Nano devices using 2D nanosheets and 1D ZnO nanowire

전표진 2016년

활용도
공유도
영향력

논문상세정보

- 저자 전표진
- 기타서명 2차원 나노조각과 1차원 ZnO 나노선을 이용한 나노전자소자 연구
- 형태사항 xiv, 158 p.: 삽화: 26 cm
- 일반주기 지도교수: Seongil Im
- 학위논문사항 Dept. of Physics, Graduate School, Yonsei University, 학위논문(박사)-, 2016. 2
- 발행지 Seoul
- 언어 eng
- 출판년 2016
- 발행사항 Graduate School, Yonsei University
- 주제어 inverter nano sheet nanowire p-n diode p-n 다이오드 transition metal dichalcogenide 나노선 나노조각 인버터 전이금속 칼코겐 화합물
- 참고문헌( 235)
유사주제 논문( 159)

인용/피인용

Nano devices using 2D nanosheets and 1D ZnO nan ...

' Nano devices using 2D nanosheets and 1D ZnO nanowire' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	inverter nano sheet nanowire p-n diode p-n 다이오드 transition metal dichalcogenide 나노선 나노조각 인버터 전이금속 칼코겐 화합물
169	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 논문영향력
주제어	inverter	60	0.0%
	nano sheet	16	0.0%
	nanowire	24	0.0%
	p-n diode	3	0.0%
	p-n 다이오드	2	0.0%
	transition metal dichalcogeni ...	17	0.0%
	나노선	6	0.0%
	나노조각	2	0.0%
	인버터	38	0.0%
	전이금속 칼코겐 화합물	1	0.0%
계		169	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수

' Nano devices using 2D nanosheets and 1D ZnO nanowire' 의 참고문헌

Z. Fan, J. C. Ho, Z. A. Jacobson, R. Yerushalmi, R. L. Alley, H. Razavi, A. Javey, Nano Lett. 8, 20 (2008).
Yu, W. J.; Li, Z.; Zhou, H.; Chen, Y.; Wang, Y.; Huang, Y.; Duan, X. Vertically Stacked Multi-Heterostructures of Layered Materials for Logic Transistors and Complementary Inverters. Nat. Mater. 12, 246-252 (2013).
Yu, L.; Lee, Y.-H.; Ling, X.; Santos, E. J. G.; Shin, Y. C.; Lin, Y.; Dubey, M.; Kaxiras, E.; Kong, J.; Wang, H.; Palacios, T. Graphene/MoS2 Hybrid Technology for Large- Scale Two-Dimensional Electronics. Nano Lett. 14, 3055-3063 (2014).
Y. W. Heo, L. C. Tien, Y. Kwon, D. P. Norton, B. S. Kang, F. Ren, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 85, 2274 (2004).
Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, F. Ren, J. R. LaRoche, Appl. Phys. Lett. 85, 3107 (2004).
Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, B. S. Kang, F. Ren, J. R. LaRoche, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 85, 3107 (2004).
Y. W. Heo, D. P. Norton, L. C. Tien, Y. Kwon, B. S. Kang, F. Ren, S. J. Pearton, and J. R. LaRoche, Mater. Sci. Eng. R 47, 1 (2004).
Y. W. Heo, D. P. Norton, L. C. Tien, Y. Kwon, B. S. Kang, F. Ren, S. J. Pearton, J. R. LaRoche, Mater. Sci. Eng. R-Rep. 47, 1 (2004).
Y. T. Lee, S. Im, R. Ha, H.-J. Choi, Appl. Phys. Lett. 97, 123506 (2010).
Y. T. Lee, R. Ha, H.-J. Choi, S. Im, Appl. Phys. Lett. 97, 123506 (2010).
Y. T. Lee, P. J. Jeon, K. H. Lee, R. Ha, H.-J. Choi, S. Im, Adv. Mater. 24, 3020 (2012).
Y. T. Lee, K. Choi, H. S. Lee, S.-W. Min, P. J. Jeon, D. K. Hwang, H. J. Choi, S. Im, Small 1, 7803 (2014).
Y. T. Lee, K. Choi, H. S. Lee, S. -W. Min, P. J. Jeon, D. K. Hwang, H. J. Choi, S. Im, Small 10, 2356-2361 (2014).
Y. T. Lee, J. K. Kim, R. Ha, H.-J. Choi, S. Im, Appl. Phys. Lett. 99, 153507 (2011).
Y. T. Lee, H. Kwon, J. S. Kim, H. -Hee, Kim, Y. J. Lee, J. A. Lim, Y. -W, Song, Y. Yi, W. -K, Choi, D. K. Hwang, S. Im, ACS Nano 9, 10394-10401 (2015).
Y. Liu, J.-H. Chung, W. K. Liu, R. S. Ruoff, J. Phys. Chem. B 110, 14098 (2006).
Y. Li, F. Qing, J. Xiang, C. M. Lieber, Mater. Today 9, 18 (2006).
Y. Li, F. Qian, J. Xiang, C. M. Lieber, Mater. Today 9, 18 (2006).
Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, C. M. Lieber, Nano Lett. 2, 101 (2002).
Y. Du, H. Liu, Y. Deng, P. D. Ye, ACS Nano 8, 10035-10042 (2014).
Y. Deng, Z. Luo, N. J. Conrad, Y. Gong, S. Najmaei, P. M. Ajayan, J. Lou, X. Xu, P. E. Ye, ACS Nano 8, 8292-8299 (2014).
Y. Deng, Z. Luo, N. J. Conrad, H. Liu, Y. Gong, S. Najmaei, P. M. Ajayan, J. Lou, X. Xu, P. D. Ye, ACS Nano 8, 8292 (2014).
Y. Cui, Q. Wei, H. Park, C. M. Lieber, Science 293, 1289 (2001).
X. Q. Meng, D. X. Zhao, J. Y. Zhang, D. Z. Shen, Y. M. Lu, L. Dong, Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, and X. W. Fan, Chem. Phys, Lettt. 413, 450 (2005).
X. Fang, and L. Zhang, J. Mater. Sci. Techno. 22, 1 (2006).
X. Fang, Y. Bando, U. K. Gautam, T. Zhai, H. Zeng, X. Xu, M. Liao, and D. Golberg, Crit. Rev. Solid State Mat. Sci. 34, 190 (2009).
X. Duan, Y. Huang, C. M. Lieber, Nano Lett. 2, 487 (2002).
Wang, Q. H.; Kalantar-Zadeh, K.; Kis, A.; Coleman, J. N.; Strano, M. S. Electronics and Optoelectronics of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides. Nat. Nanotechnol. 7, 699-712 (2012).
Wang, H.; Yu, L.; Lee, Y.-H.; Shi, Y.; Hsu, A.; Chin, M. L.; Li, L.-J.; Dubey, M.; Kong, J. ; Palacios, T. Integrated Circuits Based on Bilayer MoS2 Transistors. Nano Lett. 12, 4674-4680 (2012).
W.-K. Hong, B.-J. Kim, T.-W. Kim, G. Jo, S. Song, S.-S Kwon, A. Yoon, E. A. Stach, T. Lee, Colloid Surf. A-Physicochem. Eng. Asp. 311-314, 378 (2008).
W. Zhu, M. N. Yogeesh, S. Yang, S. H. Aldave, J. -S. Kim, S. Sonde, L. Tao, N. Lu, D. Akinwande, Nano Lett. 15, 1883-1890 (2015).
W. Zhao, R. M. Ribeiro, M. Toh, A. Carvalho, C. Kloc, A. H. Castro Neto, G. Eda, Nano Lett. 13, 5627 (2013).
W. S. Yun, S. W. Han, S. C. Hong, I. G. Kim, J. D. Lee, Phys. Rev. B 85, 033305 (2012).
W. Park, J. Park, J. Jang, H. Lee, H. Jeong, K. Cho, S. Hong, T. Lee, Nanotechnol. 24, 095202 (2013).
W. Lu, H. Nan, J. Hong, Y. Chen, C. Zhu, Z. Liang, X. Ma, Z. Ni, C. Jin, Z. Zhang, Nano Res. 7, 853-859 (2014).
W. Liu, J. Kang, D. Sarkar, Y. Khatami, D. Jena, K. Banerjee, Nano Lett. 13, 1983 (2013).
W. I. Park, J. S. Kim, H.-J. Lee, G.-C. Yi, Adv. Mater. 17, 1393 (2005).
W. I. Park, J. S. Kim, G.-C. Yi, and H.-J. Lee, Adv. Mater. 17, 1393 (2005).
W. I. Park, J. S. Kim, G.-C. Yi, H.-J. Lee, Adv. Mater. 17, 1393 (2005).
W. Fu, Z. Xu, X. Bai, C. Gu, E. Wang, Nano Lett. 9, 921 (2009).
V. Tran, R. Soklaski, Y. Liang, L. Yang, Phys. Rev. B 89, 235319 (2014).
U. Zschieschang, F. Ante, M. Schl rholz, M. Schmidt, K. Kern, H. Klauk, Adv. Mater. 22, 4489 (2010).
Tosun, M.; Chuang, S.; Fang, H.; Sachid, A. B.; Hettick, M.; Lin, Y.; Zeng, Y.; Javey, A. High-Gain Inverters Based on WSe2 Complementary Field-Effect Transistors. ACS Nano 8, 4948-4953 (2014).
T.-J. Ha, J. Lee, D. Akinwande, A. Dodabalapur, IEEE Electron Device Lett. 34, 559 (2013).
T. Serikawa, S. Shirai, A. Okamoto, S. Suyama, IEEE Trans. Electron Dev. 36, 1929 (1989).
T. Roy, M. Tosun, J. S. Kang, A. B. sachid, S. B. Desai, M. Hettick, C. C. Hu, A. Javey, ACS Nano 8, 6259-6264 (2014).
T. Roy, M. Tosun, J. S. Kang, A. B. Sachid, S. Desai, M. Hettick, C. C. Hu, A. Javey, ACS Nano 8, 7803 (2014).
Song, H. S.; Li, S. L.; Gao, L.; Xu, Y.; Ueno, K.; Tang, J.; Cheng, Y. B.; Tsukagoshi, K. High-Performance Top-Gated Monolayer SnS2 Field-Effect Transistors and Their Integrated Logic Circuits. Nanoscale 5, 9666-9670 (2013).
Shokouh, S. H. H.; Pezeshki, A.; Raza, S. R. A.; Lee, H. S.; Min, S.-W.; Jeon, P. J.; Shin, J. M.; Im, S. High-Gain Subnanowatt Power Consumption Hybrid Complementary Logic Inverter with WSe2 Nanosheet and ZnO Nanowire Transistors on Glass. Adv. Mater. 27, 150-156 (2014).
Shokouh, S. H. H.; Pezeshki, A.; Raza, S. R. A.; Choi, K.; Min, S.-W.; Jeon, P. J.; Lee, H. S.; Im, S. Molybdenum Disulfide Nanoflake-Zinc Oxide Nanowire Hybrid Photoinverter. ACS Nano 8, 5174-5181 (2014).
S.-W. Min, H. S. Lee, H. J. Choi, M. K. Park, T. Nam, H. Kim, S. Ryu, S. Im, Nanoscale 5, 548 (2013).
S.-W. Lee, G. Jo, T. Lee, Y.-G. Lee, Opt. Express 17, 17491 (2009).
S. Raychaudhuri, S. A. Dayeh, D. Wang, E. T. Yu, Nano Lett. 9, 2260 (2009).
S. R. A. Raza, S. H. H. Shokouh, Y. T. Lee, R. Ha, H. -J. Choi, S. Im, J. Mater. Chem. C 2, 4428-4435 (2014).
S. P. Koenig, R. A. Doganov, H. Schmidt, A. H. C. Neto, B. zyilmaz, Appl. Phys. Lett. 104, 103106 (2014).
S. N. Das, J.-H. Choi, J. P. Kar, K.-J. Moon, T. I. Lee, and J.-M. Myoung, Appl. Phys. Lett. 96, 092111 (2010).
S. M. George, A. W. Ott, J. W. Klaus, J. Phys. Chem. 100, 13121 (1996).
S. LeBlanc, S. Phadke, T. Kodama, A. Salleo, and K. E. Goodson, Appl. Phys. Lett. 100, 163105 (2012).
S. Kobayashi, T. Nishikawa, T. Takenobu, S. Mori, T. Shimoda, T. Mitani, H. Shimotani, N. Yoshimoto, S. Ogawa, Y. Iwasa, Nature 3, 317 (2004).
S. Jin, D. Whang, M. C. McAlpine, R. S. Friedman, Y. Wu, C. M. Lieber, Nano Lett. 4, 915 (2004).
S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, C. Dekker, Nature 393, 49 (1998).
S. H. H. Shokouh, A. Pezeshki, S. R. A. Raza, H. S. Lee, S.-W. Min, P. J. Jeon, J. M. Shin, S. Im, Adv. Mater. 27, 150-156 (2015).
S. H. H. Shokouh, A. Pezeshki, S. R. A. Raza, H. S. Lee, S.-W. Min, P. J. Jeon, J. M. Shin, S. Im, Adv. Mater. 27, 150 (2015).
S. Das, W. Zhang, M. Demarteau, A. Hoffmann, M. Dubey, A. Roelofs, Nano Lett. 14, 5733-5739 (2014).
S. Das, J. Appenzeller, Appl. Phys. Lett. 103, 103501 (2013).
S. Chuang, R. Kapadia, H. Fang, T. C. Chang, W.-C. Yen, Y.-L. Chueh, A. Javey, Appl. Phys. Lett. 102, 242101 (2013).
Roy, T.; Tosun, M.; Kang, J. S.; Sachid, A. B.; Desai, S. B.; Hettick, M.; Hu, C. C.; Javey, A. Field-Effect Transistors Built from All Two-Dimensional Material Components. ACS Nano 8, 6259-6264 (2014).
Ross, J. S.; Klement, P.; Jones, A. M.; Ghimire, N. J.; Yan, J.; Mandrus, D. G.; Taniguchi, T.; Watanabe, K.; Kitamura, K.; Yao, W.; Cobden, D. H.; Xu, X. Electrically Tunable Excitonic Light-Emitting Diodes Based on Monolayer WSe2 p-n Junctions. Nat. Nanotechnol. 9, 268-272 (2014).
Radisavljevic, B.; Whitwick, M. B.; Kis, A. Integrated Circuits and Logic Operations Based on Single-Layer MoS2. ACS Nano 5, 9934-9938 (2011).
Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.; Kis, A. Single-Layer MoS2 Transistors. Nat. Nanotechnol. 6, 147-150 (2011).
R.-M. Ma, L. Dai, H.-B. Huo, W.-J. Xu, G. G. Qin, Nano Lett. 7, 3300 (2007).
R. Yan, J.-H. Park, Y. Choi, C.-J. Heo, S.-M. Yang, L. P. Lee, P. Yang, Nat. Nanotechnol. 7, 191 (2012).
R. S. Muller, T. I. Kamins, and M. Chan, Device Electronics for Integrated Circuits, 3rd ed. (Wiley, New York, 2003), pp. 426-481.
R. S. Muller, T. I. Kamins, M. Chan, “Device Electronics for Integrated Circuits, 3rd ed”, John Wiley & Sons, New York (2003).
R. S. Muller, T. I. Kamins, M. Chan, Device electronics for integrated circuits, 3rd ed.; Johns Wiley & Sons, New York, p236 (2003).
R. J. Wu, M. Topsakal, T. Low, M. C. Robbins, N. Haratipour, J. S. Jeong, R. M. Wentzcovitch, S. J. Koester, K. A. Mkhoyan, J. Vac. Sci. Technol., A 33, 060604 (2015).
R. G. Hobbs, N. Petkov, J. D. Holmes, Chem. Mater. 24, 1975 (2012).
R. Fei, L. Yang, Nano Lett. 14, 2884-2889 (2014).
R. Coehoorn, C. Haas, J. Dijkstra, C. J. F. Flipse, R. A. de Groot, A. Wold, Phys. Rev. B 35, 6195 (1987).
R. Cheng, D. Li, H. Zhou, C. Wang, A. Yin, S. Jiang, Y. Liu, Y. Chen, Y. Huang, X. Duan, Nano Lett. 14, 5590 (2014).
R. Agarwal, K. Ladavac, Y. Roichman, G. Yu, C. M. Lieber, D. G. Grier, Opt. Express 13, 8906 (2005).
Q. Zhao, X. Y. Xu, X. F. Song, X. Z. Zhang, C. P. Li, L. Guo, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 88, 033102 (2006).
Q. Zhang, C. S. Dandeneau, X. Zhou, G. Cao, Adv. Mater. 21, 4087 (2009).
Q. Wei, X. Peng, Appl. Phys. Lett. 104, 251915 (2014).
Q. Li, X. Zhu, H. D. Xiong, S.-M. Koo, D. E. Ioannou, J. J. Kopanski, J. S. Suehle, C. A. Richter, Nanotechnology 18, 235204 (2007).
Q. Li, S.-M. Koo, C. A. Richter, M. D. Edelstein, J. E. Bonevich, J. J. Kopanski, J. S. Suehle, E. M. Vogel, IEEE Trans. Nanotechnol. 6, 256 (2007).
Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 7, 699 (2012).
Q. H. Wang, K. -Z. Kourosh, A. Kis, J. N. Coleman, M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 7, 699-712 (2012).
Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4556 (2004).
Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4556 (2004).
Pospischil, A.; Furchi, M. M.; Mueller, T. Solar-Energy Conversion and Light Emission in an Atomic Monolayer p-n Diode. Nat. Nanotechnol. 9, 257-261 (2014).
Pezeshki, A.; Shokouh, S. H. H.; Raza, S. R. A.; Kim, J. S.; Min, S.-W.; Shackery, I; Jun, S. C.; Im, S. Top and Back Gate Molybdenum Disulfide Transistors Coupled for Logic and Photo-Inverter Operation. J. Mater. Chem. C 2, 8023-8028 (2014).
P.-C. Chang, Z. Fan, C.-J. Chien, D. Stichtenoth, C. Ronning, and J. G. Lu, Appl. Phys. Lett. 89, 133113 (2006).
P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, H. -J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323-331 (2002).
P. J. Pauzauskie, A. Radenovic, E. Trepagnier, H. Shroff, P. Yang, J. Liphardt, Nat. Mater. 5, 97 (2006).
P. J. Jeon, Y. T. Lee, R. Ha, H.-J. Choi, K. H. Yoon, M. M. Sung, S. Im, Appl. Phys. Lett. 101, 043504 (2012).
P. J. Jeon, S.-W. Min, J. S. Kim, S. R. A. Raza, K. Choi, H. S. Lee, Y. T. Lee, D. K. Hwang, H. J. Choi, S. Im, J. Mater. Chem. C 3, 2751 (2015).
P. J. Jeon, S. Lee, Y. T. Lee, H. S. Lee, K. Oh, S. Im, J. Mater. Chem. C 1, 7303-7307 (2013).
P. J. Jeon, S. Lee, Y. T. Lee, H. S. Lee, K. Oh, S. Im, J. Mater. Chem. C 1, 7303 (2013).
P. J. Jeon, S. -W. Min, J. S. Kim, S. R. A. Raza, K. Choi, H. S. Lee, Y. T. Lee, D. K. Hwang, S. Im, J. Mater. Chem. C 3, 2751-2758 (2015).
P. J. Jeon, J. S. Kim, J. Y. Lim, Y. Cho, A. Pezeshki, H. S. Lee, S. Yu, S.-W. Min, S. Im, ACS Appl. Mater. Interfaces DOI: 10.1021/acsami.5b06027 (2015).
P. Gehring, R. Urcuyo, D. L. Duong, M. Burghard, K. Kern, Appl. Phys. Lett. 106, 233110 (2015).
P. G. le Comber, W. e. Spear, A. Ghaith, Electron. Lett. 15, 179 (1979).
Oh, M. S.; Choi, W.; Lee, K.; Hwang, D. K.; Im, S. Flexible High Gain Complementary Inverter Using n-ZnO and p-Pentacene Channels on Polyethersulfone Substrate. Appl. Phys. Lett. 93, 033510 (2008).
O. Lopez-Sanchez, D. Lembke, M. Kayci, A. Radenovic, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 8, 497 (2013).
Novoselov, K. S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T. J.; Khotkevich, V. V.; Morozov, S. V.; Geim, A. K. Two-Dimensional Atomic Crystals. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 102, 10451-10453 (2005).
N. Han, S. I. Kim, J.-D. Yang, K. Lee, H. Sohn, H.-M. So, C. W. Ahn, K.-H. Yoo, Adv. Mater. 23, 1871 (2011).
Muller, R. S.; Kamin, T. I.; Chan, M. Device Electronics for Integrated Circuits, 3rd ed. John Wiley & Sons, B. Zobrist, NY, p431 (2003).
M. Tanase, L. A. Bauer, A. Hultgren, D. M. Silevitch, L. Sun, D. H. Reich, P. C. Searson, G. J. Meyer, Nano Lett. 1, 155 (2001).
M. S. Marcus, L. Shang, B. Li, J. A. Streifer, J. D. Beck, E. Perkins, M. A. Eriksson, R. J. Hamers, Small 3, 1610 (2007).
M. S. Marcus, L. Shang, B. Li, J. A. Streifer, J. D. Beck, E. Perkins, M. A. Ericksson, R. J. Hamers, Small 3, 1610 (2007).
M. S. Fuhrer, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 8, 146 (2013).
M. R. Emmert-Buck, R. F. Bonner, P. D. Smith, R. F. Chuaqui, Z. Zhuang, S. R. Goldstein, R. A. Weiss, L. A. Liotta, Science 274, 998 (1996).
M. M. Furchi, A. Pospischi, F. Libisch, J. Burgd rfer, T. Mueller, Nano Lett. 14, 4785 (2014).
M. Li, R. B. Bhiladvala, T. J. Morrow, J. A. Sioss, K.-K. Lew, J. M. Redwing, C. D. Keating, T. S. Mayer, Nat. Nanotechnol. 3, 88 (2008).
M. G. Bellino, E. J. Calvo, G. J. Gordillo, Phys. Status Solidi (RRL) 3, 1 (2009).
M. Chhowalla, H. S. Shin, G. Eda, L. -J. Li, K. P. Loh, H. Zhang, Nat. Chem. 5, 263- 275 (2013).
M. Buscema, D. J. Groenendijk, S. I. Blanter, G. A. Steele, H. S. J. van der Zant, A. Castellanos-Gomez, Nano Lett. 14, 3347-3352 (2014).
Liu, H.; Neal, A. T.; Zhu, Z.; Luo, Z.; Xu, X.; Tom nek, D.; Ye, P. D. Phosphorene: An Unexplored 2D Semiconductor with a High Hole Mobility. ACS Nano 8, 4033- 4041 (2014).
Lin, Y.-F.; Xu, Y.; Wang, S.-T.; Li, S.-L.; Yamamoto, M.; Aparecido-Ferreira, A.; Li, W.; Sun, H.; Nakaharai, S.; Jian, W.-B.; Ueno, K.; Tsukagoshi, K. Ambipolar MoTe2 Transistors and Their Applications in Logic Circuits. Adv. Mater. 26, 3263-3269 (2014).
Lee, Y. T.; Choi, K.; Lee, H. S.; Min, S.-W.; Jeon, P. J.; Hwang, D. K.; Choi, H. J.; Im, S. Graphene Versus Ohmic Metal as Source-Drain Electrode for MoS2 Nanosheet Transistor Channel. Small 10, 2356-2361 (2014).
Lee, S.; Zhong, Z. Nanoelectronic Circuits Based on Two-Dimensional Atomic Layer Crystals. Nanoscale 6, 13283-13300 (2014).
Lee, H. S.; Min, S.-W.; Chang, Y.-G.; Park, M. K.; Nam, T.; Kim, H.; Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. MoS2 Nanosheet Phototransistors with Thickness-Modulated Optical Energy Gap. Nano Lett. 12, 3695-3700 (2012).
L. Tao, E. Cinquanta, D. Chiappe, C. Grazianetti, M. Fanciulli, M. Dubey, A. Molle, D. Akinwande, Nat. Nanotechnol. 10, 227 (2015).
L. Schmidt-Mende, J. L. MacManus-Driscoll, Mater. Today 10, 40 (2007).
L. Liao, H. J. Fan, B. Yan, Z. Zhang, L. L. Chen, B. S. Li, G. Z. Xing, Z. X. Shen, T. Wu, X. W. Sun, J. Wang, T. Yu, ACS Nano 3, 700 (2009).
L. Li, Y. Yu, G. J. Ye, Q. Ge, X. Ou, H. Wu, D. Feng, X. H. Chen, Y. Zhang, Nat. Nanotechnol. 9, 372-377 (2014).
L. Li, Y. Yu, G. J. Ye, Q. Ge, X. Ou, H. Wu, D. Feng, X. H. Chen, Y. Zhang, Nat. Nanotechnol. 9, 372 (2014).
K.-S. Park, Y.-J. Choi, M.-W. Ahn, D.-W. Kim, Y.-M. Sung, J.-G. Park, and K. J. Choi, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4328 (2009).
K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, A. K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 102, 10451-10453 (2005).
K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, A. K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 102, 10451 (2005).
K. P. Pernstich, S. Haas, D. Oberhoff, C. Goldmann, D. J. Gundlach, B. Batlogg, A. N. Rashid, G. Schitter, J. Appl. Phys. 96, 6431 (2004).
K. Nagashima, T. Yanagida, K. Oka, M. Taniguchi, J.-S. Kim, B. H. Park, T. Kawai, Nano Lett. 10, 1359 (2010).
K. M lhave, T. Wich, A. Kortschack, P. B ggild, Nanotechnology 17, 2434 (2006).
K. Keem, J. Kang, C. Yoon, D. Yeom, D.-Y. Jeong, B.-M. Moon, and S. Kim, Microelectron. Eng. 84, 1622 (2007).
K. Keem, D.-Y. Jeong, S. Kim, Nano Lett. 6, 1454 (2006).
K. Keem, D.-Y. Jeong, M.-S. Lee, I.-S. Yeo, U-I. Chung, J.-T. Moon, and S. Kim, Nano Lett. 6, 1454 (2006).
K. Heo, E. Cho, J.-E. Yang, M.-H. Kim, M. Lee, B. Y. Lee, S. G. Kwon, M.-S. Lee, M.-H. Jo, H.-J. Choi, T. Hyeon, S. Hong, Nano Lett. 8, 4523 (2008).
K. H. Lee, G. Lee, K. Lee, M. S. Oh, S.-M. Yoon, S. Im, Adv. Mater. 21, 1 (2009).
K. Choi, Y. T. Lee, S.-W. Min, H. S. Lee, T. Nam, H. Kim, S. Im, J. Mater. Chem. C 1, 7803 (2013).
K. Cho, W. Park, J. Park, H. Jeong, J. Jang, T.-Y. Kim, W.-K. Hong, S. Hong, T. Lee, ACS Nano 7, 7751 (2013).
Jeon, P. J.; Min, S.-W.; Kim, J. S.; Raza, S. R. A.; Choi, K.; Lee, H. S.; Lee, Y. T.; Hwang, D. K.; Choi, H. J.; Im, S. Enhanced Device Performances of WSe2-MoS2 van der Waals Junction p-n Diode by Fluoropolymer Encapsulation. J. Mater. Chem. C 3, 2751-2758 (2015).
Jariwala, D.; Sangwan, V. K.; Lauhon, L. J.; Marks, T. J.; Hersam, M. C. Emerging Device Applications for Semiconducting Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides. ACS Nano 8, 1102-1120 (2014).
J.-K. Huang, J. Pu, C.-L. Hsu, M.-H. Chiu, Z.-Y. Juang, Y.-H. Chang, W.-H. Chang, Y. Iwasa, T. Takenobu, L.-J. Li, ACS Nano 8, 923 (2014).
J. Xiang, W. Lu, Y. Hu, Y. Wu, H. Yan, C. M. Lieber, Nature 441, 489 (2006).
J. S. Ross, P. Klement, A. M. Jones, N. J. Ghimire, J. Yan, D. G. Mandrus, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Kitamura, W. Yao, D. H. Cobden, X. Xu, Nat. Nanotechnol. 9, 268 (2014).
J. S. Kim, P. J. Jeon, J. Lee. K. Choi, H. S. Lee, Y. Cho. Y. T. Lee, D. K. Hwang, S. Im, Nano Lett. 15, 5778-5783 (2015).
J. Na, Y. T. Lee, J. A. Lim, D. K. Hwang, G. Kim, W. K. Choi, Y. Song, ACS Nano 8, 11753-11762 (2014).
J. N. Coleman, M. Lotya, A. O’Neill, S. D. Bergin, P. J. King, U. Khan, K. Young, A. Gaucher, S. De, R. J. Smith, I. V. Shvets, S. K. Arora, G. Stanton, H.-Y. Kim, K. Lee, G. T. Kim, G. S. Duesberg, T. Hallam, J. J. Boland, J. J. Wang, J. F. Donegan, J. C. Grunlan, G. Moriarty, A. Shmeliov, R. J. Nicholls, J. M. Perkins, E. M. Grieveson, K. Theuwissen, D. W. McComb, P. D. Nellist, V. Nicolosi, Science 4, 568 (2011).
J. N. Coleman, M. Lotya, A. O'Neill, S. D. Bergin, P. J. King, U. Khan, K. Young, A. Gaucher, S. De, R. J. Smith, I. V. Shvets, S. K. Arora, G. Stanton, H.-Y. Kim, K. Lee, G. T. Kim, G. S. Duesberg, T. Hallam, J. J. Boland, J. J. Wang, J. F. Donegan, J. C. Grunlan, G. Moriarty, A. Shmeliov, R. J. Nicholls, J. M. Perkins, E. M. Grieveson, K. Theuwissen, D. W. McComb, P. D. Nellist, V. Nicolosi, Science 331, 568-571 (2011).
J. Lee, J. Chung, and S. Lim, Physica E 42, 2143 (2010).
J. Kang, S. Tongay, J. Zhou, J. Li, J. Wu, Appl. Phys. Lett. 102, 012111 (2013).
J. Granstrom, J. S. Swensen, J. S. Moon, G. Rowell, J. Yuen, A. J. Heeger, Appl. Phys. Lett. 93, 193304 (2008).
J. Goldberger, D. J. Sirbuly, M. Law, and P. Yang, J. Phys. Chem. B 109, 9, (2005).
J. Goldberger, D. J. Sirbuly, M. Law, P. Yang, J. Phys. Chem. B 109, 9 (2005).
J. Fu, N. Singh, K. D. Buddharaju, S. H. G. Teo, C. Shen, Y. Jiang, C. X. Zhu, M. B. Yu, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, D. L. Kwong, E. Gnani, G. Baccarani, IEEE Electron Device Lett. 29, 518 (2008).
J. D. Wood, S. A. Wells, D. Jariwala, K.-S. Chen, E. Cho, V. K. Sangwan, X. Liu, L. J. Lauhon, T. J. Marks, M. C. Hersam, Nano Lett. 14, 6964-6970 (2014).
Huang, J.; Somu, S.; Busnaina, A. A Molybdenum Disulfide/Carbon Nanotube Heterogeneous Complementary Inverter. Nanotechnol. 23, 335203 (2012).
Huang, J.-K.; Pu, J.; Hsu, C.-L.; Chiu, M.-H.; Juang, Z.-Y.; Chang, Y.-H.; Chang, W.- H.; Iwasa, Y.; Takenobu, T.; Li, L.-J. Large-Area Synthesis of Highly Crystalline WSe2 Monolayers and Device Applications. ACS Nano 8, 923-930 (2014).
H. Yuan, X. Liu, F. Afshinmanesh, W. Li, G. Xu, J. Sun, B. Lian, A. G. Curto, G. Ye, Y. Hikita, Z. Shen, S. -C. Zhang, X. Chen, M. Brongersma, H. Y. Hwnag, Y. Cui, Nat. Nanotechnol. 10, 707-714 (2015).
H. Yan, H. S. Choe, S. W. Nam, Y. Hu, S. Das, J. F. Klemic, J. C. Ellenbogen, C. M. Lieber, Nature 470, 240 (2011).
H. T. Ng, B. Chen, J. Li, J. Han, J. Wu, S. X. Li, E. E. Haller, and M. Meyyappan, Appl. Phys. Lett. 82, 2023 (2003).
H. S. Lee, S.-W. Min, Y.-G. Chang, M. K. Park, T. Nam, H. Kim, J. H. Kim, S. Ryu, S. Im, Nano Lett. 12, 3695 (2012).
H. S. Lee, S. S. Baik, K. Lee, S. -W. Min, P. J. Jeon, J. S. Kim, K. Choi, H. J. Choi, J. H. Kim, S. Im, ACS Nano 9, 8312-8320 (2015).
H. O. H. Churchill, P. Jarillo-Herrero, Nat. Nanotechnol. 9, 330-331 (2014).
H. Liu, A. T. Neal, Z. Zhu, Z. Luo, X. Xu, D. Tom nek, P. D. Ye, ACS Nano 8, 4033- 4041 (2014).
H. Liu, A. T. Neal, M. Si, Y. Du, P. D. Ye, IEEE Electron Device Lett. 35, 795-797 (2014).
H. Klauk, Chem. Soc. Rev. 39, 2643 (2010).
H. Hosono, J. Non-Cryst. Solids 352, 851 (2006).
H. Fang, S. Chuang, T. C. Chang, K. Takei, T. Takahashi, A. Javey, Nano Lett. 12, 3788 (2012).
H. Fang, C. Battaglia, C. Carraro, S. Nemsak, B. Ozdol, J. S. Kang, H. A. Bechtel, S. B. Desai, F. Kronast, A. A. Unal, G. Conti, C. Conlon, G. K. Palsson, M. C. Martin, A. M. Minor, C. S. Fadley, E. Yablonovitch, R. Maboudian, A. Javey, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 111, 6198 (2014).
Geim, A. K. Graphene: Status and Prospects. Science 324, 1530-1434 (2009).
Gao, P.; Zhang, Q. Encapsulate-and-Peel: Fabricating Carbon Nanotube CMOS Integrated Circuits in a Flexible Ultra-Thin Plastic Film. Nanotechnol. 25, 065301 (2014).
G. Jo, W.-K. Hong, J. Maeng, M. Choe, W. Park, and T. Lee, Appl. Phys. Lett. 94, 173118 (2009).
G. Jo, W.-K. Hong, J. Maeng, M. Choe, W. Park, T. Lee, Appl. Phys. Lett. 94, 173118 (2009).
G. Fiori, F. Bonaccorso, G. Iannaccone, T. Palacios, D. Neumaier, A. Seabaugh, S. K. Banerjee, L. Colombo, Nat. Nanotechnol. 9, 768 (2014).
G. Brambilla, V. Finazzi, D. J. Richardson, Opt. Express 12, 2258 (2004).
Fuhrer, M. S.; Hone, J. Measurement of Mobility in Dual-Gated MoS2 Transistors. Nat. Nanotechnol. 8, 146-147 (2013).
Fang, H.; Tosun, M.; Seol, G.; Chang, T. C.; Takei, K.; Guo, J.; Javey, A. Degenerate n-Doping of Few-Layer Transition Metal Dichalcogenides by Potassium. Nano Lett. 13, 1991-1995 (2013).
Fang, H.; Chuang, S.; Chang, T. C.; Takei, K.; Takahashi, T.; Javey, A. High- Performance Single Layered WSe2 p-FETs with Chemically Doped Contacts. Nano Lett. 12, 3788-3792 (2012).
F. Xia, H. Wang, Y. Jia, Nat. Commun. 5, 4458 (2014).
F. Li, W. Zhu, X. Zhang, C. Zhao, M. Xu, J. Appl. Polm. Sci. 71, 1063 (1999).
F. A. Krӧger, “The Chemistry of Imperfect Crystals”, 2nd edition, Wiley, DOI: 10.1002/crat.19740090719 (1974).
E. P. A. M. Bakkers, J. A. V. Dam, S. D. Franceschi, L. P. Kouwenhoven, M. Kaiser, M. Verheijen, H. Wondergem, P. V. D. Sluis, Nat. Mater. 3, 769 (2004).
E. M. Freer, O. Grachev, X. Duan, S. Martin, D. P. Stumbo, Nat. Nanotechnol. 5, 525 (2010).
E. J. Miller, E. T. Yu, P. Waltereit, J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 84, 535 (2004).
E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, C. Poblenz, C. Elsass, J. S. Speck, J. Appl. Phys. 91, 9821 (2002).
Ding, L.; Zhang, Z.; Liang, S.; Pei, T.; Wang, S.; Li, Y.; Zhou, W.; Liu, J.; Peng, L.- M. CMOS-Based Carbon Nanotube Pass-Transistor Logic Integrated Circuits. Nat. Commun. 3, 677 (2012).
Dey, A. W.; Svensson, J.; Borg, B. M.; Ek, M.; Wernersson, L.-E. Single InAs/GaSb Nanowire Low-Power CMOS Inverter. Nano Lett. 12, 5593-5597 (2012).
Das, S.; Dubey, M.; Roelofs, A. High Gain, Low Noise, Fully Complementary Logic Inverter Based on Bi-Layer WSe2 Field Effect Transistors. Appl. Phys. Lett. 105, 083511 (2014).
Das, S.; Appenzeller, J. WSe2 Field Effect Transistors with Enhanced Ambipolar Characteristics. Appl. Phys. Lett. 103, 103501 (2013).
Dai, Y.; Wu, P.; Dai, L.; Fang, X.; Qin, G. Hybrid Complementary Metal-Oxide- Semiconductor Inverters Based on Single Nanowires. J. Mater. Chem. 21, 2858-2862 (2011).
D. Yeom, K. Keem, J. Kang, D.-Y. Jeong, C. Yoon, D. Kim, S. Kim, Nanotechnology 19, 265202 (2008).
D. Yeom, J. Kang, M. Lee, J. Jang, J. Yun, D.-Y. Jeong, C. Yoon, J. Koo, S. Kim, Nanotechnology 19, 395204 (2008).
D. Whang, S. Jin, Y. Wu, C. M. Lieber, Nano Lett. 3, 1255 (2003).
D. Wang, Q. Wang, A. Javey, R. Tu, H. Kim, P. C. Mclntyre, T. Krishnamohan, K. C. Saraswat, H. Dai, Appl. Phys. Lett. 83, 2432 (2003).
D. Vanmaekelbergh, L. K. van Vugt, Nanoscale 3, 2783 (2011).
D. Kalblein, R. T. Weitz, H. J. Bottcher, F. Ante, U. Zschieschang, K. Kern, and H. Klauk, Nano Lett. 11, 5309 (2011).
D. Kalblein, R. T. Weitz, H. J. Bottcher, F. Ante, U. Zschieschang, K. Kern, H. Klauk, Nano Lett. 11, 5309 (2011).
D. Jariwala, V. K. Sangwan, L. J. Lauhon, T. J. Marks, M. C. Hersam, ACS Nano 8, 1102 (2014).
D. Jariwala, V. K. Sangwan, C.-C. Wu, P. L. Prabhumirashi, M. L. Geir, T. J. Marks, L. J. Lauhon, M. C. Hersam, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 110, 18076-18080 (2013).
D. G. Grier, Nature 424, 810 (2003).
D. Boudinet, M. Benwadih, S. Altazin, J.-M. Verilhac, E. De Vito, C. Serbutoviez, G. Horowitz, A. Facchetti, J. Am. Chem. Soc. 133, 9968 (2011).
Coleman, J. N.; Lotya, M.; O’Neill, A.; Bergin, S. D.; King, P. J.; Khan, U.; Young, K.; Gaucher, A.; De, S.; Smith, R. J.; Shvets, I. V.; Arora, S. K.; Stanton, G.; Kim, H.- Y.; Kim, G. T.; Duesberg, G. S.; Hallam, T.; Boland, J. J.; Wang, J. J.; Donegan, J. F.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.; Shmeliov, A.; Nicholls, R. J.; Perkins, J. M.; Grieveson, E. M.; Theuwissen, K.; McComb, D. W.; Nellist, P. D.; Nicolosi, V. Two- Dimensional Nanosheets Produced by Liquid Exfoliation of Layered Materials. Science 4, 568-571 (2011).
Chuang, H.-J.; Tan, X.; Ghimire, N. J.; Perera, M. M.; Chamlagain, B. Cheng, M. M.-C.; Yan, J.; Mandrus, D.; Tom nek, D.; Zhou, Z. High Mobility WSe2 p- and n- Type Field-Effect Transistors Contacted by Highly Doped Graphene for Low- Resistance Contacts. Nano Lett. 14, 3594-3601 (2014).
Choi, K.; Lee, Y. T.; Min, S.-W.; Lee, H. S.; Nam, T.; Kim, H.; Im, S. Direct Imprinting of MoS2 Flakes on a Patterned Gate for Nanosheet Transistors. J. Mater. Chem. C 1, 7803-7807 (2013).
Cho, A.-J.; Park, K. C.; Kwon, J.-Y. A High-Performance Complementary Inverter Based on Transition Metal Dichalcogenide Field-Effect Transistors. Nanoscale Res. Lett. 10, 115 (2015).
Cheng, R.; Jiang, S.; Chen, Y.; Liu, Y.; Weiss, N.; Cheng, H.-C.; Wu, H.; Huang, Y.; Duan, X. Few-Layer Molybdenum Disulfide Transistors and Circuits for High- Speed Flexible Electronics. Nat. Commun. 5, 5143 (2014).
C.-M. Chen, C.-Y. Shen, Y.-C. Chen, J.-A. Lee, Key Eng. Mater. 326-328, 731 (2006).
C.-H. Lee, G-H. Lee, A. M. van der Zande, W. Chen, Y. Li, M. Han, X. Cui, G. Arefe, C. Nuckolls, T. F. Heinz, J. Guo, J. Hone, P. Kim, Nat. Nanotechnol. 9, 676 (2014).
C. Yoon, K. Cho, J.-H Lee, D. Whang, B.-M. Moon, S. Kim, Solid State Sci. 12, 745 (2010).
C. S. Lao, J. Liu, P. Gao, L. Zhang, D. Davidovic, R. Tummala, and Z. L. Wang, Nano Lett. 6, 263 (2006).
C. S. Lao, J. Liu, P. Gao, L. Zhang, D. Davidovic, R. Tummala, Z. L. Wang, Nano Lett. 6, 263 (2006).
C. Li, G. Fang, L. Yuan, N. Liu, J. Li, D. Li, and X. Zhao, Appl. Surf. Sci. 253, 8478 (2007).
C. Lee, H. Yan, L. E. Brus, T. F. Heinz, J. Hone, S. Ryu, ACS Nano 4, 2695 (2010).
C. H. Park, G. Lee, K. H. Lee, B. H. Lee, M. M. Sung, S. Im, Appl. Phys. Lett. 95, 153502 (2009).
Baugher, B. W. H.; Churchill, H. O. H.; Yang, Y.; Jarillo-Herrero, P. Optoelectronic Devices Based on Electrically Tunable p-n Diodes in a Monolayer Dichalcogenide. Nat. Nanotechnol. 9, 262-267 (2014).
B. Yu, S. Ju, X. Sun, G. Ng, T. D. Nguyen, M. Meyyappan, D. B. Janes, Appl. Phys. Lett. 91, 133119 (2007).
B. W. H. Baugher, H. O. H. Churchill, Y. Yang, P. Jarillo-Herrero, Nat. Nanotechnol. 9, 262 (2014).
B. Ryu, Y. T. Lee, K. H. Lee, R. Ha, J. H. Park, H.-J. Choi, and S. Im, Nano Lett. 11, 4246 (2011).
B. Ryu, Y. T. Lee, K. H. Lee, R. Ha, J. H. Park, H.-J. Choi, S. Im, Nano Lett. 11, 4246 (2011).
B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 6, 147 (2011).
B. Lei, C. Li, D. Zhang, Q. F. Zhou, K. K. Shung, C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 84, 4553 (2004).
A. Pospischil, M. M. Furchi, T. Mueller, Nat. Nanotechnol. 9, 257 (2014).
A. Molina-S nchez, L. Wirtz, Phys. Rev. B 84, 155413 (2011).
A. Kuc, N. Zibouche, T. Heine, Phys. Rev. B 83, 245213 (2011).
A. K. Geim, Science 324, 1530-1534 (2009).
A. K. Geim, Science 324, 1530 (2009).
A. K. Bentley, J. S. Trethewey, A. B. Ellis, W. C. Crone, Nano Lett. 4, 487 (2004).
A. Janotti, C. G. van de Walle, Appl. Phys. Lett. 87, 122102 (2005).
A. D. Franklin, Science 349, 704 (2015).
A. Castellanos-Gomez, L. Vicarelli, E. Prada, J. O. Island, K. L. Narasimha-Acharya, S. I. Blanter, D. J. Groenendijk, M. Buscema, G. A. Steele, J. V. Alvarez, H. W. Zandbergen, J. J. Palacios, H. S. J. Van der Zant, 2D Mater. 1, 025001 (2014).
A. Avsar, I. J. Vera-Marun, J. Y. Tan, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. H. C. Neto, B. zyilmaz, ACS Nano 9, 4138-4145 (2015).

Nano devices using 2D nanosheets and 1D ZnO nanowire

유사주제 논문( 159)

' Nano devices using 2D nanosheets and 1D ZnO nanowire' 의 주제별 논문영향력

주제별 논문영향력

' Nano devices using 2D nanosheets and 1D ZnO nanowire' 의 참고문헌

' Nano devices using 2D nanosheets and 1D ZnO nanowire' 의 유사주제( ) 논문