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n-InGaAs MOSFETs을 위한 Pd 중간층을 이용한 Ni-InGaAs의 열 안정성 개선

이맹 신건호 이정찬 오정우 이희덕 Li, Meng Shin, Geon-Ho Lee, Jeongchan Oh, Jungwoo Lee, Hi-Deok 2018년

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연구자정보

- 저자 이맹
- 발표논문(2)
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공동연구자(15)
- Lee, Hi-Deok 2건
- Lee, Jeongchan 2건
- Li, Meng 2건
- Oh, Jungwoo 2건
- Shin, Geon-Ho 2건
- 신건호 2건
- 오정우 2건
- 이정찬 2건
- 이희덕 2건
- Kim, So-Yeong 1건
- Lee, Ga-Won 1건
- Song, Hyeong-Sub 1건
- 김소영 1건
- 송형섭 1건
- 이가원 1건
유사연구자 (20)※활용도순 상위 20명

공동연구/유사연구

'이맹'의 연구자 점유율

논문점유율 요약
동일주제 총논문수	주제별 연구자 총논문수	연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균)
4,831	14	42.6%

연구자 점유율
주제		주제별 논문수	주제별 연구자논문수	주제별 연구자점유율
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	2	0.0%
주제어	Dopant segregation	1	1	100.0%
	NiGe	1	1	100.0%
	Pd interlayer	1	1	100.0%
	$n-In_{0	2	1	50.0%
	47}As$	2	1	50.0%
	53}Ga_{0	2	1	50.0%
	Tb	3	1	33.3%
	specific contact resistance	3	1	33.3%
	Ni-InGaAs	4	1	25.0%
	Interlayer	11	1	9.1%
	mos-fet	34	1	2.9%
	thermal stability	118	1	0.8%
계		4,831	14
* 주제로 분류 되지 않은 논문건수			0

연구주제 Time-line

'이맹'의 발표논문(2)

Terbium 중간층 적용을 통한 Ni Germanide/P-type Ge의 비접촉저항 감소 연구
Kim, So-Yeong 이희덕 이정찬 이맹 이가원 오정우 신건호 송형섭 김소영 Song, Hyeong-Sub Shin, Geon-Ho Oh, Jungwoo Li, Meng Lee, Jeongchan Lee, Hi-Deok Lee, Ga-Won 한국전기전자재료학회 [2018]
n-InGaAs MOSFETs을 위한 Pd 중간층을 이용한 Ni-InGaAs의 열 안정성 개선
Lee, Hi-Deok 이희덕 이정찬 이맹 오정우 신건호 Shin, Geon-Ho Oh, Jungwoo Li, Meng Lee, Jeongchan 한국전기전자재료학회 [2018]