Lee, Gisung

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그래핀을 베이스로 사용한 열전자 트랜지스터의 특성 Kang, Il-Suk 이형규 이기성 김성진 김기남 고진원 강일석 Lee, Hyung Gyoo Lee, Gisung Koh, Jin Won Kim, Sung-Jin Kim, Ki Nam 한국전기전자재료학회[2016] Google Scholar 네이버 전문정보
수 원자층 두께의 MoS₂ 채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화 Lee, Gisung 이형규 이기성 Lee, Hyung Gyoo 한국전기전자재료학회[2018] Google Scholar 네이버 전문정보