Analysis of Flat-Band-Voltage Dependent Breakdown Voltage for 10 nm Double Gate MOSFET
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유사연구자 (20)※활용도순 상위 20명
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Ahn, Byoung Sup
1건
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Ahn, Byoungsub
1건
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Cho, Kyu Jun
1건
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Chung, Hunsuk
3건
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Kang, Ey Goo
16건
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Kang, Ey Goo
3건
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Kim, Dong-Hyeon
1건
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Koo, Sang-Mo
2건
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Park, Jong Tae
1건
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Suh, Wang Byuck
1건
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강이구
3건
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강이구
4건
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강이구
11건
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구상모
2건
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김동현
1건
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박종태
1건
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안병섭
1건
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양창헌
1건
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이훈기
1건
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정헌석
3건
'Jung, Hakkee'의 연구자 점유율
논문점유율 요약
동일주제 총논문수 |
주제별 연구자 총논문수 |
연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균) |
476 |
5 |
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연구자 점유율
주제 |
주제별 논문수 |
주제별 연구자논문수 |
주제별 연구자점유율 |
주제분류(KDC/DDC) |
응용 물리
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410
|
1
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주제어 |
DGMOSFET
|
1
|
1
|
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Flat band voltage
|
1
|
1
|
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Oxide thickness
|
5
|
1
|
|
breakdown voltage
|
59
|
1
|
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계 |
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476 |
5 |
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* 주제로 분류 되지 않은 논문건수 |
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0 |
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