1,200 V급 Trench Si IGBT의 설계 및 전기적인 특성 분석
'Kang, Ey Goo'의 연구자 점유율
논문점유율 요약
| 동일주제 총논문수 |
주제별 연구자 총논문수 |
연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균) |
| 6,982 |
188 |
|
연구자 점유율
| 주제 |
주제별 논문수 |
주제별 연구자논문수 |
주제별 연구자점유율 |
| 주제분류(KDC/DDC) |
응용 물리
|
4,649
|
22
|
|
| 주제어 |
$Ga_2O_3$ Epi wafer
|
1
|
1
|
|
|
$Ga_2O_3$ Substrate
|
1
|
1
|
|
|
$V_{CE-SAT}$
|
1
|
1
|
|
|
Deep trench
|
1
|
1
|
|
|
Etch angle
|
1
|
1
|
|
|
FS IGBT
|
1
|
1
|
|
|
Field plate
|
1
|
1
|
|
|
Filed stop
|
1
|
1
|
|
|
Heat SinK
|
1
|
1
|
|
|
High breakdown voltage
|
1
|
1
|
|
|
Low on resistance
|
1
|
1
|
|
|
Low on- resistance
|
1
|
1
|
|
|
Multi epitaxial
|
1
|
1
|
|
|
Nano gate structure
|
1
|
1
|
|
|
Non punch through
|
1
|
1
|
|
|
Reverse conducting
|
1
|
1
|
|
|
Shielded gate
|
1
|
1
|
|
|
Small cell pitch
|
1
|
1
|
|
|
distance of cevices
|
1
|
1
|
|
|
distance of devices
|
1
|
1
|
|
|
field-stop
|
2
|
2
|
|
|
fieldstop
|
1
|
1
|
|
|
high breakdown voltage
|
1
|
1
|
|
|
power switching
|
1
|
1
|
|
|
On state voltage drop
|
5
|
4
|
|
|
Dual gate
|
2
|
1
|
|
|
Junction FET
|
2
|
1
|
|
|
On state Voltage Drop
|
2
|
1
|
|
|
On-state voltage drop
|
2
|
1
|
|
|
Power IGBT
|
2
|
1
|
|
|
Trench gate
|
8
|
4
|
|
|
Unified technology
|
2
|
1
|
|
|
field-ring
|
2
|
1
|
|
|
floatingisland
|
4
|
2
|
|
|
on-state voltage drop
|
2
|
1
|
|
|
power cevices
|
2
|
1
|
|
|
smart led package
|
4
|
2
|
|
|
문화콘텐츠 평가기관
|
2
|
1
|
|
|
planar gate
|
9
|
4
|
|
|
Power devices
|
14
|
6
|
|
|
Breakdown Voltage
|
3
|
1
|
|
|
Drive in
|
3
|
1
|
|
|
High voltage
|
3
|
1
|
|
|
power devices
|
9
|
3
|
|
|
super high voltage
|
3
|
1
|
|
|
super junction
|
6
|
2
|
|
|
문화인프라
|
3
|
1
|
|
|
언어현실
|
7
|
2
|
|
|
breakdown voltage
|
59
|
16
|
|
|
Mobile application
|
4
|
1
|
|
|
Power Device
|
4
|
1
|
|
|
S-52
|
4
|
1
|
|
|
Trade off Theory
|
4
|
1
|
|
|
Turning Ability
|
4
|
1
|
|
|
epi-layer
|
4
|
1
|
|
|
n-pillar
|
4
|
1
|
|
|
planar
|
4
|
1
|
|
|
smart led
|
4
|
1
|
|
|
superjuction
|
4
|
1
|
|
|
해양지리정보시스템
|
4
|
1
|
|
|
on-resistance
|
27
|
6
|
|
|
power device
|
23
|
5
|
|
|
Wide Band Gap
|
5
|
1
|
|
|
p-pillar
|
5
|
1
|
|
|
power mosfet
|
23
|
4
|
|
|
multivalent functions
|
6
|
1
|
|
|
npt igbt
|
6
|
1
|
|
|
pillar
|
14
|
2
|
|
|
trenchangle
|
7
|
1
|
|
|
정부 간행물
|
15
|
2
|
|
|
latchup
|
8
|
1
|
|
|
세액공제제도
|
8
|
1
|
|
|
igbt
|
57
|
7
|
|
|
Planar
|
9
|
1
|
|
|
trench
|
9
|
1
|
|
|
thermal characteristics
|
19
|
2
|
|
|
장신구디자인
|
10
|
1
|
|
|
Trench
|
12
|
1
|
|
|
texture mapping
|
14
|
1
|
|
|
문법 교과서
|
29
|
2
|
|
|
Schottky barrier diode
|
17
|
1
|
|
|
designparameter
|
17
|
1
|
|
|
규정
|
35
|
2
|
|
|
process parameter
|
18
|
1
|
|
|
npt
|
19
|
1
|
|
|
navier-stokes equations
|
20
|
1
|
|
|
high-efficiency
|
21
|
1
|
|
|
weak solution
|
21
|
1
|
|
|
heatsink
|
46
|
2
|
|
|
모션 캡쳐
|
23
|
1
|
|
|
driver
|
26
|
1
|
|
|
tax credit
|
26
|
1
|
|
|
동작
|
26
|
1
|
|
|
process design
|
27
|
1
|
|
|
Structural analysis
|
28
|
1
|
|
|
pecking-order theory
|
28
|
1
|
|
|
heat-sink
|
36
|
1
|
|
|
triangulation
|
36
|
1
|
|
|
처용무
|
37
|
1
|
|
|
high speed
|
38
|
1
|
|
|
safety evaluation
|
39
|
1
|
|
|
sic
|
94
|
1
|
|
|
상황
|
90
|
1
|
|
|
high efficiency
|
118
|
1
|
|
|
무형문화재
|
199
|
1
|
|
|
문화콘텐츠
|
713
|
1
|
|
| 계 |
|
6,982 |
188 |
|
| * 주제로 분류 되지 않은 논문건수 |
|
0 |
|
