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비대칭 소스/드레인 수직형 나노와이어 MOSFET의 1T-DRAM 응용을 위한 메모리 윈도우 특성
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Lee, Jae Hoon
이재훈
박종태
Park, Jong Tae
한국정보통신학회[2016]
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실리콘 나노와이어 N-채널 GAA MOSFET의 항복특성
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Kim, Bo Mi
이예린
박종태
류인상
김보미
Ryu, In Sang
Park, Jong Tae
Lee, Ye Lin
한국정보통신학회[2016]
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소스 및 드레인 전극 재료에 따른 비정질 InGaZnO 박막 트랜지스터의 소자 열화
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Kang, Tae Gon
이기훈
이규연
박종태
강태곤
Park, Jong Tae
Lee, Kyu Yeon
Lee, Ki Hoon
한국정보통신학회[2017]
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박막의 두께가 비정질 InGaZnO 무접합 트랜지스터의 소자 불안정성에 미치는 영향
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Choi, Hye Ji
최혜지
조성호
전종석
박종태
Park, Jong Tae
Jo, Seong Ho
Jeon, Jong Seok
한국정보통신학회[2017]
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무접합 비정질 InGaZnO 박막 트랜지스터의 게이트 산화층 항복 특성
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Chang, Yoo Jin
장유진
서진형
박종태
Seo, Jin Hyung
Park, Jong Tae
한국정보통신학회[2018]
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