaN 성장

최성국 2016년

논문상세정보
인용/피인용
' GaN on Si 기술 구현을 위한 실리콘 기판 상의 텅스텐카바이드 버퍼 성막과 GaN 성장' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 전자공학
  • Sputter
  • Tungsten carbide
  • gan
  • mbe
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
173 0

0.0%

' GaN on Si 기술 구현을 위한 실리콘 기판 상의 텅스텐카바이드 버퍼 성막과 GaN 성장' 의 참고문헌

  • Xiaobing Li, Dianzhao Sun, Jianping Zhang, and Meiying Kong, J. Cryst. Growth, 191, 31 (1998).
  • X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996)
  • X. Du, Y.Z. Wang, J. Li, G.Y. Zhang and H. Zhang, Solid State Communications, Vol. 107, No. 10, pp543-546 (1998)
  • T. Yao, M. Ogura, S. Matsuoka, and T. Morishita, Jpn. J. Appl. Phys., 22, L144 (1983).
  • T. Yao and S. Maekawz, J. Cryst. Growth, 53, 423 (1981).
  • T. Lia, C.R. Staddon, S.V. Novikov, P.F. Fewster, A. Widdowson, N.L. Andrew, P. Kidd, I. Harrison, A. Winser, Y. Liao, C.T. Foxon, J. Cryst. Growth 235, 103-110 (2002)
  • T. D. Moustakas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 395, 111 (1996).
  • T. D. Moustakas and R. J. Molnar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 281, 253 (1993).
  • S. Yu. Karpov, Yu. N. Makarov, M. S. Ramm, and R. A. Talalaev, J. Cryst. Growth, 187, 397 (1998).
  • S. Mikroulis, A. Georgakilas, A. Kostopoulos, V. Chimalla, E. Dimakis, and Ph. Komninou, Appl. Phys. Lett., Vol. 80, No. 16 (2002)
  • S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. V. Overstraeten, J. Appl. Phys., 87 (2000).
  • R. Held, D. E. Grawford, A. M. Johnsto, A. M. Dabiran, and P. L. Cohen, J. Electron. Mater., 26, 272 (1997).
  • N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, M. Mesrine, and M. La gt, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 618 (1999).
  • N. Grandjean and J. Massies, Appl. Phys. Lett., 71, 1816 (1997).
  • M. V. Averyanova, I. N. Przhevalsky, S. Y. Karpov, Y. N. Makarov, M. S. Ramm, and R. A. Talalaev, Internet MRS J. Nitride Semicond. Res., 1, 31 (1996).
  • M. Mesrine, N. Grandjean, and J. Massies, App. Phys. Lett., 72, 350 (1998).
  • J. C. Zolper and R. J. Shul, MRS Bull., 22, 36 (1997).
  • H.F. Liu, H. Chen, Z.Q. Li, L. Wan, Q. Huang, J.M. Zhou, N. Yang, K. Tao, Y.J. Han, Y. Luo, J. Cryst. Growth, 218, 191-196 (2000)
  • H. Okumura, K. Balakrishnan, H. Hamaguchi, T. Koizumi, S. Chichibu, H. Nakanishi, T. Nagatomo, S. Yoshida, JCG 189/190, 364-369 (1998)
  • H. Morkoc, A. Botchkarew, A. Salvador, and B. Sverdlov, J. Cryst. Growth, 150, 887 (1995).
  • H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, and T. Yao, J. Cryst. Growth, 275, e2459-e2465 (2005)
  • F. Karouta, J.L. Weyher, B. Jacobs, G. Nowak, A. Presz, I. Grzegory, and L.M.F. Kaufmann, Journal of Electronic Materials, Vol. 28, No. 12 (1999)
  • D. Li, M.Sumiya, K.Yoshimura, Y. Suzuki, Y. Fukuda, S. Fuke, Phys. stat. sol. (a) 180, 357 (2000)
  • D. L .Smith and V. Y. Pickhardt, J. Appl. Phys. Lett., 46, 2366 (1975).
  • D. Huang, P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, F. Yun, A. A. Baski, T. King, and H. Morkoc Appl. Phys. Lett., Vol. 78, No. 26 (2001)
  • C. T. Foxon and B. A. Joyce, Surf. Sci., 50, 434 (1975).
  • B. Gil, Group III Nitride Semiconductor Compounds (Clarendon, Oxford, 1998).
  • Antoine B r , Anna Serra, Materials Science and Engineering A365 241–246 (2004)
  • A. Y. Cho, M. B. Panish, and I. Hayashi, Proc. Symp. GaAs and Related Compounds, 2, 18 (1970).
  • A. Tabata, R. Enderlein, J. R. Leite, S. W. da Silva, J. C. Galzerani, D. Schikora, M. Kloidt, and K. Lischka, J. Appl. Phys. 79, 4137 (1996)