IGBT 구조의 JFET영역 변화에 따른 온-상태 전압강하 특성 향상을 위한 연구
'Ahn, Byoung Sup'의 연구자 점유율
논문점유율 요약
동일주제 총논문수 |
주제별 연구자 총논문수 |
연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균) |
4,834 |
18 |
|
연구자 점유율
주제 |
주제별 논문수 |
주제별 연구자논문수 |
주제별 연구자점유율 |
주제분류(KDC/DDC) |
응용 물리
|
4,649
|
2
|
|
주제어 |
Multi epitaxial
|
1
|
1
|
|
fieldstop
|
1
|
1
|
|
power switching
|
1
|
1
|
|
Junction FET
|
2
|
1
|
|
On state Voltage Drop
|
2
|
1
|
|
Breakdown Voltage
|
3
|
1
|
|
Drive in
|
3
|
1
|
|
Power Device
|
4
|
1
|
|
super junction
|
6
|
1
|
|
planar gate
|
9
|
1
|
|
pillar
|
14
|
1
|
|
igbt
|
57
|
3
|
|
power device
|
23
|
1
|
|
breakdown voltage
|
59
|
1
|
|
계 |
|
4,834 |
18 |
|
* 주제로 분류 되지 않은 논문건수 |
|
0 |
|
'Ahn, Byoung Sup'의 발표논문(3)