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중성자 조사에 따른 SiC Schottky Diode의 전기적 특성 변화
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Cho, Man-Soon
조만순
김성수
구상모
강민석
Koo, Sang-Mo
Kim, Sung-Su
Kang, Min-Seok
한국전기전자재료학회[2014]
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4H-SiC기판 위에 Aerosol Deposition으로 증착된 Al2O3박막의 후열처리 효과
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Kang, Min-Seok
이영희
유수산나
김홍기
구상모
강민석
Yu, Susanna
Lee, Young-Hie
Koo, Sang-Mo
Kim, Hong-Ki
한국전기전자재료학회[2014]
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탄소나노튜브를 첨가한 4H-SiC MOS 캐패시터의 전기적 특성
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Koo, Sang-Mo
이태섭
구상모
Lee, Taeseop
한국전기전자재료학회[2014]
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중성자 조사된 SiC Schottky Diode의 온도 의존 특성
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Kim, Sung-Su
김성수
구상모
Koo, Sang-Mo
한국전기전자재료학회[2014]
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Ni/CNT/SiO2 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터의 전기적 특성
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Koo, Sang-Mo
이태섭
구상모
Lee, Taeseop
한국전기전자학회[2014]
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