연구동향 분석
박사

Optical Characterization of GaAs based Quantum Dot and Well structures, and InAs Nanowires on Si for Infrared Photo Detection

최정우 2016년

논문상세정보
인용/피인용
' Optical Characterization of GaAs based Quantum Dot and Well structures, and InAs Nanowires on Si for Infrared Photo Detection' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 물리학
  • InAs 나노와이어
  • 적외선 검출기
  • 텍스쳐
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
344 0

0.0%

' Optical Characterization of GaAs based Quantum Dot and Well structures, and InAs Nanowires on Si for Infrared Photo Detection' 의 참고문헌

  • Z. Yuan, B. E. kardynal, R. M. Stevenson, A. J. Shields, C. J. Lobo, K. Cooper, N. S. Beattie, D. A. Ritchie, M. Pepper, Science 295, 102 (2002).
  • Y. Zhao, P. Fay, A. Wibowo, J. Liu, and C. Youtsey, J. Vac. Sci. Technol. B30(60), 06F401 (2012).
  • Y. H. Ko, D. H. Joo, and J. S. Yu, J. Korean Vac. Soc. 21, 99 (2012).
  • Y. Gu, Y. -G. Zhang, C. Li, K. Wang, H. -S. -B. -Y. Li, X. Li, X. Fang, Infrared Phys. Technal. 54, 497-502 (2011).
  • Y. D. Sharma, M. N. Kutty, R. V. Shenoi, A. Barve, S. Myers, J. Shao, E. Plis, S. J. Lee, S. K. Noh, S. Krishna, J. Vac. Sci. Technol. B 28, C3G1 (2010).
  • Y. -A. Chang, Z. -Y. Li, H. -C. Kuo, T. -C. Lu, S. -F. Yang, L. -W. Lai, and S. -C. Wang, Semicond. Sci. Techrol. 24, 085007 (2009).
  • X. Li and P. W. Bohn, Appl. Phys. Lett. 77, 2572 (2000).
  • W. Wel, X. -Y. Bao, C. Socl, Y. Ding, Z. -L. Wang, and D. Wang, Nano Lett. 9, 2926-2934 (2009).
  • W. -Y. Jang, M. M. Hayat, J. S. Tyo, R. S. Attaluri, T. E. vandervelde, Y. D. Sharma, R. Shenoi, A. Stintz, E. R. Cantwell, S. C. Bender, S. J. Lee, S. K. Noh, S. Krishna, J. Quantum Electron 45, 674 (2009).
  • V. L. Dalal, W. A. Hicinbothem Jr. and H. Kressel, Appl. Phys. Lett. 24, 184-185 (1974).
  • T. Yokoyama, H. Asoh, and S. Ono, Phys. Status Solidi A. 207, 934 (2010).
  • T. M rtensson, J. Tr g rdh, C. Larsson, M. Ra나, D. Hessman, L. Samuelson, and J. Ohlsson
    C. P. T. Svensson Nsnotechnology 19, 305201 [2008]
  • T. M rtensson, C. P. T. Svensson, B. A. Wacaser, M. W. Larsson, W. Seifert, K. Deppert, A. Gustafsson, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Nano Lett. 4, 1978-1990 (2004).
  • S. W. Jung, M. -A. Park, J. -H. Kim, H. Kim, C. -J. Choi, S. H. Kang, K. -S. Ahn, Curr. Appl. Phys. 7, 1532 (2013).
  • S. Sze, Physics of Semiconductor Device (2nd edition). Wiley New York (1981).
  • S. L. Diedenhofen, G. Grzela, E. Haverkamp, G. Bauhuis, J. Schermer, and J. G. Rivas, Solar Energy Meterials & Solar Cells 101, 308 (2012).
  • S. Krishna, S. Raghavan, A. L. Gray, A. Stintz, and K. J. Malloy, Appl. Phys. Lett. 80, 3898 (2002).
  • S. Krishna, J. Phys. D: Appl. Phys, 38(13), 2142 (2005).
  • S. Krishna, D. Forman, S. Annamajai, P. Dowd, P. Varangis, T. Tumolillo, A. Gray, J. Zilko, K. Sun, M. Liu, J. Campbell, D. Carothers, Appl. Phys, Lett. 86, 193501 (2005).
  • S. Koynov, M. S. Brandt, and M. Stutzmann, Phys. Stat. Sol. (RRL) 1, R53 (2007).
  • S. Koynov, M. S. Brandt, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 88, 203107 (2006).
  • S. J. Lee, Z. Ku, A. Barve, J. Montaya, W. -Y. Jang, S. R. J. Brueck, M. Sundaram, A. Reisinger, S. Krishna, S. K. Noh, Nat. Commun. 2, 286 (2011).
  • S. J. Lee, S. K. Noh, E. Plis, S. Krishna, K. -S. Lee, Appl. Phys. Lett. 95, 102106 (2009).
  • S. D. Gunapala, Proc. SPIE 6206, 62060 (2006).
  • S. Chakrabarti, X. Su, P. Bhattacharya, G. Ariyawansa, A. Perera, IEEE Phot. Technol. Lett. 17, 178 (2005).
  • S. Adhikary, Y. Aytac, S. Meesala, S. Woide, A. G. U. Perara, S. Chakrabarti, Appl. Phys. Lett. 101, 261114 (2012).
  • R. Moriya, H. Kobayashi, K. Shibata, S. Masubuchi, K. Hirakawa, S. Ishida, Y. Arakawa, T. Machida, Appl. Phys. Express 3, 035001 (2010).
  • R. E. Longshore and J. W. Baars (Eds.), SPIE Proceedings on Infrared Detectors for Remote Sensing: Physics, Materials, and Devices, SPIE 2816, Washington, (1996).
  • R. E. Longshore (Eds.), SPIE Proceedings on Infrared Detectors: State of the Art II, SPIE 2274, Washington, (1994).
  • P. Parkinson, H. J. Joyce, Q. Gao, H. H. Tan, X. Zhang, J. Zou, C. Jagadish, L. M. Herz, and M. B. Johnston, Nano Lett. 9, 3349-3353 (2009).
  • P. Aivaliotis, S. Menzel, E. A. Zibik, J. W. Cockburn, L. R. Wilson, M. Hopkinson, Appl. Phys. Lett. 91, 253502 (2007).
  • P. Aivaliotis, N. Vukmirovic, E. A. Zibik, J. W. Cockburn, D. Indjin, P. Harrison, C. Groves, J. P. R. David, M. Hopkinson, L. R. Wilson, J. Phys. D 40, 5537 (2007)
  • N. Moll and M. Scheffler, Phys. Rev. B 58, 4566-4571 (1998).
  • N. Dharmarasu, M. Yamaguchi, A. Khan, T. Yamada, T. Tanabe, S. Takagishi, T. Takamoto, T. Ohshima, H. Itoh, M. Imaizumi, and S. Matsuda, Appl. Phys. Lett. 79, 2399 (2001).
  • M. Paladugu, C. Merckling, R. Loo, O. Richard, H. Bender, J. Dekoster, W. Vandervorst, M. Caymax, and M. Heyns, Cryst. Growth Des. 12, 4696-4702 (2012).
  • M. O. Manasreh, Semiconductor Quantum Wells and Superlattices for Long- Wavelength Infrared Detectors. Artech House, Boston, (1993).
  • M. Borg, H. Schmid, K. E. Moselund, G. Signorello, L. Gignac, J. Bruley, C. Breslin, P. D. Kanungo, P. Werner, and H. Riel, Nano Lett. 14, 1914-1920 (2014).
  • M. -H. Bae, B. -K. Kim, D. -H. Ha, S. J. Lee, R. Sharma, K. J. Choi, J. -J. Kim, W. J. Choi, and J. C. Shin, Cryst. Growth Des. 14, 1510-1515 (2014).
  • L. L. Ma, Y. C. Zhou, N. Jiang, X. Lu, J. Shao, W. Lu, J. Ge, X. M. Ding, and X. Y. Hou, Appl. Phys. Lett. 88, 171907 (2006).
  • L. Becker, Proc. SPIE 5881, 588105 (2005).
  • K. Tomioka, M. Yoshimura, and T. Fukui, Nano Lett. 13, 5822-5826 (2013).
  • K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma, and T. Fukui, Nano Lett. 10, 1639-1644 (2010).
  • K. -S. Lee, E. -H. Lee, ETRI J. 17, 13 (1996).
  • J. Szafraniec, S. Tsao, W. Zhang, H. Lim, M. Taguchi, A. A. Quivy, B. Movaghar, M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 88, 121102 (2006).
  • J. Svensson, N. Anttu, N. Vainorius, B. M. Borg, and L. -E. Wernersson, Nano Lett. 13, 1380-1385 (2013).
  • J. Singh, Semiconductor optoelectronics Physics and technology. McGraw-Hill, Inc New York (1995).
  • J. R. Pedrazzani, S. Maimon, and G. W. Wicks, Electron. Lett. 44, 1487-1488 (2008).
  • J. R. Dixon and J. M. Ellis, Phys. Rev. 123, 1560-1566 (1961).
  • J. Phillips, J. Appl. Phys. 91, 4590 (2001).
  • J. O. Kim, S. Sengupta, A. V. Barve, Y. D. Sharma, S. Adhikary, S. J. Lee, S. K. Noh, M. S. Allen, J. W. Allen, S. Chakrabarti, S. Krishna, Appl. Phys. Lett. 102, 011131 (2013).
  • J. D. Vincent, Fundamentals of Infrared Detector Operation and Testing. Wiley New York (1990).
  • J. C. Shin, D. Chanda, W. Chern, K. J. Yu, J. A. Rogers, and X. Li, IEEE J. Photovoltaics 2, 129 (2012).
  • J. C. Shin, A. Lee, P. K. Mohseni, D. Y. Kim, L. Yu, J. H. Kim, H. J. Kim, W. J. Choi, D. Wasserman, K. J. Choi, and X. Li, ACS Nano 7, 5463-5471 (2013).
  • J. C. Shin, A. Lee, H. J. Kim, J. H. Kim, K. J. Choi, Y. H. Kim, N. Kim, M. -H. Bae, J. -J. Kim, B. -K. Kim, J. Korean Phys. Soc. 62, 1678-1682 (2013).
  • J. -H. Dai, J. -H. Lee, Y. -L. Lin, S. -C. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 2924 (2008).
  • H. K. Park, J. H. Moon, S. Yoon, and Y. R. Do, Journal of The Electrochemical Society 158, J143 (2011).
  • H. J. Joyce, C. J. Docherty, Q. Gao, H. H. Tan, C. Jagadish, J. L. Hughes, L. M. Herz, and M. B. Johnston, Nanotechnology 24, 214006 (2013).
  • G. Mariani, A. C. Scofield, C. -H. Hung & D. L. Huffaker, Nat. Commun. 4, 1497 (2013).
  • G. Jolley, L. Fu, H. Tan, C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 92, 193057 (2008).
  • G. Huang, W. Guo, P. Bhattacharya, G. Ariyawansa, A. G. U. Perera, Appl. Phys. Lett. 94, 101115 (2009).
  • F. Glas, Phys. Rev. B 74, 121302 (2006).
  • F. Capasso and A. Y. Cho, Surface Science. 299-300, 878-891 (1994).
  • E. L. Dereniak and R. E. Sampson (Eds.), SPIE Proceedings on Infrared Detectors and Focal Plane Arrays III, SPIE, Washington, (1994).
  • E. Garnett and P. Yang, Nano Lett. 10, 1082-1087 (2010).
  • D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943-1946 (1990).
  • D. J. Aiken, Solar Energy Materials & Solar Cells 64, 393 (2000).
  • D. H. Kim, C. H. Roh, H. J. Song, Y.-S. Choi, C. -K. Hahn, H. Kim, J. H. Koh, T. G. Kim, Curr. Appl. Phys. 6, e172 (2006).
  • D. D. Coon and K. M. S. V. Bandara, New Quantum Structures. Academic Press, New York, (1991).
  • C. Soci, A. Zhang, X. -Y. Bao, H. Kim, Y. Lo, and D. Wang, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 1430-1449 (2010).
  • B. Mandl, J. Stang, T. M rtensson, A. Mikkelsen, J. Erilsson, L. S. Karlsson, G. Bauer, L. Samuelson, and W. Seifert, Nano Lett. 6, 1817-1821 (2006).
  • A. V. Barve, S. J. Lee, S. K. Noh, S. Krishna, Laser Photonics Rev. 4, 738 (2010).
  • A. Rogalski, Prog. Quant. Electron. 27, 59-210 (2003).
  • A. Rogalski, Infrared Photon Detectors. SPIE Washington, (1995).
  • A. Rogalski, Infrared Detectors, Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, (2000).
  • A. ROGALSKI and K. CHRZANOWSKI, Opto-Electron. Rev. 10, 111-136 (2002).
  • A. Krier, H. H. Gao, and Y. Mao, Semicond. Sci. Technol. 13, 950 (1998).
  • A. Khan, S. Marupaduga, S. S. Anandakrishnan, M. Alam, N. J. Ekins-Daukes, H. S. Lee, T. Sasaki, M. Yamaguchi, T. Takamoto, T. Agui, K. Kamimura, M. Kaneiwa, and M. Imazumi, Appl. Phys. Lett. 85, 5218 (2004).
  • A. Brave, J. Shao, Y. D. Sharma, T. E. Vandervelde, K. Sankalp, S. J. Lee, S. K. Noh, IEEE J. Quantum Electron 46, 1105 (2010).
  • A. Atzek, J. J. Capart, R. L. Carabb, K. H. Heffels, and G. Seibert, Proceedings of the International Colloquium ECOSEC, Toulouse, (Gordon and Breach, New York, 1971), p. 349.
  • A. Amtout, S. Raghavan, P. Rotella, G. von Winckel, A. Stintz, S. Krishna, J. Appl. Phys. 96, 3782 (2004).