연구동향 분석
박사

Improving the interface characteristic of SiO2/4H-SiC using nitridation and reduced oxidation process

김창현 2015년

논문상세정보
인용/피인용
' Improving the interface characteristic of SiO2/4H-SiC using nitridation and reduced oxidation process' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 4h-sic
  • atomic layer deposition
  • interface trap density (dit)
  • nitridation
  • post-oxidation annealing
  • power device mosfet
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
116 0

0.0%

' Improving the interface characteristic of SiO2/4H-SiC using nitridation and reduced oxidation process' 의 참고문헌

  • Z. Zhen, R. E. Tressler and K. E. Spear, Corrosion Sci. 33, 545 (1992).
  • Yole development, SiC devices in power electronics 2010.156
  • Y. Song, S. Dhar and L. C. Feldman, J. Appl. Phys. 95 (9), 4953 (2004).157
  • Y. K. Sharma, A. Claude, T. Smith, X. Shen, S. T. Pantelides, X. Zhu, J.Rozen, Y. Xu, E. Garfunkel and J. R. Wiliams, Solid State Electron., 68, 109-107 (2012).
  • Y. Chang, F. Ducroquet, L. G. Gosset, A. Sibai, J. Phys. (France), 11, 139(2001).
  • X. chen, L. ning, Y. wang, J. Li, X. Xu, X. Hu and M. Jiang, J. Mater. Sci.Technol., 25, 1 (2009).
  • X. Zhu, A. C. Ahyi, M. Li, Z. Chen, J. Rozen, L. C. Feldman, and J. R.Wiliams, Solid-State Electron 57, 7679 (2011).
  • X. Shen and S. T. Pantelides, Appl. Phys. Lett. 98, 053507 (2011).
  • W. Cho and Y. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 20(1) (2002).
  • V. V. Afanas ev, M. Bassler, G. Pensl, and M. Schulz, Phys. Status SolidiA 162, 321 (1997).
  • V. V. Afanas ev, F. Ciobanu, S. Dimitrijev, G. Pensl, and A. Stesmans, J.Phys. Condens. Matter. 16, 1839 (2004).
  • V. V. Afanas ev, A Stesmans, F. Chen, S A. Campbell and R. Smith, Appl.Phys. Lett. 82, 922 (2003).
  • V. V. Afanas ev et al., Appl. Phys. Lett. 86, 568 (2003).
  • V. V. Afanas ev and A. Stesmans, Phys. Rev. Lett. 78, 2437 (1997).
  • V. Tilak, Phys. Status Solidi A, 206, 10, 2391-2402 (2009).
  • V. Tilak, K. Matocha, G. Dunner, F. Allerstam and E. O. Sveinbjornsson,IEEE Trans. Electron Devices, 56, 162 (2009).
  • T. I. Kamins and N. C. McDonald, Phys. Rev. 167, 754 (1968).161
  • Stephen E. Saddow, Anant Agarwal, Advances in Silicon CarbideProcessing and Applications, p.8 (2004).
  • S. Wang, M. di Ventra, S. G. Kim and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett.86, 5946 (2001).
  • S. W. Huang and J. G. Hwu, IEEE Trans. Electron. Dev., 51, 1877 (2004).
  • S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York, pp.362-378 (1981).
  • S. M. Koo, Ph. D. Dissertation, Department of Microelectronics andInformation Technology, KTH, Royal Institute of Technology, Stockholm,Sweden (2003).
  • S. K. Lee, Ph. D. Dissertation, Department of Microelectronics andInformation Technology, KTH, Royal Institute of Technology, Stockholm,Sweden (2002).
  • S. J. Won, S. Suh, M. S. Huh, and H. J. Kim, IEEE Electron. DeviceLett. 31, 857 (2010).
  • S. J. Won, J. R. Kim, S. Suh, N. I. Lee, C. S. Hwang, and H. J. Kim,ACS Appl. Mater. Interfaces 3, 1633 (2011).
  • S. J. Won, H. S. Jung, S. Suh, Y. J. Choi, N. I. Lee, C. S. Hwang, and H.J. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 1 (2011).
  • S. H. Ryu, S. Dhar, S. Haney, A. Agarwal, A. Lelis, B. Geil, and C.Scozzie, Mater. Sci. Forum, 615-617, 743 (2009).
  • S. E. Saddow, T. E. Schattner, J. Brown, L. Grazulis, K. Mahalingam, G.Landis, R. Bertke and W. C. Mitchel, J. Electron. Mater, 30 (3), 228 (2001).
  • S. Dhar, Y. W. Song, L. C. Feldman, T. Isaacs-Smith, C. C. Tin, J. R.Wiliams, G. Chung, T. Sichimura, D. Starodub, T. Gustafsson, and E.Garfunkel, Appl. Phys. Lett., 84, 9, 1498 (2004).
  • S. Dhar, Ph. D. Dissertation, Vanderbilt University, USA (2005).
  • S. A. Correa, C. Radtke, G. V. Soares, L. Miotti, I. J. R. Baumvol, S.Dimitrijev, J. Han, L. Hold, F. Kong, and F. C. Stedile, Appl. Phys. Lett. 94,251909 (2009).
  • R.Schorner et al., Appl. Phys. Lett. 80, 4253 (2002).
  • R. Schorner, P. Friedrichs, D. Peters, and D. Stephani, IEEE ElectronDevice Lett. 20, 241 (1999).
  • R. S. Okojie, M. Xhang, P. Pirouz, S. Tumakha, G. Jessen, and L. J.Brillson, Appl. Phys. Lett. 79, 3056 (2001).
  • R. C. De Meo, T. K. Wang, T. P. Chow, D. M. Brown and L. G. Matus, J.Electrochm. SoC. 141, 150 (1994).
  • R. Buczko, S. J. Pennycook and S. T. Pantelides, Phys. Review Lett.84(5), 943-946 (2000).
  • R. B. Campbell, IEEE Trans. Indus. Electron. IE-29, 124 (1982).
  • P. Tanner, S, Dimitrijev, H. F. Li, D. Sweatman, K. E. Prince and H. B.Harrison, J. Electro. Mat. 28, 2 (1999).
  • P. Jamet, S. Dimitrijev, H. B. Harrison, and D. Sweatman, Appl. Phys.Lett., 70, 2028 (1997).
  • P. Jamet, S. Dimitrijev, Appl. Phys. Lett. 79, 323 (2001).
  • P. Jamet, S. Dimitrijev and P. Tanner, J. Appl. Phys. 90, p5058 (2001).159
  • P. Deak, J. M. Knaup, T. Hornos, Ch. Thill, A. Gali, and Th. Frauenheim,J. Phys. D. 40, 6242 (2007).
  • N. Soejima, T. Kimura, T. Ishikawa and T. Sugiyama, Mater, Sci. Forum,740-742, 723 (2013).
  • N. S. Saks and A. K. Agarwal, Appl. Phys. Lett. 77, 3281 (2000).
  • Mitsubishi electric corporation, Mitsubishi product report (2011).
  • M. Wolborski, M. Bakowski, V. Pore, M. Ritala, M. Leskela, A. Schoner,and A. Hallen, Mater. Sci. Forum, 483-485, 701 (2005).
  • M. Usman, C. Henkel, and A. Hallen, ECS J. Solid State Sci. Tech., 2(8),N3087-N3091 (2013).
  • M. S. Shur, SiC Materials and Devices, Eds. Y. S. Park, Academic press,p.161, 1998.
  • M. Okamoto, M. Tanaka, T. Yatsuo and K. Fukuda, Appl. Phys. Lett., 89,023502 (2006).
  • M. Kato, Y. Nanen, J. Suda, and T. Kimoto, Mater. Sci. Forum 679?680,445 (2011).
  • M. K. Das, Mater. Sci. Forum, 457-460, 1275 (2004).
  • M. D. Ventra and S. T. Pantelides, Phys. Review Lett. 83(8), 1624-627(1999).
  • M. D. Groner, J. W. Elam, H. H. Fabreguette, S. M. George, Thin SolidFilms, 413, 186 (2002).
  • M. Bassler, G. Pensl, and V. Afanas ev, Diamonr Relat. Mat. 6, 1472(1997).
  • M. Avice, U. Grossner, E. V. Monakhov, J. Grillenberger, O. Nilsen, H.Fjellvag, and B. G. Svensson, Mater. Sci. Forum, 483-485, 705 (2005).
  • M. Avice et. al., J. Appl. Phys. 102, 054513 (2007).
  • L. K. Swanson, P. Fiorenza, F. Giannazzo, A. Frazzetto and F. Roccaforte,Appl. Phys. Lett. 101, 193501 (2012).
  • L. A. Lipkin, M. K. Das and J. W. Palmour, Mater. Sci. Forum, 389-393,985 (2002).
  • L. A. Lipkin and J. W. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices 46, 525(1999).
  • KERI report (2004).
  • K. Y. Chung, J. H. Moon, H. J. Kim, W. Bahng, and N. K. Kim, J. Appl.Phys. 103, 084113 (2008).
  • K. Y. Cheong, W. Bahng and N. K. Kim, Appl. Phys. Lett., 90, p012120(2007).
  • K. Y. Cheong, J. H. Moon, T. J. Park, J. H. Kim, C. S. Hwang, H. J kim,W. Bahng and N. K. Kim, IEEE Trans. Electron Devices, 54, 12 (2007).
  • K. Y. Cheong, J. H. Moon, D. Eom, H. J. Kim, W. Bahng, and N. K.Kim, Electrochem. Sold State Lett., 10(2), H69-H71 (2007).
  • K. Y. Cheong, D. Simitrijev, J. Han and H. B. Harrison, J. Appl. Phys. 93.5682 (2003).
  • K. Mcdonald, M. B. Huang, R. A. Weller, L. C. Fledman, J. R. Wiliams,F. C. Stedile, I. J. R. Baumvol and C. Radtke, Appl. Phys. Lett, 76, 568 (2000).160
  • K. Mcdonald et al., J. Appl. Phys, 93(5), 2719-2722 (2003).
  • K. Mcdonald et al., J. Appl. Phys, 93(4), 2257-2261 (2003).
  • K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen and M. Leskela, ThinSolid Films, 416, 72 (2002).
  • K. Jarredahl and R. F. Davis, SiC Materials and Devices, Eds. Y.S. Park,Academic Press, p.1, 1998.
  • K. Forsgren, A. Harsta, J. Aarik, A. Aidla, J. Westlinder and J. Olsson, J.Electrochem. Soc. 149, F139 (2002).
  • K. Chatty, S. Banerjee, T. P. Chow, R. J. Gutmann, E. Arnold, and D.Alok, Mater. Sci. Forum 389-393, 1041 (2002).
  • K. C. Chang, N. T. Nuhfer, L. M. Porter and Q. Wahab, Appl. Phys. Lett.77, 2186 (2000).
  • J. S. Choi, B. S. Yang, S. J. Won, J. R. Kim, S. Suh, H. K .Park, J. Heo,and H. J. Kim, ECS Solid State Letter, 2 (12), pp 114-116 (2013).
  • J. Rozen, S. Dhar, M. E. Zvanut, J. R. Wiliams and L. C. Feldman, J. App.Phys. 105, 124506 (2009).
  • J. Rozen, A. C. Ahyi, X. Zhu, J. R. Wiliams and L. C. Feldman, IEEETrans. Electron Devices, 58, 11 (2011).
  • J. Robertson, J. Non-cCryst. Solids, 303, 94 (2002).
  • J. M. Knaup, P. Deak, T. Frauenhein and A. Gali, Phys. Rev. B 71,235321 (2005).
  • J. Kim, K. Chakrabarti, J. Lee, K. Y. Oh, C. Lee, Mater. Chem. Phys., 78,733 (2003).
  • J. K. Jeong, Ph. D. Dissertation, Department of Material Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, Korea (2002).
  • J. H. Moon, J. H. Yim, H. S. Seo, D. H. Lee, H. K. Song, J. Heo, H. J.Kim, K. Y. Cheong, W. Bahng, and N. K. Kim, J. Electrochem. Soc. 157,H196 (2010).163
  • J. H. Moon, J. H. Yim, H. S. Seo, D. H. Lee, C. H. Kim, H. J. Kim, K. Y.Cheong, W. Bahng, and N. K. Kim, Appl. Phys. Lett., 96, 122108 (2010).
  • J. B. Kim, D. R. Kwon, K. Chakrabarti, L. Chongmu, J. Appl. Phys., 92,6739 (2002).
  • J. A. Cooper, Phys. Stat. Sol. (a) 162, 305 (1997).162
  • J. A. Cooper Jr, M. R. Melloch, R. Singh, A. Agarwal, and J. W. Palmour,IEEE Trans. Elect. Dev. 49, 658 (2002).
  • I. Polishchuk and C. Hu, IEEE Symposium on VLSI Cirvuits, Digest ofTechnical Papers, n Technology Symp., pp 51-52, 2001.
  • H. Yano, F. Katafuchi, T. Kimoto and H. Matsunami, IEEE Trans.Electron Devices, 46, 3 (1999).
  • H. R. Lazar, V. Misra, R. S. johson, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett.,79, 973 (2001).
  • H. Okumura, H. Harima, T. Kimoto, M. yoshimoto, H. Watanabe, T.Hatayama, H. Matsuura, T. Funaki and Y. Sano, Mater. Sci. Forum, 778-780,623 (2014).
  • H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl.Phys., 76, 1363 (1994).
  • H. Linewih, S. Dimitrijev, and K. Y. Cheong, Microelectron. Reliab. 43,405 (2003).
  • H. Kurimoto, K. Shibata, C. Kimura, H. Aoki, and T. Sugino, Appl. Surf.Sci. 253, 2416 (2006).
  • H. Kimimori, Mater. Sci. Forum 600-603, 889 (2008).
  • H. F. Li, S. Dimitrijev, H. B. Harrison, D. Sweatman, Appl. Phys. Lett. 70,2028 (1997).
  • G. Y. Chung, J. R. Wiliams, T. I. Smith, F. Ren, K. McDonald and L. C.Feldman, Appl. Phys. Lett. 81, 22 (2002).
  • G. Y. Chung, J. R. Wiliams, K. Mcdonald, and L. C. Feldman, J.Phys.:Condens. Matter 16, S1857 (2004).
  • G. Y. Chung, J. R. Wiliams, K. McDonald and L. C. Feldman, J.Phys.:Condencs. Matter, 15, 1-15 (2003).
  • G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Wiliams, K. McDonald, M. Di ventra et al.Appl. Phys. Lett. 77, 3601 (2000).
  • G. Y. Chung et al., IEEE Electron Device Lett. 22, 176 (2001).
  • G. Y Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. Mcdonald, M. D. ventra, S. T.Pantilides, L. C. Feldman and R. A.Weller, Appl. Phys. Lett. 76, 1713 (2000).
  • G. V. Soares, C. Radtke, I. J. R. Baumvol and F. C. Stedile, Appl. Phys.Lett, 88, 041901 (2006).
  • G. Pensl, et al., Phys. Stat. Sol. B, 245, 1378 (2008).
  • G. Pensl, S. Beljakowa, T. Frank, K. Gao, F. Speck, T. Seyller, L. Ley, F.Ciobanu, V. Afanas ev, A. Stesmans, T. Kimoto and A. Schoner, Phys. Stat.Sol. B, 245, p1378 (2008).
  • G. Lubberts, J. Appl. Phys. 46, 5355 (1977).
  • G. Gudjonsson, h. O. Olafsson, F. Allerstam, P. A. Nilsson, E. O.Eveinbjornsson, H. Zirath, T. Rodle and R. Jos, IEEE Electron Device Lett. 26,96 (2005).
  • G. D. Silk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
  • F. Roccaforte, P. Fiorenze and F. Giannazzo, ECS J. Solid State Scienceand Technology, 2(8), N3006-3011 (2013).
  • E. O. Sveinbjornsson, F. Allerstam, H. O. Olafsson, G. Gudjonsson, D.Dochev, T. Rodle and R. Jos, Mater. Sci. Forum, 556-557, 487-492 (2007).
  • E. O. Johnson, RCA Rev. 26, 163 (1965).
  • E. H. Snow and B. E deal, J. Electrochem. Soc., 113, 3, 263-269, (1966).
  • D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama and T. Fuyuki, Appl. Phys. Lett. 96,203508 (2010).
  • D. Okamoto, H. Yano, K. Hirata, T. Hatayama, T. Fuyuki, IEEE ElectronDevice Lett. 31, 7 (2010).
  • D. K. Schroder, Semiconductor material and device characterization,Joen Wiley & Son, New York, 1998.158
  • D. Alok, E. Arnold, R. Egloff and S. Mukherjee, US Patent 6559068(2003).
  • C. Y. Lu, J. A. Cooper Jr, T. Tsuji, G. Chung, J. R. Wiliams, K.McDonald and L. C. Feldman, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 1582 (2003).
  • C. Lombardi, S. Manzini, A. Saporito, and M. Vanzi, IEEE Trans.COMPUT. AID. D 7, 1164 (1988).
  • C. Li, R. Wang, J. Seiler, and I. Bhat, Mater. Sci. Forum, 457-460, 801(2004).
  • B. S. Yang, S. Park, S. Oh, Y. J. Kim, J. K. Jeong, C. S. Hwang, and H. J.Kim, J. Mater. Chem. 22, 10994 (2012).
  • B. J. Baliga, J.Appl. Phys., 53, 1759 (1982).
  • B. Hornets, H. J. Michel and J. Halbritter, J. Mater. Res, 9, 3088 (1994).
  • B. B. Burton, M. P. Boleslawski, A. T. Desombre, and S. M. George,Chem. Mater. 20, 7031 (2008).
  • A. R. Verna and P. Krishina (Eds), Polymorphism and polytypism incrystals, Wiely, New York, 1966.
  • A. Paskaleva, R. R. Ciechonsk, M. Syvajarvi, E. Atanassova, and R.Yakimova, A. Appl. Phys., 97, 124507-1 (2005).
  • A. P. Tomas, P. Godignon, N. Mestres, and J. Millan, Microelectron.Eng. 83, 440 (2006).
  • A. Koh, A. Kestle, C. Wright, S. P. Wilks, P. A. Mawby, and W. R.Bowen, Appl. Surf. Sci. 174, 210 (2001).164
  • A. Goetzberger and J. C. Irvin, IEEE Trans. Electron Devices, ED-15(12), 1009 (1968).
  • R. G. davis, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 829 (1993).
  • K. McDonald, Ph. D. dissertation, Vanderbilt University (2001).