연구동향 분석
박사

Study on the characteristics of Zn-based oxide semiconductor and its 3D stacked device for flash memory applications : 김언기

김언기 2015년

논문상세정보
인용/피인용
' Study on the characteristics of Zn-based oxide semiconductor and its 3D stacked device for flash memory applications : 김언기' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 3-dimensional vertical stacked device
  • charge trap memory tft (ctmt)
  • defect profile simulation
  • indium gallium zinc oxide (igzo)
  • nand flash memory
  • negative bias illumination stability (nbis)
  • oxide semiconductor
  • thin-film transistor (tft)
  • zinc tin oxide (zto)
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
99 0

0.0%

' Study on the characteristics of Zn-based oxide semiconductor and its 3D stacked device for flash memory applications : 김언기' 의 참고문헌

  • Y. Uchida and M. Matsumura, Electron Devices, IEEE Transactions on36, 2940 (1989).50
  • Y. Takahashi, M. Kanamori, A. Kondoh, H. Minoura, and Y. Ohya,Japanese Journal of Applied Physics 33, 6611 (1994).
  • Y. Kuo, Thin Film Transistors: Amorphous silicon thin film transistors,Vol. 1 (Kluwer Academic Pub, 2004).
  • Y. Kang, Y. Cho, and S. Han, Appl. Phys. Lett. 102, 152104 (2013).
  • Y. Kang, S. H. Jeon, Y.-W. Son, Y.-S. Lee, M. Ryu, S. Lee, and S. Han,Phys. Rev. Lett. 108, 196404 (2012).
  • Y. J. Chung, J. H. Kim, U. K. Kim, S. H. Rha, and C. S. Hwang, Journalof Applied Physics (accepted) (2011).
  • Y. J. Chung, J. H. Kim, U. K. Kim, S. H. Rha, and C. S. Hwang, J. Appl.Phys. 111, 024511 (2011).
  • Y. J. Chung, J. H. Kim, U. K. Kim, D.-Y. Cho, H. S. Jung, J. K. Jeong,and C. S. Hwang, Eletrochem. Solid-State Lett. 14, G35 (2011).
  • W. Kim, S. Choi, J. Sung, T. Lee, C. Park, H. Ko, J. Jung, I. Yoo, and Y.Park, Dig. Tech. Pap. - Symp. VLSI Technol., 188?189 (2009).
  • W. Kim, S. Choi, J. Sung, T. Lee, C. Park, H. Ko, J. Jung, I. Yoo and Y.Park, VLSI Symp. Tech. Dig., pp.188-189 (2009).
  • U. K. Kim, S. H. Rha, J. H. Kim, Y. J. Chung, J. Jung, E. S. Hwang, J.Lee, T. J. Park, J.-H. Choi, and C. S. Hwang, J. Mater. Chem. C, 1, 6695(2013).
  • Toshiba NAND vs. NOR Flash Memory Technology Overview,http://www.chips.toshiba.com
  • T.-C. Fung, C.-S. Chuang, C. Chen, K. Abe, R. Cottle, M. Townsend, H.Kumomi, and J. Kanicki, J. Appl. Phys. 106, 084511 (2009).
  • T. Windbacher: Engineering Gate Stacks for Field-Effect Transistors.
  • T. Seiyama, Chemical sensor technology, vol. 1, Kodansha/Elsevier.
  • T. Kawamura, H. Uchiyama, S. Saito, H. Wakana, T. Mine1, M. Hatano1,K. Torii and T. Onai, IEDM (2008).
  • T. Kawamura, H. Uchiyama, S. Saito, H. Wakana, T. Mine, M. Hatano, K.Torii, and T. Onai, in Proc. IEDM, pp. 1?4. (2008).
  • T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, Science and Technology ofAdvanced Materials 11, 044305 (2010).
  • T. Kamiya, A. Suemasu, T. Watanabe, T. Sameshima, and I. Shimizu,Appl. Phys. A 73, 151-159 (2001).
  • Soon -Moon Jung et al, IEDM Tech. Dig., pp 37-40, (2006).
  • S.-M.Yoon, S. Yang, C. Byun, S.-H. K. Park, D.-H. Cho, S.-W. Jung, O.-S. Kwon and C.-S. Hwang, Adv. Funct. Mater., vol. 20, no. 6, 921(2010)
  • S. Yang, K. Hwan Ji, U. Ki Kim, C. Seong Hwang, S.-H. Ko Park, C.-S.51Hwang, J. Jang, and J. Kyeong Jeong, Applied Physics Letters 99, 102103(2011).
  • S. Yang, K. H. Ji, U. K. Kim, C. S. Hwang, S.-H. Ko Park, C.-S. Hwang,J. Jang, and J. K. Jeong, Appl. Phys. Lett. 99, 102103 (2011).
  • S. Yamamoto and M. Migitaka, JAPANESE JOURNAL OF APPLIEDPHYSICS PART 1 REGULAR PAPERS SHORT NOTES AND REVIEWPAPERS 32, 462 (1993).
  • S. W. Lee, O. S. Kwon, J. H. Han, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 92,222903 (2008).
  • S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, and T.Kawai, Journal of Applied Physics 93, 1624 (2003).
  • S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed.Hoboken, NJ: Wiley (2007).
  • S. H. Rha, U. Ki. Kim, J. Jung, H. K. Kim, Y. S. Jung, E. S. Hwang, Y. J.Chung, M. Lee, J.-H. Choi, and C. S. Hwang, IEEE Transactions on Electron87Devices 60, 1128 (2013)
  • S. H. Rha, U. K. Kim, J. Jung, E. S. Hwang, J.-H. Choi, and C. S. Hwang,Appl. Phys. Lett. 103, 183503 (2013).
  • S. H. Rha, U. K. Kim, J. Jung, E. S. Hwang, J.-H. Choi, and C. S. Hwang,Appl. Phys. Lett. (submitted).
  • S. H. Rha, J. Jung, Y. S. Jung, Y. J. Chung, U. K. Kim, E. S. Hwang, B. K.Park, T. J. Park, J.-H. Choi, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 100, 203510(2012).
  • S. H. Rha, J. Jung, Y. S. Jung, Y. J. Chung, U. K. Kim, E. S. Hwang, B. K.Park, T. J. Park, J. H. Choi, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 100, 203510(2012).
  • S. C. Chang, Journal of Vacuum Science and Technology 17, 366 (1980).
  • S. B. Ogale, Thin Films and Heterostructures for Oxide Electronics,Springer, New York (2005).
  • R. Presley, C. Munsee, C. Park, D. Hong, J. Wager, and D. Keszler,Journal of Physics D: Applied Physics 37, 2810 (2004).
  • R. Hoffman, B. J. Norris, and J. Wager, Applied Physics Letters 82, 733(2003).
  • R. Bez, E. Camerlenghi, A. Modelli, and A. Visconti, PROCEEDINGSOF THE IEEE, VOL. 91, NO. 4, APRIL (2003).
  • P.-T. Liu, Y.-T. Chou, and L.-F. Teng, Applied Physics Letters 95, 233504(2009).
  • P. W. Anderson, Phys. Rev. Lett. 34, 953 (1975).
  • P. Agoston, K. Albe, R. M. Nieminen, and M. J. Puska, Phys. Rev. Lett.103, 245501 (2009).
  • O. S. Kwon, S. K. Kim, M. Cho, C. S. Hwang, and J. Jeong, J.Electrochem. Soc. 152, C229-236 (2005).
  • M.-J. Lee, S. I. Kim, C. B. Lee, H. Yin, S.-E. Ahn, B. S. Kang, K. H.Kim, J. C. Park, C. J. Kim, I. Song, S. W. Kim, G. Stefanovich, J. H. Lee, S.J. Chung, Y. H. Kim and Y. Park, Adv. Funct. Mater. 19, 1587 (2009).
  • M. K. Ryu, S. Yang, S.-H. K. Park, C.-S. Hwang, J. K. Jeong, Appl. Phys.Lett. 95, 173508 (2009).
  • M. G. Kim, H. S. Kim, Y. G. Ha, J. He, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti,and T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 132, 10352-10364 (2010).
  • M. D. H. Chowdhury, P. Migliorato, and J. Jang, Applied Physics Letters97, 173506 (2010).
  • M. D. H. Chowdhury, P. Migliorato, and J. Jang, Appl. Phys. Lett. 97,173506 (2010).
  • K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, T. Uruga, M. Hirano, and H. Hosono,Phys. Rev. B 75, 035212 (2007).
  • K. Nomura, T. Aoki, K. Nakamura, T. Kamiya, T. Nakanishi, T. Hasegawa,M. Kimura, T. Kawase, M. Hirano and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 96,263509 (2010).
  • K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, and H. Hosono, Nature 432,488 (2004).
  • K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirao, and H. Hosono,Nature, 432, 488 (2004).
  • K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono,Nature 432, 488 (2004)
  • K. Narayanan, R. Rajaraman, M. Valsakumar, K. Nair, and K.Vijayakumar, Materials research bulletin 34, 1729 (1999).
  • K. Kim, “Technology for Sub-50nm DRAM and NAND Flash52Manufacturing,” in IEEE Proc. Intl. Electron Devices Meeting, pp. 323-326,Dec (2005).
  • K. Kim, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 323?326 (2005).
  • K. H. Ji, J.-I. Kim, H. Y. Jung, S. Y. Park, R. Choi, U. K. Kim, C. S.Hwang, D. Lee, H. Hwang, and J. K. Jeong, Applied Physics Letters 98,103509 (2011).
  • K. H. Ji, J. I. Kim, Y. G. Mo, J. H. Jeong, S. Yang, C. S. Hwang, S. H. KoPark, M. K. Ryu, S. Y. Lee, and J. K. Jeong, IEEE Eletron Device Lett. 31,1404-1406 (2010).
  • K. H. Ji, J. I. Kim, Y. G. Mo, J. H. Jeong, S. Yang, C. S. Hwang, S. H. K.Park, M. K. Ryu, S. Y. Lee, and J. K. Jeong, Electron Device Letters, IEEE 31,1404 (2010).
  • K. Chopra, S. Major, and D. Pandya, Thin Solid Films 102, 1 (1983).
  • J.-S. Park, J. K. Jeong, Y.-G. Mo, H. D. Kim, and C.-J. Kim, Appl. Phys.Lett. 93, 033513 (2008).
  • J.-G. Yun, G. Kim, J.-E. Lee, Y. Kim, W. B. Shim, J.-H. Lee, H. Shin, J.D. Lee, and B.-G. Park, IEEE Trans. Electron Devices 58, 1006 (2011).
  • J.-G. Yun, G. Kim, J.-E. Lee, Y. Kim, W. B. Shim, J.-H. Lee, H. Shin, J.D. Lee, and B.-G. Park, IEEE Trans. Electron Device 58, 1006 (2011).13 8
  • J.-G. Yun, G. Kim, J.-E. Lee, Y. Kim, W. B. Shim, J.-H. Lee, H. Shin, J.D. Lee and B.-G. Park, IEEE Trans. Electron Device Lett. 58, 1006 (2011).
  • J. S. Sim, J. S. Zhao, H. J. Lee, K. Lee, G. W. Hwang, and C. S. Hwang,J. Electrochem. Soc. 153, C777-C786 (2006).
  • J. Lee, D.-Y. Cho, J. Jung, U. K. Kim, S. H. Rha, C. S. Hwang, and J.-H.Choi, Appl. Phys. Lett. 102, 242111 (2013).85
  • J. Kim, A.J. Hong, S. M. Kim, E.B. Song, J. H. Park, J. Han, S. Choi, D.Jang, J. -T. Moon and K.L Wang, VLSI Symp. Tech. Dig., pp.186-187(2009).
  • J. Kim, A. J. Hong, S. M. Kim, E. B. Song, J. H. Park, J. Han, S. Choi, D.Jang, J.-T. Moon, and K. L Wang, Dig. Tech. Pap. - Symp. VLSI Technol.,186?187 (2009).
  • J. Jang, et al., Symposium on VLSI Technology Digest of TechnicalPapers, 978-4-86348-009-4 (2009).
  • J. Jang, H.-S. Kim, W. Cho, H. Cho, J. Kim, S. I. Shim, Y. Jang, J.-H.Jeong, B.-K. Son, D. W. Kim, Kihyun, J.-J. Shim, J. S. Lim, K.-H. Kim, S.Y. Yi, J.-Y. Lim, D. Chung, H.-C. Moon, S. Hwang, J.-W. Lee, Y.-H. Son,U-I. Chung and W.-S. Lee, VLSI Symp. Tech. Dig., pp.192-193 (2009).
  • J. Jang, H.-S. Kim, W. Cho, H. Cho, J. Kim, S. I. Shim, Y. Jang, J.-H.Jeong, B.-K. Son, D. W. Kim, J.-J. Shim, J. S. Lim, K.-H. Kim, S. Y. Yi, J.-Y. Lim, D. Chung, H.-C. Moon, S. Hwang, J.-W. Lee, Y.-H. Son, U-I.Chung, and W.-S. Lee, Dig. Tech. Pap. - Symp. VLSI Technol., 192?193(2009).
  • J. Heo, S. B. Kim, and R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 101, 113507(2012)..
  • J. H. Shin, J. S. Lee, C. S. Hwang, S. H. K. Park, W. S. Cheong, M. Ryu,C. W. Byun, J. I. Lee, and H. Y. Chu, ETRI Journal 31, 62 (2009).
  • J. H. Lee, J. H. Kim, and M. K. Han, Electron Device Letters, IEEE 26,897 (2005).
  • J. H. Kim, U. K. Kim, Y. J. Chung,, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett.,98, 232102 (2011).11 6
  • J. H. Kim, U. K. Kim, Y. J. Chung,, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett.,98, 232102 (2011)
  • J. H. Kim, U. K. Kim, Y. J. Chung, and C. S. Hwang, physica statussolidi (RRL)?Rapid Research Letters (2011).
  • J. H. Kim, U. K. Kim, Y. J. Chung, and C. S. Hwang, Phys. Status SolidiRRL 5, 178-180 (2011)
  • J. H. Kim, U. K. Kim, Y. J. Chung, and C. S. Hwang, Applied PhysicsLetters 98, 232102 (2011).
  • J. H. Kim, U. K. Kim, Y. J. Chung, J. S. Jung, S. H. Rha, H. S. Jung, C. S.Hwang, J. K. Jeong, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 98, 023507 (2011).
  • J. H. Kim, PhD thesis, Seoul National University (2011).
  • J. F. Wager, Science 300, 1245 (2003).49
  • J. F. Conley Jr, Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on, 1(2010).
  • H.Tanaka, et al., Symposium on VLSI Technology Digest of TechnicalPapers, 978-4-900784-03-1 (2007).
  • H. Uchida, K. Takechi, S. Nishida, and S. Kaneko, Japanese Journal ofApplied Physics 30, 3691 (1991).
  • H. Tanaka, M. Kido, K. Yahashi, M. Oomura, R. Katsumata, M. Kito, Y.Fukuzumi, M. Sato, Y. Nagata, Y. Matsuoka, Y. Iwata, H. Aochi, and A.Nitayama, VLSI Symp. Tech. Dig., pp.14-15 (2007).
  • H. Tanaka, M. Kido, K. Yahashi, M. Oomura, R. Katsumata, M. Kito, Y.Fukuzumi, M. Sato, Y. Nagata, Y. Matsuoka, Y. Iwata, H. Aochi, and A.Nitayama, Dig. Tech. Pap. - Symp. VLSI Technol. 2007, 14?15 (2007).
  • H. Q. Chiang, PhD thesis, Oregon State University (2007).
  • H. Kuriyama, S. Kiyama, S. Noguchi, T. Kuwahara, S. Ishida, T. Nohda, K.Sano, H. Iwata, S. Tsuda, and S. Nakano, in High mobility poly-Si TFT by anew excimer laser annealing method for large area electronics, 1991 (IEEE), p.563.
  • H. Hosono, M. Yasukawa, and H. Kawazoe, J. of Non-Cryst. Solids, 203,pp. 334-344 (1996).
  • G. Heiland and D. Kohl, Phys. Status Solidi A 49, 27 (1978).
  • G. D. Mahan J. Appl. Phys. 54, 3825 (1983).
  • Forward Insights, NAND Quarterly Insights Q3/09, www.forwardinsights.com/Report No. FI-NFL-NQI-Q309 September (2009).
  • F. Oba, M. Choi, A. Togo, A. Seko, and I. Tanaka, J. Phys.: Condens.Matter 22, 384211 (2010).
  • F. Masuoka, M. Asano, H. Iwahashi, T. Komuro, S. Tanaka, A new FlashEEPROM cell using triple polysilicon technology, in IEEE IEDM TechnDigest, pp. 464-467, Washington, (1984).
  • F. Masuoka et al., IEDM, pp. 552-555 (1987).
  • Erh-Kun Lai et al, IEDM Tech. Dig., pp 41-44, (2006).
  • E. Ziegler, A. Heinrich, H. Oppermann, and G. Strover, Phys. StatusSolidi A 66, 635 (1981).
  • E. Fortunato, P. Barquinha, and R. Martins, Advanced Materials (2012).
  • E. Fortunato, P. Barquinha, A. Pimentel, L. Pereira, G. Goncalves, and R.Martins, Phys. Stat. Sol. (RRL) 1, R34-36 (2007).
  • E. Fortunato, P. Barquinha, A. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S.Marques, L. Pereira, and R. F. P. Martins, Advanced Materials 17, 590 (2005).
  • E. Fortunato, P. Barquinha, A. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S.Marques, L. Pereira, and R. F. P. Martins, Adv. Mater. 17, 590 (2005).
  • D. L. Young, H. Moutinho, Y. Yan, and T. J. Coutts, J. Appl. Phys. 92,310 (2002).86
  • D. K. Schroder, Semiconductor material and device characterization(Wiley-IEEE press, 2006).
  • D. Hong and J. F. Wager, Journal of Vacuum Science & Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures 23, L25 (2005).
  • D. Adler and E. J. Yoffa, Phys. Rev. Lett. 36, 1197-1200 (1976).
  • C.-U. Pinnow and T. Mikolajick, J. Electrochem. Soc. 151, K13 (2004).
  • C. R. Kagan and P. Andry, Thin-film transistors (CRC Press, 2003).
  • B. S. Yang, S. Park, S. Oh, Y. J. Kim, J. K. Jeong, C. S. Hwang, and H. J.Kim, J. Mater. Chem. 22, 10994 (2012).
  • B. S. Yang, M. S. Huh, S. Oh, U. S. Lee, Y. J. Kim, M. S. Oh, J. K. Jeong,C. S. Hwang, and H. J. Kim, Applied Physics Letters 98, 122110 (2011).
  • B. Ryu, H.-K. Noh, E.-A. Choi, and K. J. Chang, Appl. Phys. Lett. 97,022108 (2010).
  • Ashok K. Sharma, Nonvolatile Memories, Semiconductur Memories,IEEE Press, New York, Chapter 3 (1996).
  • A. Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H.Hosono, Thin Solid Films 486, 38-41 (2005).
  • A. Suresh, S. Novak, P. Wellenius, V. Misr, and J. F. Muth, , Appl. Phys.Lett., 94, 123501(2009).
  • A. Janotti and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 87, 122102 (2005).
  • 09005aef8245f3bftn2919_nand_101.fm - Rev. B 4/10 EN