연구동향 분석
박사

Resistive Switching Characteristics of Metal Oxide Nanostructures Based on Surface Effects and Its Application to Emerging Memory Device : 금속 산화물 나노 구조의 표면 특성에 기반한 저항 변화 특성의 연구와 차세대 메모리 소자 응용

박진주 2015년

논문상세정보
인용/피인용
' Resistive Switching Characteristics of Metal Oxide Nanostructures Based on Surface Effects and Its Application to Emerging Memory Device : 금속 산화물 나노 구조의 표면 특성에 기반한 저항 변화 특성의 연구와 차세대 메모리 소자 응용' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • nanowire
  • photo
  • resistive switching
  • uv
  • zno
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
398 0

0.0%

' Resistive Switching Characteristics of Metal Oxide Nanostructures Based on Surface Effects and Its Application to Emerging Memory Device : 금속 산화물 나노 구조의 표면 특성에 기반한 저항 변화 특성의 연구와 차세대 메모리 소자 응용' 의 참고문헌

  • Z. Y. Fan, D. W. Wang, P. C. Chang, W. Y. Tseng, J. G. Lu, Appl Phys Lett 2004, 85,5923.
  • Z. W. Li, Y. N. Gu, L. Wang, H. X. Ge, W. Wu, Q. F. Xia, C. S. Yuan, Y. Chen,B. Cui, R. S. Williams, Nano Lett 2009, 9, 2306.
  • Y. Zhang, A. Kolmakov, S. Chretien, H. Metiu, M. Moskovits, Nano Lett 2004, 4,403.
  • Y. T. Huang, S. Y. Yu, C. L. Hsin, C. W. Huang, C. F. Kang, F. H. Chu, J. Y. Chen,J. C. Hu, L. T. Chen, J. H. He, W. W. Wu, Anal Chem 2013, 85, 3955.
  • Y. H. Jang, C. H. Kim, S. J. Seo, J. H. Cho, J Korean Phys Soc 2011, 59, 2579.
  • Y. D. Chiang, W. Y. Chang, C. Y. Ho, C. Y. Chen, C. H. Ho, S. J. Lin, T. B. Wu, J. H.He, Ieee T Electron Dev 2011, 58, 1735.
  • Y. C. Yang, X. X. Zhang, M. Gao, F. Zeng, W. Y. Zhou, S. S. Xie, F. Pan, Nanoscale2011, 3, 1917.
  • Y. C. Yang, F. Pan, Q. Liu, M. Liu, F. Zeng, Nano Lett 2009, 9, 1636.
  • Y. C. Lai, Y. X. Wang, Y. C. Huang, T. Y. Lin, Y. P. Hsieh, Y. J. Yang, Y. F. Chen,Adv Funct Mater 2014, 24, 1430.
  • Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, A. Ignatiev, Phys Rev Lett 2007, 98.
  • Y. B. Li, F. Della Valle, M. Simonnet, I. Yamada, J. J. Delaunay, Nanotechnology2009, 20.
  • X. Guo, C. Schindler, Appl Phys Lett 2007, 91.
  • X. D. Wang, J. H. Song, J. Liu, Z. L. Wang, Science 2007, 316, 102.
  • X. D. Wang, C. J. Summers, Z. L. Wang, Nano Lett 2004, 4, 423.
  • W. Y. Chang, C. A. Lin, J. H. He, T. B. Wu, Appl Phys Lett 2010, 96.
  • U. Russo, D. Ielmini, C. Cagli, A. L. Lacaita, Ieee T Electron Dev 2009, 56, 193.
  • U. Russo, D. Ielmini, C. Cagli, A. L. Lacaita, Ieee T Electron Dev 2009, 56, 186.
  • T. Y. Wei, P. H. Yeh, S. Y. Lu, Z. Lin?Wang, J Am Chem Soc 2009, 131, 17690.
  • T. W. Zeng, F. C. Hsu, Y. C. Tu, T. H. Lin, W. F. Su, Chem Phys Lett 2009, 479,105.
  • T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, I. Valov, R. Waser, M. Aono, Adv FunctMater 2012, 22, 70.
  • T. S. Wong, S. H. Kang, S. K. Y. Tang, E. J. Smythe, B. D. Hatton, A. Grinthal, J.Aizenberg, Nature 2011, 477, 443.
  • T. Fujii, M. Kawasaki, A. Sawa, H. Akoh, Y. Kawazoe, Y. Tokura, Appl Phys Lett2005, 86.
  • S. Tappertzhofen, I. Valov, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, R. Waser, M. Aono, AcsNano 2013, 7, 6396.
  • S. Patel, H. Park, P. Bonato, L. Chan, M. Rodgers, J Neuroeng Rehabil 2012, 9.
  • S. Park, S. Jung, M. Siddik, M. Jo, J. Park, S. Kim, W. Lee, J. Shin, D. Lee, G.Choi, J. Woo, E. Cha, B. H. Lee, H. Hwang, Phys Status Solidi?R 2012, 6, 454.
  • S. Moller, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig, S. R. Forrest, Nature 2003, 426, 166;Y. Ji, S. Lee, B. Cho, S. Song, T. Lee, Acs Nano 2011, 5, 5995; J. Q. Liu, Z. Y. Yin,X. H. Cao, F. Zhao, L. H. Wang, W. Huang, H. Zhang, Adv Mater 2013, 25, 233.
  • S. Menzel, S. Tappertzhofen, R. Waser, I. Valov, Phys Chem Chem Phys 2013, 15,6945.
  • S. M. Faraz, H. Ashraf, M. I. Arshad, P. R. Hageman, M. Asghar, Q. Wahab,Semicond Sci Tech 2010, 25.
  • S. M. C. a. D. L. Y. Sharpira, Surface Science 1976, 54, 43.
  • S. Lee, H. Kim, J. Park, K. Yong, J Appl Phys 2010, 108.
  • S. I. Kim, J. H. Lee, Y. W. Chang, S. S. Hwang, K. H. Yoo, Appl Phys Lett 2008, 93.
  • S. Baruah, J. Dutta, Sci Technol Adv Mat 2009, 10.
  • S. Baek, J. Song, S. Lim, Physica B 2007, 399, 101.
  • R. Waser, R. Dittmann, M. Salinga, M. Wuttig, Solid State Electron 2010, 54, 830.12
  • R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot, Adv Mater 2009, 21, 2632.
  • R. Waser, M. Aono, Nat Mater 2007, 6, 833.
  • R. Ramesh, Nat Mater 2010, 9, 380.
  • R. Poetes, K. Holtzmann, K. Franze, U. Steiner, Phys Rev Lett 2010, 105.
  • R. Fors, S. I. Khartsev, A. M. Grishin, Phys Rev B 2005, 71.
  • R. F. Freitas, W. W. Wilcke, Ibm J Res Dev 2008, 52, 439.
  • R. E. Simpson, P. Fons, A. V. Kolobov, T. Fukaya, M. Krbal, T. Yagi, J. Tominaga,Nat Nanotechnol 2011, 6, 501.
  • P. H. B. Nielsen, N.M., IEEE Transactions on electron deivces 1964IEEETransactions on electron deivces, 11, 243.
  • P. D. Yang, H. Q. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J.Pham, R. R. He, H. J. Choi, Adv Funct Mater 2002, 12, 323.
  • O. Harnack, C. Pacholski, H. Weller, A. Yasuda, J. M. Wessels, Nano Lett 2003,3, 1097.
  • N. Xu, L. F. Liu, X. Sun, X. Y. Liu, D. D. Han, Y. Wang, R. Q. Han, J. F. Kang, B.Yu, Appl Phys Lett 2008, 92.
  • N. Akamatsu, W. Tashiro, K. Saito, J. Mamiya, M. Kinoshita, T. Ikeda, J.Takeya, S. Fujikawa, A. Priimagi, A. Shishido, Sci Rep?Uk 2014, 4.
  • M. Ungureanu, R. Zazpe, F. Golmar, P. Stoliar, R. Llopis, F. Casanova, L. E. Hueso,Adv Mater 2012, 24, 2496.
  • M. Seol, H. Kim, Y. Tak, K. Yong, Chem Commun 2010, 46, 5521.
  • M. S. Arnold, P. Avouris, Z. W. Pan, Z. L. Wang, J Phys Chem B 2003, 107, 659.
  • M. Orrit, Nature 2009, 460, 42.
  • M. M. Schubert, S. Hackenberg, A. C. van Veen, M. Muhler, V. Plzak, R. J. Behm, JCatal 2001, 197, 113.
  • M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, P. D. Yang, Nat Mater 2005, 4,455.35
  • M. Izaki, R. Hisamatsu, T. Saito, K. Murata, J. Sasano, T. Shinagawa, Rsc Adv2014, 4, 14956.
  • M. H. Lee, C. S. Hwang, Nanoscale 2011, 3, 490; K. M. Kim, D. S. Jeong, C. S.Hwang, Nanotechnology 2011, 22.
  • L. Vayssieres, Adv. Mater. 2003, 15, 464.
  • L. Schachter, S. Dobrescu, K. E. Stiebing, J. D. Meyer, Rev Sci Instrum 2004,75, 1511.
  • L. Q. Jing, X. J. Sun, J. Shang, W. M. Cai, Z. L. Xu, Y. G. Du, H. G. Fu, SolEnerg Mat Sol C 2003, 79, 133.
  • L. Liao, H. B. Lu, J. C. Li, H. He, D. F. Wang, D. J. Fu, C. Liu, W. F. Zhang, J PhysChem C 2007, 111, 1900.
  • L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. F. Zhang, R. J.Saykally, P. D. Yang, Angew Chem Int Edit 2003, 42, 3031.
  • L. Chua, Appl Phys a?Mater 2011, 102, 765.
  • K. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, R. Waser, Nat Mater 2006, 5, 312.
  • K. S. Kim, H. Jeong, M. S. Jeong, G. Y. Jung, Adv Funct Mater 2010, 20, 3055.
  • K. Oka, T. Yanagida, K. Nagashima, T. Kawai, J. S. Kim, B. H. Park, J Am ChemSoc 2010, 132, 6634.
  • K. Oka, T. Yanagida, K. Nagashima, H. Tanaka, T. Kawai, J Am Chem Soc 2009,131, 3434.
  • K. Nagashima, T. Yanagida, M. Kanai, K. Oka, A. Klamchuen, S. Rahong, G.Meng, M. Horprathum, B. Xu, F. W. Zhuge, Y. He, T. Kawai, Jpn J Appl Phys2012, 51.
  • K. Nagashima, T. Yanagida, K. Oka, M. Kanai, A. Klamchuen, S. Rahong, G. Meng,M. Horprathum, B. Xu, F. Zhuge, Y. He, B. H. Park, T. Kawai, Nano Lett 2012, 12,5684.
  • K. M. Kim, S. J. Song, G. H. Kim, J. Y. Seok, M. H. Lee, J. H. Yoon, J. Park, C. S.Hwang, Adv Funct Mater 2011, 21, 1587.
  • K. M. Kim, B. J. Choi, Y. C. Shin, S. Choi, C. S. Hwang, Appl Phys Lett 2007, 91.
  • K. M. K. D.H. Kwon, J. H. Jang, J. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X. Li, G.?S. Park,B. Lee, S. Han, M. Kim and C. S. Hwang,, Nat Nanotechnol 2010, 5, 148.13
  • K. J. Yoon, M. H. Lee, G. H. Kim, S. J. Song, J. Y. Seok, S. Han, J. H. Yoon, K. M.Kim, C. S. Hwang, Nanotechnology 2012, 23.
  • K. Cheng, G. Cheng, S. J. Wang, L. S. Li, S. X. Dai, X. T. Zhang, B. S. Zou, Z.L. Du, New J Phys 2007, 9.
  • J. Yao, L. Zhong, D. Natelson, J. M. Tour, Sci Rep?Uk 2012, 2.
  • J. Suehiro, N. Nakagawa, S. Hidaka, M. Ueda, K. Imasaka, M. Higashihata, T. Okada,M. Hara, Nanotechnology 2006, 17, 2567.
  • J. S. D. Solomon M. Jacobm, AlChE Journal 1970, 16, 359.
  • J. Qi, M. Olmedo, J. J. Ren, N. Zhan, J. Z. Zhao, J. G. Zheng, J. L. Liu, Acs Nano2012, 6, 1051.52
  • J. Qi, M. Olmedo, J. G. Zheng, J. L. Liu, Sci Rep?Uk 2013, 3.
  • J. J. Yang, M. D. Pickett, X. M. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, R. S. Williams,Nat Nanotechnol 2008, 3, 429.
  • J. J. S. Yang, D. B. Strukov, D. R. Stewart, Nat Nanotechnol 2013, 8, 13.
  • J. J. Ke, Z. J. Liu, C. F. Kang, S. J. Lin, J. H. He, Appl Phys Lett 2011, 99.
  • J. Hwang, M. Pototschnig, R. Lettow, G. Zumofen, A. Renn, S. Gotzinger, V.Sandoghdar, Nature 2009, 460, 76.
  • J. H. He, S. T. Ho, T. B. Wu, L. J. Chen, Z. L. Wang, Chem Phys Lett 2007, 435, 119.
  • J. H. He, P. H. Chang, C. Y. Chen, K. T. Tsai, Nanotechnology 2009, 20.
  • J. G. Simmons, Radio and Electronic Engineer 1967, 34, 81.
  • J. G. S. a. R. R. Verderber, Proc. R. Soc. 1967, 301, 77.
  • I. Valov, R. Waser, J. R. Jameson, M. N. Kozicki, Nanotechnology 2011, 22.
  • I. Valov, M. N. Kozicki, J Phys D Appl Phys 2013, 46.
  • I. Valov, I. Sapezanskaia, A. Nayak, T. Tsuruoka, T. Bredow, T. Hasegawa, G.Staikov, M. Aono, R. Waser, Nat Mater 2012, 11, 530.
  • H. Tian, H. Y. Chen, T. L. Ren, C. Li, Q. T. Xue, M. A. Mohammad, C. Wu, Y.Yang, H. S. P. Wong, Nano Lett 2014, 14, 3214.
  • H. Kind, H. Q. Yan, B. Messer, M. Law, P. D. Yang, Adv Mater 2002, 14, 158.
  • H. Akinaga, H. Shima, P Ieee 2010, 98, 2237.
  • H. Akinaga, H. Shima, F. Takano, I. H. Inoue, H. Takagi, Ieej T Electr Electr 2007,2, 453.
  • G. W. Burr, M. J. Breitwisch, M. Franceschini, D. Garetto, K. Gopalakrishnan, B.Jackson, B. Kurdi, C. Lam, L. A. Lastras, A. Padilla, B. Rajendran, S. Raoux, R. S.Shenoy, J Vac Sci Technol B 2010, 28, 223.
  • G. J. F. a. B. W. E., Pergamon Press 1964, 7, 785.
  • G. I. Meijer, U. Staub, M. Janousch, S. L. Johnson, B. Delley, T. Neisius, Phys RevB 2005, 72.
  • G. Eranna, B. C. Joshi, D. P. Runthala, R. P. Gupta, Crit Rev Solid State 2004, 29,111.
  • E. Bourim, Y. Kim, D. W. Kim, Ecs J Solid State Sc 2014, 3, N95.97
  • D. Son, J. Lee, S. Qiao, R. Ghaffari, J. Kim, J. E. Lee, C. Song, S. J. Kim, D. J.Lee, S. W. Jun, S. Yang, M. Park, J. Shin, K. Do, M. Lee, K. Kang, C. S. Hwang,N. S. Lu, T. Hyeon, D. H. Kim, Nat Nanotechnol 2014, 9, 397.
  • D. S. Park, Y. J. Tak, J. Y. Kim, K. J. Yong, Surf Rev Lett 2007, 14, 1061.
  • D. S. Jeong, H. Schroeder, R. Waser, Electrochem Solid St 2007, 10, G51.
  • D. Ielmini, C. Cagli, F. Nardi, Y. Zhang, J Phys D Appl Phys 2013, 46; E. D.Herderick, K. M. Reddy, R. N. Sample, T. I. Draskovic, N. P. Padture, Appl PhysLett 2009, 95.
  • D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2008, 453, 80.
  • D. A. B. Miller, Nat Photonics 2010, 4, 3.
  • C. Y. Yan, J. X. Wang, X. Wang, W. B. Kang, M. Q. Cui, C. Y. Foo, P. S. Lee,Adv Mater 2014, 26, 943.
  • C. Y. Chen, M. W. Chen, J. J. Ke, C. A. Lin, J. R. D. Retamal, J. H. He, Pure ApplChem 2010, 82, 2055.
  • C. Soci, A. Zhang, X. Y. Bao, H. Kim, Y. Lo, D. L. Wang, J Nanosci Nanotechno2010, 10, 1430.
  • C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H.Lo, D. Wang, Nano Lett 2007, 7, 1003.
  • C. N. Peng, C. W. Wang, T. C. Chan, W. Y. Chang, Y. C. Wang, H. W. Tsai, W. W.Wu, L. J. Chen, Y. L. Chueh, Nanoscale Res Lett 2012, 7.
  • C. Liu, Y. J. Hwang, H. E. Jeong, P. D. Yang, Nano Lett 2011, 11, 3755.
  • C. H. Huang, J. S. Huang, S. M. Lin, W. Y. Chang, J. H. He, Y. L. Chueh, Acs Nano2012, 6, 8407.
  • C. H. Huang, J. S. Huang, C. C. Lai, H. W. Huang, S. J. Lin, Y. L. Chueh, Acs ApplMater Inter 2013, 5, 6017.
  • C. Chappert, A. Fert, F. N. Van Dau, Nat Mater 2007, 6, 813.
  • B. W. Zhang, Q. Dong, C. E. Korman, Z. Y. Li, M. E. Zaghloul, Sci Rep?Uk2013, 3.
  • B. J. Choi, J. J. Yang, M. X. Zhang, K. J. Norris, D. A. A. Ohlberg, N. P. Kobayashi,G. Medeiros?Ribeiro, R. S. Williams, Appl Phys a?Mater 2012, 109, 1.
  • A. Tsuboi, P. Kolar, T. Ishikawa, Y. Kamiya, H. Masuoka, J Polym Sci Pol Phys2001, 39, 1255.
  • A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, Y. Tokura, Appl Phys Lett 2006, 88.
  • A. Sawa, Mater Today 2008, 11, 28.
  • A. Mehonic, A. Vrajitoarea, S. Cueff, S. Hudziak, H. Howe, C. Labbe, R. Rizk, M.Pepper, A. J. Kenyon, Sci Rep?Uk 2013, 3.
  • A. Khan, M. Hussain, M. A. Abbasi, Z. H. Ibupoto, O. Nur, M. Willander, JMater Sci 2014, 49, 3434.
  • A. Gurlo, Chemphyschem 2006, 7, 2041.
  • A. Beck, J. G. Bednorz, C. Gerber, C. Rossel, D. Widmer, Appl Phys Lett 2000, 77,139.
  • A. B. Djurisic, Y. H. Leung, Small 2006, 2, 944.
  • A. Asamitsu, Y. Tomioka, H. Kuwahara, Y. Tokura, Nature 1997, 388, 50.
  • ?[1] D. S. Jeong, R. Thomas, R. S. Katiyar, J. F. Scott, H. Kohlstedt, A. Petraru, C. S.Hwang, Rep Prog Phys 2012, 75.