연구동향 분석
박사

Solution-Processed High-k Dielectrics for Organic/Inorganic Thin-Film Transistors and CMOS Circuit Applications : 용액 공정 고유전상수 절연체를 이용한 유무기 박막트랜지스터 및 상보형 회로 응용에 대한 연구

지선범 2015년

논문상세정보
인용/피인용
' Solution-Processed High-k Dielectrics for Organic/Inorganic Thin-Film Transistors and CMOS Circuit Applications : 용액 공정 고유전상수 절연체를 이용한 유무기 박막트랜지스터 및 상보형 회로 응용에 대한 연구' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • complementary metal-oxide-semiconductor (cmos)
  • high-k dielectrics
  • indium-gallium-zinc-oxide (igzo)
  • inkjet-printing
  • inverter
  • organic semiconductor
  • oxide semiconductor
  • pentacene
  • solution-process
  • spin-coating
  • thin-film transistors (tfts)
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
173 0

0.0%

' Solution-Processed High-k Dielectrics for Organic/Inorganic Thin-Film Transistors and CMOS Circuit Applications : 용액 공정 고유전상수 절연체를 이용한 유무기 박막트랜지스터 및 상보형 회로 응용에 대한 연구' 의 참고문헌

  • Y.-H. Kim, K.-Ho Kim, M. S. Oh, H. J. Kim, J. I. Han, M.-K. Han, and S. K.Park, IEEE Electron Device Lett. 31, 836 (2010)
  • Y. Yun, C. Pearson, and M. C. Petty, J. Appl. Phys. 105, 034508 (2009)
  • Y. Wang, X. W. Sun, G. K. L. Goh, H. V. Demir, H. Y. Yu, IEEE Trans.Electron Devices 58, 480 (2011)
  • Y. Ueoka, Y. Ishikawa, J. P. Bermundo, H, Yamazaki, S. Urakawa, Y. Osada,M. Horita, and Y. Uraoka, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 03CC04 (2014)
  • Y. L. Wang, F. Ren, W. Lim, D. P. Norton, S. J. Pearton, I. I. Kravchenko, andJ. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 90, 232103 (2007)
  • Y. H. Kim, M. K. Han, J. I. Han, and S. K. Park, IEEE Trans. ElectronDevices 57, 1009 (2010)
  • Y. D. Park, B. Kang, H. S. Lim, K. Cho, M. S. Kang, and J. H. Cho, ACS Appl.Mater. Interfaces 5, 8591 (2013)
  • W.-Y. Chou, C.-W. Kuo, H.-L. Cheng, Y.-R. Chen, F.-C. Tang, F.-Y. Yang,D.-Y. Shu, and C.-C. Liao, Appl. Phys. Lett. 89, 112126 (2006)
  • W. J. Park, H. Y. Shin, B. D. Ahn, G. H. Kim, S. M. Lee, K. H. Kim, and H. J.Kim, Appl. Phys. Lett. 93, 083508 (2008)
  • W. B. Choi, D. S. Chung, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H.Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 75,3129 (1999)
  • U. Ozgur, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Do?an, V.Avrutin, S.-J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005)
  • T. Minari, M. Kano, T. Miyadera, S.-D. Wang, Y. Aoyagi, and K. Tsukagoshi,Appl. Phys. Lett. 94, 093307 (2009)
  • T. Kamiya, Z. A. K. Durrani, H. Ahmed, T. Sameshima, Y. Furuta, H. Mizutaand N. Lloyd, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1000 (2003)
  • T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, J. Display Technol. 5, 468 (2009)
  • S. Lee, B. Koo, J. Shin, E. Lee, H. Park, and H. Kim, Appl. Phys. Lett. 88,162109 (2006)102
  • S. K. Park, J. E. Anthony, and T. N. Jackson, IEEE Electron Device Lett. 20,877 (2007)
  • S. J. Chung , S. O. Kim , S. K. Kwon , C. H. Lee and Y. T. Hong, IEEEElectron Device Lett. 32, 1134 (2011)
  • S. Higashi, D. Abe, Y. Hiroshima, K. Miyashita, T. Kawamura, S. Inoue andT. Shimoda, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 3646 (2002)
  • S. H. Kim, M. Jang, H. Yang, J. E. Anthony, and C. E. Park, Adv. Funct.Mater. 21, 2198 (2011)128
  • S. H. Kim, D. Choi, D. S. Chung, C. Yang, J. Jang, C. E. Park, and S.-H. KoPark, Appl. Phys. Lett. 93, 113306 (2008)
  • S. H. Cha, M. S. Oh, K. H. Lee, J.-M. Choi, B. H. Lee, M. M. Sung, and S. Im,IEEE Electron Device Lett. 29, 1145 (2008)
  • R. P. Ortiz, A. Facchetti and T. J. Marks, Chem. Rev. 110, 205 (2010)
  • P.-T. Liu, Y.-T. Chou, L.-F. Teng, and C.-S. Fuh, Appl. Phys. Lett. 97, 083505(2010)
  • P. T. Liu, Y. T. Chou, and L. F. Teng, Appl. Phys. Lett. 95, 233504 (2009)
  • P. K. Nayak, T. Busani, E. Elamurugu, P. Barquinha, R. Martins, Y. Hong,and E. Fortunato, Appl. Phys. Lett. 97, 183504 (2010)
  • P. K. Nayak, M. N. Hedhili, D. Cha, and H. N. Alshareef, Appl. Phys. Lett. 103,033518 (2013)
  • P. K. Nayak, J. Yang, J. Kim, S. Chung, J. Jeong, C. Lee, and J. Yongtaek, J.Phys. D: Appl. Phys. 42, 035102 (2009)
  • P. Barquinha and L. Pereira and G. Goncalves and R. Martins and E. Fortunato,Electrochem. Solid-State Lett. 11, H248 (2008)
  • M.-G. Kim, H. Kim, Y.-G. Ha, J. He, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti, and T. J.Marks, J. Amer. Chem. Soc. 132,10352 (2010)
  • M. S. Oh, W. Choi, K. Lee, D. K. Hwang, and S. Im, Appl. Phys. Lett. 93,033510 (2008)
  • M. J. Powell, Appl. Phys. Lett. 43, 597 (1983)
  • L. F. Weber, IEEE Trans. Electron Devices 24, 480 (1977)
  • K.-J. Baeg, M. Caironi, Y.-Y. Noh, Adv. Mater. 25, 4210 (2013)
  • K. Song, W. Yang, Y. Jung, S. Jeong, and J. Moon, J. Mater. Chem. 22, 21265(2012)
  • K. Norrman, A. Ghanbari-Siahkali, N.B. Larsen, Annu. Rep. Prog. Chem. Sect.C 101, 174 (2005)
  • K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono,Nature 432, 488 (2004)
  • J.Y. Kwon, D.J. Lee, K.B. Kim, Electron. Mater. Lett. 7, 1(2011)
  • J.S. Park, W.-J. Maeng, H.-S. Kim, J.-S. Park, Thin Solid Films 520, 1679(2012)
  • J.M. Ding, A.F. Vornbrock, C. Ting, V. Subramanian, Sol. Energy Mater. Sol.Cells 93, 459 (2009)
  • J.K. Jeong, Semicond. Sci. Technol. 26, 034008 (2011)
  • J.F. Wager, D.A. Keszler, R.E. Presley, Transparent Electronics (Springer,New York, 2008)
  • J.-S. Park, T.-W. Kim, D. Stryakhilev, J.-S. Lee, S.-G. An, Y.-S. Pyo, D.-B.Lee, Y.G.Mo, D.-U. Jin, H.K. Chung, Appl. Phys. Lett. 95, 013503 (2009)
  • J.-S. Park, H. Kim, and I.-D. Kim, J Electroceram. 32, 117 (2014)
  • J. Sun , J. Jiang , A. Lu and Q. Wan, IEEE Trans. Electron Devices 57, 2258(2010)
  • J. Robertson, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 28, 265 (2004)
  • J. Park, K. Kim, Y. Yoo, S. Park,K.-H. Lim, K. Lee, H. Baik, and Y. Kim, J.Mater. Chem. C, B, 7166 (2013)
  • J. Liu, D. B. Buchholz, J. W. Hennek, R. P. H. Chang, A. Facchetti, and T. J.Marks, J. Am. Chem. Soc. 132, 11934 (2010)
  • J. Kim, J. Cho, S. Chung, J. Kwak, C. Lee, and Y. Hong, J. Korean Phys. Soc.54, 518 (2009)
  • J. Jeong and Y. Hong, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 036501 (2010)
  • J. H. Na, M. Kitamura, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 213505 (2008)
  • J. H. Lim, J. H. Shim, J. H. Choi, J. Joo, K. Park, H. Jeon, M. R. Moon, D.Jung, H. Kim, and H. -J. Lee, Appl. Phys. Lett. 95, 012108 (2009)54
  • H.Iechi, Y. Watanabe, and K. Kudo, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 2645 (2007)
  • H. Sirringhaus, T. Kawase, R. H. Friend, T. Shimoda, M. Inbasekaran, W. Wu,and E. P. Woo, Science 290, 2123 (2000)
  • H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, and D. A. Keszler, Appl.Phys. Lett. 86, 013503 (2005)
  • H. L. Zhang, L. Guo, and Q. Wan, J. Mater. Chem. C 1, 2781 (2013)
  • H. Jia, G. K. Pant, E. K. Gross, R. M. Wallace, B. E. Gnade, Org. Electron.7,16 (2006)
  • G. H. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, W. J. Park, and H. J. Kim, J.Electrochem. Soc. 156, H7 (2009)
  • G. H. Kim, H. S. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, and H. J. Kim, ThinSolid Films 517, 4007 (2009)
  • F.C. Krebs, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93, 465 (2009)
  • F.C. Krebs, M. J? rgensen, K. Norrman, O. Hagemann, J. Alstrup, T.D.Nielsen, J. Fyenbo, K. Larsen, J. Kristensen, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93,422 (2009)
  • F. R. Libsch, J. Kanicki, Appl. Phys. Lett. 62, 1286 (1993)
  • F. C. Krebs, Sol. Energy Mater. Solar Cells 93, 484 (2009)16
  • E. Fortunato, P. Barquinha , and R. Martins, Adv. Mater. 24, 2945 (2012)
  • D. Knipp, R. A. Street, A. Volkel, and J. Ho, J. Appl. Phys. 93, 347 (2003)
  • D. Kim, Y. Jeong, C. Y. Koo, K. Song, and J. Moon, Jpn. J. Appl. Phys. 49,05EB06 (2010)
  • D. Kim, C. Y. Koo, K. Song, Y. Jeong, and J. Moon, Appl. Phys. Lett. 95,103501 (2009)
  • Cho, J. H. J. Lee, Y. Xia, B. Kim, Y. He, M. J. Renn, T. P. Lodge, and C. D.Frisbie, Nature Mater. 7, 900 (2008)
  • C.-Y. Chen and J. Kanicki, IEEE Electron Device Lett. 17, 437 (1996)
  • C. G. Lee and A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. vol. 96, 243501 (2010)
  • C. Avis and J. Jang, J. Mater. Chem. C 21, 10649 (2011)
  • B. S. Ong, C. S. Li, Y. N. Li, Y. L. Wu, and R. Loutfy, J. Amer. Chem. Soc. 129,2750 (2007)
  • A. Dodabalapur, Solid State Commun. 102, 259 (1997)
  • A. D. Carlo and F. Piacenza, Appl. Phys. Lett. 86, 263501 (2005)