1 um 미만의 나노트렌치 게이트 구조를 갖는 1,200 V 고효율 트렌치 게이트 필드스톱 IGBT 설계에 관한 연구

공동연구/유사연구
'Kang, Ey Goo'의 연구자 점유율
논문점유율 요약
동일주제 총논문수 주제별 연구자 총논문수 연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균)
6,982 188

34.4%
연구주제 Time-line
'Kang, Ey Goo'의 발표논문(24)