연구동향 분석
박사

Ab-initio study on optical and electrical properties of oxide semiconductors = 산화물 반도체의 광학 및 전기적 성질에 관한 제일원리 계산 연구

강영호 2015년

논문상세정보
인용/피인용
' Ab-initio study on optical and electrical properties of oxide semiconductors = 산화물 반도체의 광학 및 전기적 성질에 관한 제일원리 계산 연구' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • density functional theory (dft)
  • electron transport
  • light absorption
  • oxide semiconductors
  • point defect
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
18 0

0.0%

' Ab-initio study on optical and electrical properties of oxide semiconductors = 산화물 반도체의 광학 및 전기적 성질에 관한 제일원리 계산 연구' 의 참고문헌

  • Y. Kumagai et al., Phys. Rev. B 89, 195205 (2014).
  • Y. Kang et al., Phys. Rev. Lett. 108, 196404 (2012).
  • Y. Kang et al., Phys. Rev. B 89, 165130 (2014).
  • Y. Kang et al., J. Mater. Chem. C 2, 9196 (2014).
  • Y. Kang et al., Appl. Phys. Lett. 102, 152104 (2013).
  • Y. Kang et al., Adv. Electron. Mater. 2015, 1400006 (2015).
  • Y. Kang et al., APL Materials 2, 32108 (2014).
  • W. Walukiewicz et al., J. Appl. Phys. 50, 899 (1979)..
  • W. Nelson et al., Phys. Rev. A 75, 32505 (2007).
  • W. Kohn et al., Phys. Rev. 140, A1133 (1965).
  • T. Makino et al., Appl. Phys. Lett. 87, 22101 (2005).
  • T. Makino et al., Appl. Phys. Lett. 87, 022101 (2005).
  • T. Kamiya et al., Sci. Technol. Adv. Mater. 11, 44305 (2010).
  • T. Kamiya et al., Sci. Technol. Adv. Mater. 11, 044305 (2010).
  • T. Kamiya et al., NPG Asia Mater. 2, 15 (2010).
  • T. Kamiya et al., J. Disp. Tehcnol. 5, 273 (2009).
  • T. Kamiya et al., J. Disp. Technol. 5, 462 (2009).
  • T. Kamiya et al., J. Disp. Technol. 5, 273 (2009).
  • T. Dietl et al., J. Phys. Chem. Solids 39, 1041 (1978).
  • T. C. Chen et al., Thin Solid Films 520, 1422 (2011).
  • T. -C. Chen et al., Surf. Coat. Technol. 231, 465 (2013).
  • S. Yang et al., Appl. Phys. Lett. 99, 102103 (2011).
  • S. Tomai et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 51, 03CB01 (2012).
  • S. Sharifzadeh et al., Phys. Rev. B 85, 125307 (2012).
  • S. Park et al., Curr. Appl. Phys. 11, S337 (2011).
  • S. Lany et al., Phys. Rev. Lett. 98, 2007 (2007).
  • S. Jeon et al., Nat. Mater. 11, 301 (2012).
  • R. N. P. Vemuri et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 46, 045101 (2013).
  • R. L. Hoffman et al., J. Appl. Phys. 95, 5813 (2004).
  • R. L. Hoffman et al., Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003).
  • P. Mori-Sanchez et al., Phys. Rev. Lett. 100, 146401 (2008).
  • P. Hohenberg et al., Phys. Rev. 136, B864 (1964).
  • P. Gorrn et al., Appl. Phys. Lett. 91, 193504 (2007).
  • P. F. Carcia et al., Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2003).
  • P. Erhart et al., Phys. Rev. B 75, 153205 (2007).
  • N. Preissler et al., Phys. Rev. B 88, 085305 (2013).
  • N. Ashkenov et al., J. Appl. Phys. 93, 126 (2003).
  • N. A. Poklonski et al., J. Appl. Phys. 93, 9749 (2003).
  • M.-C. Sung et al., Proc. IMID2007, 9-1 (2007).
  • M. W. J. Prins et al., Appl. Phys. Lett. 70, 458 (1997).
  • M. W. J. Prins et al., Appl. Phys. Lett. 68, 3650 (1996).
  • M. Shishkin et al., Phys. Rev. Lett. 99, 246403 (2007).
  • M. Shishkin et al., Phys. Rev. B 75, 235102 (2007).
  • M. Rohlfing et al., Phys. Rev. B 62, 4927 (2000).
  • M. Rebien et al., Appl. Phys. Lett. 81, 250 (2002).
  • M. Kim et al., Appl. Phys. Lett. 90, 212114 (2007).
  • M. Gajdos et al., Phys. Rev. B 73, 45112 (2006).
  • M. Ernzerhof et al., J. Chem. Phys. 110, 5029 (1999).
  • M. D. H. Chowdhury et al., Appl. Phys. Lett. 98, 153511 (2011).
  • M. D. H. Chowdhury et al., Appl. Phys. Lett. 97, 173506 (2010).
  • L. E. Hintzsche et al., Phys. Rev. B 86, 235204 (2012).
  • K. Nomura et al., Science 300, 1269 (2003).
  • K. Nomura et al., Nature 432, 488 (2004).
  • K. Nomura et al., ECS J. Solid State Sci. Technol. 2, P5 (2013).
  • K. Nomura et al., Appl. Phys. Lett. 85, 1993 (2004).
  • K. Lee et al., J. Appl. Phys. 112, 33713 (2012).
  • K. Ghaffazadeh et al., Appl. Phys. Lett. 97, 113504 (2010).
  • K. Ellmer et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 3097 (2001).
  • K. Ellemer et al., Thin Solid Films 516, 5829 (2008).
  • J.-M. Lee et al., Appl. Phys. Lett. 93, 093504 (2008).
  • J.-H. Lee et al., Soc. Inf. Display Digest 39, 625 (2008).
  • J. S. Park et al., Thin Solid Films 520, 1679 (2012).
  • J. Rosen et al., Phys. Rev. B 80, 115215 (2009).
  • J. Robertson et al., Phys. Stat. Sol. (b) 245, 1026 (2008).
  • J. Robertson et al., Appl. Phys. Lett. 104, 162102 (2014).
  • J. Raja et al., Appl. Phys. Lett. 102, 083505 (2013).
  • J. P. Perdew et al., Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
  • J. P. Perdew et al., Phys. Rev. Lett. 100, 136406 (2008).
  • J. P. Perdew et al., Phys. Rev. B 45, 13244 (1992).
  • J. L. F. Da Silva et al., Phys. Rev. B 80, 214118 (2009).
  • J. Ji et al., Appl. Phys. Lett. 105, 041102 (2014).
  • J. Heyd et al., J. Chem. Phys. 118, 8207 (2003).
  • J. C. Smith et al., Phys. Rev. Lett. 106, 056401 (2011).
  • J. Batista et al., Appl. Phys. Lett. 82, 4077 (2003).
  • I. Souza et al., Phys. Rev. B 65, 35109 (2001).
  • Handbook of Transparent Conductors, edited by D. S. Ginley(Springer, New York, 2011).
  • H.-X. Deng et al., Phys. Rev. B 87, 125203 (2013).
  • H.-S. Kim et al., Sci. Rep. 3, 1459 (2013).
  • H.-S. Kim et al., IEEE Electron Deivce Lett. 32, 1251 (2011).
  • H.-H. Nahm et al., Sci. Rep. 4, 4124 (2014).
  • H. Yabuta et al., Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006).
  • H. Oh et al., Appl. Phys. Lett. 97, 183502 (2010).
  • H. K. Noh et al., Phys. Rev. B 84, 115205 (2011).
  • H. J. Kim et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 46, 055104 (2013).
  • G. Kresse et al., Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
  • G. Kresee et al., Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
  • F. Fuchs et al., Phys. Rev. B 77, 155107 (2008).
  • E. N. Cho et al., IEEE Trans. Device Mater. Rel. 11, 112 (2011).
  • E. Cho et al., J. Appl. Phys. 109, 043705 (2011).
  • D. H. Lee et al., Thin Solid Films 518, 3000 (2010).
  • D. H. Lee et al., Electrochem. Solid-State Lett. 13, H324 (2010).
  • D. Chattopadhyay et al., Rev. Mod. Phys. 53, 745 (1981).
  • C.-S. Chuang et al., SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 39, 1215 (2008).
  • B. Sadigh et al., Phys. Rev. Lett. 106, 027401 (2011).
  • B. S. Yang et al., J. Mater. Chem. 22, 10994 (2012).
  • B. Ryu et al., Appl. Phys. Lett. 97, 022108 (2010).
  • B. K. Ridley et al., Quantum Process in Semiconductors (OxfordUniversity Press, New York, 1993). 3rd ed.
  • B. Hoffling et al., Phys. Rev. B 85, 035305 (2012).
  • A. Walsh et al., Phys. Rev. Lett. 100, 167402 (2008).
  • A. Walsh et al., Chem. Mater. 21, 5119 (2009).
  • A. V. Krukau et al., J. Chem. Phys. 125, 224106 (2006).
  • A. Schleife et al., Phys. Rev. B 83, 035116 (2011).
  • A. Klein et al., Appl. Phys. Lett. 77, 2009 (2000).
  • A. Janotti et al., Nat. Mater. 6, 44 (2007).
  • A. Janotti et al., Appl. Phys. Lett. 87, 122102 (2005).
  • A. D. Becke et al., J. Chem. Phys. 98, 5648 (1993).
  • 87[21] H. Suzuura et al., Phys. Rev. Lett. 89, 266603 (2002).
  • 19[23] D. Chattopadhyay et al., Rev. Mod. Phys. 53, 745 (1981).