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그래핀을 베이스로 사용한 열전자 트랜지스터의 특성
Kang, Il-Suk
이형규
이기성
김성진
김기남
고진원
강일석
Lee, Hyung Gyoo
Lee, Gisung
Koh, Jin Won
Kim, Sung-Jin
Kim, Ki Nam
한국전기전자재료학회[2016]
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수 원자층 두께의 MoS
2
채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화
Lee, Gisung
이형규
이기성
Lee, Hyung Gyoo
한국전기전자재료학회[2018]
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