연구동향 분석
박사

(A) study on the resistive switching mechanism and the characteristics control of perovskite manganites : (Pr,La,Gd)0.7(Ca,Sr)0.3MnO3

이홍섭 2015년

논문상세정보
인용/피인용
' (A) study on the resistive switching mechanism and the characteristics control of perovskite manganites : (Pr,La,Gd)0.7(Ca,Sr)0.3MnO3' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • cross-point array structure
  • ferroelectric quadrangle and triangle barrier switch
  • ferroelectric tunnel barrier
  • mott metal-insulator transition
  • next generation non-volatile memory
  • perovskite manganite
  • spectromicroscopy
  • strongly correlated material
  • x-ray absorption spectroscopy
  • x-ray photoelectron spectroscopy
  • x선 광전자분광법
  • x선 흡수 분광법
  • 강상관 전자계
  • 강유전터널 베리어
  • 모트 금속-절연체 전이
  • 분광현미경
  • 삼각형 사각형의 강유전 포텐셜 베리어 스위치
  • 저항변화 메모리
  • 차세대비휘발 메모리
  • 크로스포인트 어레이
  • 페로브스카이트 망간 산화물
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
67 0

0.0%

' (A) study on the resistive switching mechanism and the characteristics control of perovskite manganites : (Pr,La,Gd)0.7(Ca,Sr)0.3MnO3' 의 참고문헌

  • http://pal.postech.ac.kr/paleng/bl/9A/
  • http://pal.postech.ac.kr/paleng/bl/8A2/
  • http://pal.postech.ac.kr/paleng/bl/8A1/
  • http://pal.postech.ac.kr/paleng/bl/4D/
  • http://pal.postech.ac.kr/paleng/
  • Z. Yang, Z. Huang, L. Ye, and X. Xie, Phys. Rev. B 60, 15674-15682 (1999).
  • Z. L. Liao, Z. Z. Wang, Y. Meng, Z. Y. Liu, P. Gao, J. L. Gang, H. W. Zhao, X. J.Liang, X. D. Bai, and D. M. Chen, Appl. Phys. Lett. 94, 253503-1/3 (2009).
  • Z. L. Liao, Z. Z. Wang, Y. Meng, Z. Y. Liu, P. Gao, J. L. Gang, H. W. Zhao, X. J. Liang,X. D. Bai, and D. M. Chen, Appl. Phys. Lett. 94, 253503 (2009).
  • Y.-E. Kim, H. Park, and J.-J. Kim, Appl. Phys. Lett. 69, 599 (1996).
  • Y. Yang, P. Sheridan, and W. Lu, Appl. Phys. Lett. 100, 203112 (2012).
  • Y. Tokura, Colossal Magnetoresistance Oxides, ed., (Gordon & Breach, London, 1999)
  • Y. Cui, H. Peng, S. Wu, R. Wang, and T. Wu, ACS Appl. Mater. Interfaces 5, 1213-1217 (2013).
  • Y. C. Bae, A. R. Lee, J. B. Lee, J. H. Koo, K. C. Kwon, J. G. Park, H. S. Im, and J. P.Hong, Adv. Funct. Mater. 22, 709-716 (2012).
  • Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, and A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett. 98,146403-1/4 (2007).
  • Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, and A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett. 98, 146403(2007).
  • W. Lee, J. W. Han, Y. Chen, Z. Cai, and B. Yildiz, J. Am. Chem. Soc. 135, 7909 (2013).181
  • W. Lee, J. Park, S. Kim, J. Woo, J. Shin, G. Choi, S. Park, D. Lee, E. Cha, B. H. Lee,and H. Hwang, ACS Nano 6, 8166-8172 (2012).
  • W. A. Harrison, Phys. Rev. B 83, 155437 (2011).
  • V. M. Goldschmidt, Naturwissenschaften, 14, 477 (1926).
  • V. I. Anisimov, I. S. Elfimov, M. A. Korotin, and K. Terakura, Phys. Rev. B 55, 15494-15499 (1997).
  • V. Garcia, and M. Bibes, Nature Commun. 5, 4289 (2014).
  • T. T. Fister, D. D. Fong, J. A. Eastman, P. M. Baldo, M. J. Highland, P. H. Fuoss, K.R. Balasubramaniam, J. C. Meador, and P. A. Salvador, Appl. Phys. Lett. 93, 151904 (2008).
  • T. Saitoh, A. E. Bocquet, T. Mizokawa, H. Namatame, A. Fujimori, M. Abbate, Y.Takeda, and M. Takano, Phys. Rev. B 51, 13942-13951 (1995).
  • T. Saitoh, A. E. Bocquet, T. Mizokawa, H. Namatame, A. Fujimori, M. Abbate, Y.Takeda, and M. Takano, Phys. Rev. B 51, 13942 (1995).182
  • T. Riedl, T. Gemming, and K. Wetzig, Ultramicroscopy 106, 284-291 (2006).
  • T. Oka, and N. Nagaosa, Phys. Rev. Lett. 95, 266403 (2005).117
  • T. Kimura, and Y. Tokura, Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 451 (2000).
  • T. Hemraj-Benny, S. Banerjee, S. Sambasivan, M. Balasubramanian, D. A. Fischer, G.Eres, A. A. Puretzky, D. B. Geohegan, D. H. Lowndes, W. Han, J. A. Misewich, and S. S.Wong, Small 2, 26 (2006).
  • T. Chatterji, B. Ouladdiaf, P. Mandal, B. Bandyopadhyay, and B.Ghosh, Phys.Rev. B66, 054403 (2002).
  • T, Oka, and N, Nagaosa, Phys. Rev. Lett. 95, 266403 (2005).
  • SKHynix
  • S.-L. Li, D. S. Shang, J. Li, J. L. Gang, and D. N. Zheng, J. Appl. Phys. 105, 033710(2009).
  • S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki, and K. Ando, Nat. Mater. 3, 868-871 (2004).
  • S. Y. Wang, B. L. Cheng, C. Wang, S. Y. Dai, H. B. Lu, Y. L. Zhou, Z. H. Chen, and118G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 84 (20), 4116-4118 (2004).
  • S. Siqing, H. Wu, H. Yamaguchi, T. Shinohara, O. Sakata, A. Takahara, PolymerBulletin 70, 105 (2013).
  • S. Satpathy, Z. S. Popovi?, and F. R. Vukajlovi?, Phys. Rev. Lett. 76, 960-963 (1996).
  • S. Satpathy, Z. S. Popovi?, F. R. Vukajlovi?, Phys. Rev. Lett. 76, 960-963 (1996).
  • S. Raabe, D. Mierwaldt, J. Ciston, M. Uijttewaal, H. Stein, J. Hoffmann, Y. Zhu, P.Blochl, and C. Jooss, Adv. Funct. Mat. 22, 3378-3388 (2012).
  • S. M. Sze, and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. (Wiley, NewJersey, 2007).183
  • S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. (Wiley-Interscience, Hoboken,2007).
  • S. M. Liu, X. B. Zhu, J. Yang, B. C. Zhao, Z. G. Sheng, W. H. Song, J. M. Dai, and Y.P. Sun, Physica B 353, 238 (2004).
  • S. L. Li, D. S. Shang, J. Li, J. L. Gang, and D. N. Zheng, J. Appl. Phys. 105, 033710-1/6 (2009).
  • S. Jin, T. H. Tiefel, M. McCormack, R. A. Fastnacht, R. Ramesh and L. H. Chen,Science 264, 413 (1994).
  • S. C. Jain, Ashok. K. Kapoor, Wim Geens, J. Poortmans, R. Mertens, and M.Willander, J. Appl. Phys. 92 (7), 3752-3754 (2002).
  • S. Asanuma, H. Akoh, H. Yamada, A. and Sawa, Phys. Rev. B 80, 235113 (2009).
  • R. von Helmholt, J. Wecker, B. Holzapfel, L. Schultz and K. Samwer, Phys. Rev.Lett. 71, 2331 (1993).
  • R. Waser, and M. Aono, Nat. Mater. 6, 833-840 (2007).43
  • R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater. 21, 2632-2663 (2009).
  • R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater. 21, 2632 (2009).
  • R. Soni, A. Petraru, P. Meuffels, O. Vavra, M. Ziegler, S. K. Kim, D. S. Jeong, N. A.Pertsev, and H. Kohlstedt, Nature Commun. 5, 5414 (2014).
  • R. Munstermann, J. J. Yang, J. P. Strachan, G. Medeiros-Ribeiro, R. Dittmann, and R.Waser, Phys. Status Solidi (RRL) 4, 16 (2010).
  • R. Meyer , L. Schloss , J. Brewer , R. Lambertson , W. Kinney , J. Sanchez, and D.Rinerson, Proc. Non-Volatile Memory Technol. Symp., 1-5 (2008).
  • R. H. Fowler, and L. W. Nordheim, Proc. R. Soc. London, Ser. A 119, 173 (1928).
  • R. H. Fowler, and L. Nordheim, Proc. R. Soc. London, Ser. A 119, 173 (1928).
  • R. Fors, S. I. Khartsev, and A. M. Grishin, Phys. Rev. B 71, 045305 (2005).
  • R. Dong, W. F. Xiang, D. S. Lee, S. J. Oh, D. J. Seong, S. H. Heo, H. J. Choi, M. J.Kwon, M. Chang, M. Jo, M. Hasan, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 90, 182118 (2007).
  • R. Bertacco, J. P. Contour, A. Barthelemy, J. Olivier, Surf. Sci. 511, 366 (2002).
  • P. Sun, Y.-Z. Wu, T.-Y. Cai, and S. Ju. Appl. Phys. Lett. 99, 052901 (2011).
  • P. Kuiper, J. van Elp, G. A. Sawatzky, A. Fujimori, S. Hosoya, and D. M. de Leeuw,Phys. Rev. B 44, 4570-4575 (1991).42
  • P. Kuiper, J. van Elp, G. A. Sawatzky, A. Fujimori, S. Hosoya, and D. M. de Leeuw,Phys. Rev. B 44, 4570-4575 (1991).
  • P. Kuiper, G. Kruizinga, J. Ghijsen, G. A. Sawatzky, and H. Verweij, Phys. Rev. Lett.62, 221-224 (1989).
  • P. J. Cumpson, J. of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 73, 25 (1995).
  • N. Abdelmoula, J. Dhahri, K. Guidara, E. Dhahri, and J. C. Joubert, Phase Transit. 70197 (1999).
  • M.-J. Lee, C. B. Lee, D. Lee, S. R. Lee, M. Chang, J. H. Hur, Y.-B. Kim, C.-J. Kim,D. H. Seo, S. Seo, U.-I. Chung, I.-K. Yoo, and K. Kim, Nat. Mater. 10, 625-630 (2011).
  • M. Ye. Zhuravlev, R. F. Sabirianov, S. S. Jaswal, and E. Y. Tsymbal, Phys. Rev. Lett. 94,246802 (2005).
  • M. Wuttig, and N. Yamada, Nat. Mater. 6, 824-832 (2007).
  • M. Stengel, and N. A. Spaldin, Nature 443, 679-682 (2006).
  • M. K. Dalai, P. Pal, B. R. Sekhar, N. L. Saini, R. K. Singhal, K. B. Garg, B. Doyle, S.Nannarone, C. Martin, and F. Studer, Phys. Rev. B 74, 165119-1/6 (2006).
  • M. J. Rozenberg, Scholarpedia 6 (4), 11414 (2011).
  • M. J. Rozenberg, M. J. Sanchez, R. Weht, C. Acha, F. Gomez-Marlasca, and P. LevyPhys. Rev. B 81, 115101-1/5 (2010).
  • M. J. Rozenberg, I. H. Inoue, and M. J. Sanchez, Phys. Rev. Lett. 92, 178302 (2004).
  • M. H. Lee, and C. S. Hwang, Nanoscale 3, 490 (2011).
  • M. Fujimoto, H. Koyama, Y. Nishi, T. Suzuki, S. Kobayashi, Y. Tamai, and N. Awaya,J. Am. Ceram. Soc. 90 (7), 2205-2209 (2007).
  • M. B. Salamon, and M. Jaime, Rev. Mod. Phys. 73, 583-628 (2001).
  • M. Abbate, F. M. F. de Groot, J. C. Fuggle, A. Fujimori, O. Strebel, F. Lopez, M.Domke, G. Kaindl, G. A. Sawatzky, M. Takano, Y. Takeda, H. Eisaki, and S. Uchida, Phys.119Rev. B 46, 4511-4519 (1992).
  • L. J. Sinnamon, R. M. Bowman, J. M. Gregg, Appl. Phys. Lett. 78, 1724 (2001).
  • L. Goux, P. Czarnecki, Y. Y. Chen, L. Pantisano, X. P. Wang, R. Degraeve, B.Govoreanu, M. Jurczak, D. J. Wouters, and L. Altimime, Appl. Phys. Lett. 97, 243509(2010).
  • K. Ueno, S. Nakamura, H. Shimotani, H. T. Yuan, N. Kimura, T. Nojima, H. Aoki, Y.Iwasa, and M. Kawasaki, Nat. Nanotech. 6, 408-412 (2011).
  • K. Tsubouchi, I. Ohkubo, H. Kumigashira, M. Oshima, Y. Matsumoto, K. Itaka, T.Ohnishi, M. Lippmaa, and H. Koinuma, Adv. Matter. 19, 1711-1713 (2007).
  • K. M. Kim, B. J. Choi, Y. C. Shin, S. Choi, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 91,012907 (2007).
  • K. Honda, H. Yakabe, T. Koga, S. Sasaki, O. Sakata, H. Otsuka, A. Takahara, Chem.Lett. 34, 1024 (2005).
  • K. Ebata, H. Wadati, M. Takizawa, A. Fujimori, A. Chikamatsu, H. Kumigashira, M.Oshima, Y. Tomioka, and Y. Tokura, Phys. Rev. B 74, 064419 (2006).
  • J.-J. Huang, Y.-M. Tseng, C.-W. Hsu, and T.-H. Hou, IEEE Electron Device Lett. 32,1427-1429 (2011).
  • J.-H. Park, C. T. Chen, S-W. Cheong, W. Bao, G. Meigs, V. Chakarian, and Y. U.Idzerda, Phys. Rev. Lett. 76, 4215-4218 (1996).
  • J. Perlich, J. Rubeck, S. Botta, R. Gehrke, S.V. Roth, M.A. Ruderer, S.M. Prams, M.Rawolle, Q. Zhong, V. Korstgens, P. Muller-Buschbaum, Review of Scientific Instruments81, 105105 (2010).
  • J. P. Zhou, J. T. McDevitt, J. S. Zhou, H. Q. Yin, J. B. Goodenough, Y. Gim, and Q.X. Jia, Appl. Phys. Lett. 75, 1146 (1999).
  • J. Ouyang, C.-W. Chu, C. R. Szmanda, L. Ma, and Y. Yang, Nat. Mater. 3, 918-922(2004).
  • J. Norpoth, S. Mildner, M. Scherff, J. Hoffmann, and C. Jooss, Nanoscale 6, 9852-9862 (2014).
  • J. M. Lee, H. J. Choi, D. J. Seong, J. S. Yoon, J. B. Park, S. J. Jung, W. T. Lee, M.Chang, C. H. Cho, and H. S. Hwang, Microelectron. Eng. 86, 1933 (2009).
  • J. M. D. Coey and M. Viret, Adv. Phys. 48, 167 (1999).
  • J. Lee, H. Choi, D. Seong, J. Yoon, J. Park, S. Jung, W. Lee, M. Chang, C. Cho, andH. Hwang, Microelectron Eng. 86, 1933-1935 (2009).
  • J. J. Yang, M.-X. Zhang, M. D. Pickett, F. Miao, J. P. Strachan, W.-D. Li, W. Yi, D. A.A. Ohlberg, B. Joon Choi, W. Wu, J. H. Nickel, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams,Appl. Phys. Lett. 100, 113501 (2012).
  • J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, and R. S. Williams,Nat. Nanotechnol. 3, 429-433 (2008).
  • J. H. van Santen and G. H. Jonker, Physica 16, 599 (1950).
  • J. H. Jung, K. H. Kim, D. J. Eom, T. W. Noh, E. J. Choi, Jaejun Yu, Y. S. Kwon, andY. Chung, Phys. Rev. B 55, 15489-15493 (1997).
  • I. Saito, K. Inoue, S. Tachizono, T. Yamagishi, U.S. patent 6,737,792 B2 (18 May2004).
  • H.-S. Lee, S.-G. Choi, H.-H. Park, and M. J. Rozenberg, Sci. Rep. 3, 1704 (2013).184
  • H.-S. Lee, C.-S. Park, and H.-H. Park, Appl. Phys. Lett. 104, 191604 (2014).
  • H. Yamaguchi, M. Kikuchi, M. Kobayashi, H. Ogawa, H. Masunaga, O. Sakata, A.Takahara, Macromolecules 45, 1509 (2012).
  • H. Yakabe, K. Tanaka, T. Nagamura, S. Sasaki, O. Sakata, A. Takahara, T. Kajiyama,Polymer Bulletin 53, 213 (2005).
  • H. Y. Jeong, J. Y. Lee, S.-Y. Choi, and J. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 95, 162108 (2009).
  • H. Wadati, A. Maniwa, A. Chikamatsu, I. Ohkubo, H. Kumigashira, M. Oshima, A.Fujimori, M. Lippmaa, M. Kawasaki, and H. Koinuma, Phys. Rev. Lett. 100, 026402-1/4(2008).
  • H. W. Choi, S. Y. Kim, W.-K. Kim, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. 87, 082102 (2005).
  • H. S. Lee, S. G. Choi, H. H. Park, and M. J. Rozenberg, Sci. Rep. 3, 1704 (2013).
  • H. Michaelson, IBM J. Res. Dev. 22, 72 (1978).
  • H. L. Ju, J. Gopalakrishnan, J. L. Peng, Li Qi, G. C. Xiong,T. Venkatesan, and R. L.Greene, Phys. Rev. B 51, 6143 (1995).
  • H. L. Ju, H.-C.Sohn, Kannan, and M. Krishnan, Phys. Rev. Lett. 79, 3231 (1997).
  • H. Kurata, and C. Colliex, Phys. Rev. B 48, 2102-2108 (1993).
  • H. Kumigashira, K. Horiba, H. Ohguchi, K. Ono, M. Oshima, N. Nakagawa, M.Lippmaa, M. Kawasaki, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 82, 3430 (2003).
  • H. Kohlstedt, N. A. Pertsev, J. R. Contreras, and R. Waser, Phys. Rev. B 72, 125341(2005).
  • H. Jalili, J. W. Han, Y. Kuru, Z. Cai, and B. Yildiz, J. Phys. Chem. Lett. 2, 801 (2011).
  • H. A. Jahn, and E. Teller, Proc. Roy. Soc. A 161, 220 (1937).
  • G. Jonker and J. van Santen, Physica 16, 337 (1950).
  • G. F. Derbenwick, and J. E. Brewer (ed), Nonvolatile Memory Technology withEmphasis on Flash, (IEEE Press, 2008)
  • F. Chen, T. Zhao, Y.Y. Fei, H. Lu, Z. Chen, G. Yang, and X. D. Zhu, Appl. Phys. Lett.80, 2889 (2002).
  • E. Linn, R. Rosezin, C. Kugeler, and R. Waser, Nat. Mater. 9, 403-406 (2010).
  • E. Dagotto, Nanoscale Phase Separation and Colossal Magnetoresistance (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2003).
  • E Pellegrin, L.H Tjeng, F.M.F de Groot, R Hesper, G.A Sawatzky, Y Moritomo, andY Tokura, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 86, 115-118 (1997).
  • Dagotto, E. Nanoscale Phase Separation and Colossal Magnetoresistance (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2003).
  • D.-H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X.-S. Li, G.-S.Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, and C. S. Hwang, Nat. Nanotechnol. 5, 148-153 (2010).
  • D. W. Reagor, S. Y. Lee, Y. Li, and Q. X. Jia, J. Appl. Phys. 95, 7971 (2004).
  • D. S. Shang, Q. Wang, L. D. Chen, R. Dong, X. M. Li, and W. Q. Zhang, Phys. Rev.B 73, 245427 (2006).
  • D. Pantel, and M. Alexe, Phys. Rev. B 82, 134105 (2010).
  • D. Pantel, S. Goetze, D. Hesse, and M. Alexe, ACS Nano 5, 6032-6038 (2011).226
  • Ch. Jooss, L. Wu, T. Beetz, R. F. Klie, M. Beleggia, M. A. Schofield, S. Schramm, J.Hoffmann, and Y. Zhu, Proc. Natl Acad. Sci. USA 104, 13597-13602 (2007).
  • Ch. Jooss, J. Hoffmann, J. Fladerer, M. Ehrhardt, T. Beetz, L. Wu, and Y. Zhu, Phys.Rev. B 77, 132409 (2008).
  • C. Zhou, and D. M. Newns, J. Appl. Phys. 82, 3081 (1997).
  • C. J. Amsinck, N. H. Di Spigna, D. P. Nackashi, and P. D. Franzon, Nanotechnology16, 2251-2260 (2005).
  • B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, W. Jo, and Y. Cu, Nature 401,682-684 (1999).
  • A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 85, 4073-1/3 (2004).
  • A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 85, 4073 (2004).
  • A. Sawa, Mater. Today 11, 28-36 (2008).
  • A. Sawa, Mater. Today 11, 28 (2008).
  • A. Kushima, and B. Yildiz, J. Mater. Chem. 20, 4809 (2010).
  • A. K. Powell, Nat. Chem. 2, 351 (2010).
  • A. Jain, P. Kumar, S. C. Jain, V. Kumar, R. Kaur, and R. M. Mehra, J. Appl. Phys.102, 094505, (2007).
  • A. Herpers, C. Lenser, C. Park, F. Offi, F. Borgatti, G. Panaccione, S. Menzel, R.Waser, and R. Dittmann, Adv. Mater. 26, 2730-2735 (2014).
  • A. Gruverman, Nano Lett. 9, 3539-3543 (2009).
  • A. E. Bocquet, T. Mizokawa, T. Saitoh, H. Namatame, and A. Fujimori, Phys. Rev. B46, 3771-3784 (1992).
  • A. Chanthbouala, V. Garcia, R. O. Cherifi, K. Bouzehouane, S. Fusil, X. Moya, S.Xavier, H. Yamada, C. Deranlot, N. D. Mathur, M. Bibes, A. Barthelemy, and J.Grollier, Nature Mater. 11, 860-864 (2012).
  • A. Chanthbouala, A. Crassous, V. Garcia, K. Bouzehouane, S. Fusil, X. Moya, J.Allibe, B. Dlubak, J. Grollier, S. Xavier, C. Deranlot, A. Moshar, R. Proksch, N. D. Mathur,M. Bibes, and A. Barthelemy, Nature Nanotech. 7, 101-104 (2011).
  • A. Carbone, B. K. Kotowska, and D. Kotowski, Phys. Rev. Lett. 95, 236601 (2005).
  • A. Abate, F. M. F. de Groot, J. C. Fuggle, A. Fujimori, O. Strebel, F. Lopez, M. Domke,G. Kaindl, G. A. Sawatzky, M. Takano, Y. Takeda, H. Eisaki and S. Uchida, Phys. Rev. B46, 4511 (1992).
  • A. A. Taskin, A. N. Lavrov, and Y. Ando, Appl. Phys. Lett. 86, 091910 (2005).